PAM-XIAMEN provides indium arsenide (InAs) ingot with high quality and competitive price. Indium arsenide is a group III-V compound semiconductor material composed of indium and arsenic. It is a silver-gray solid at room temperature, and the indium arsenide crystal structure is a zinc blende crystal structure with a lattice constant of 0.6058nm, and a density of 5.66g/cm (solid state), 5.90g/cm (liquid at the melting point). The indium arsenide energy band structure is a direct transition, and the band gap width (300K) is 0.45eV. At the melting point of InAs (942 degree), the dissociation pressure of arsenic is only 0.033MPa, and single crystals can be grown from the melt under normal pressure. Indium arsenide ingot has high electron mobility and mobility ratio (μe/μh=70), low magnetoresistance effect and small temperature coefficient of resistance. Thus, indium arsenide boule is an ideal material for manufacturing Hall devices and magnetoresistive devices. Below is the specification listed for your reference.
1. Indium-Arsenid-Barren-Spezifikation (PAM210618-INAS)
Methode: | VGF |
Orientierung: | (111) |
Durchmesser: | 50,8 mm |
Dotierstoff: | undotiert |
Leitfähigkeitstyp: | N-Typ |
CC (@77K): | <=3*10^16 cm-3 |
Mobilität: | >=18000 bei Raumtemperatur |
EPD: | <5000 |
Barrenlänge: | >= 50mm |
Besides, indium arsenide polycrystalline ingot boule is available:
InAs Polycrystalline Crystal (PAM170324-INAS)
Undoped, high Purity, >=6N
diameter: 4”size
Thickness: 1mm, 2mm, 4mm, 5mm, 10mm or 20mm
500 grams per boule
2. Elektrische Eigenschaften des Indiumarsenid-Barrens
* Grundparameter
Das Indiumarsenid-Durchbruchfeld beträgt etwa 4·104V cm-1;
Der Diffusionskoeffizient der Elektronen von Indiumarsenid beträgt ≤103cm2s-1;
Die thermische Geschwindigkeit des Indiumarsenid-Kristalllochs beträgt 2·105Frau-1.
Die Indium-Arsenid-Bandlücke ändert sich mit der Belastung, bitte beachten Sie die Hervorhebung in Lila:
Aus der III-V- und II-VI-Gitterkonstanten-Vergleichstabelle ist die Indiumarsenid-Gitterkonstante in einem violetten Kreis hervorgehoben:
* Indium arsenide mobility and Hall effect
Unter verschiedenen Elektronenkonzentrationen ist die Beziehung zwischen der Elektronenhallenmobilität und der Temperatur wie in der Abbildung dargestellt:
* Indium arsenide transport properties in high electric fields
Das folgende Bild zeigt die stationäre Feldabhängigkeit von InAs:
* Recombination parameters of N type indium arsenide boule crystal
Die längste Lebensdauer von Löchern beträgt τp ~ 3·10-6 s und die Diffusionslänge Lp beträgt ca. Lp ~ 10 – 20 µm.
3. Indiumarsenid-Anwendung
Indium arsenide single crystal is used to make the infrared detector with a wavelength from 1 µm to 3.8 µm, high speed electronics, support communication and diode lasers. The emission wavelength of indium arsenide is 3.34μm, and lattice-matched In-GaAsSb, InAsPSb and InAsSb multi-epitaxial materials can be grown on the InAs substrate, which can manufacture lasers and detectors for optical fiber communication in the 2~4μm band.
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