Indiumarsenid-Barren mit Zink-Blend-Struktur, gezüchtet von VGF

Indiumarsenid-Barren mit Zink-Blend-Struktur, gezüchtet von VGF

PAM-XIAMEN provides indium arsenide (InAs) ingot with high quality and competitive price. Indium arsenide is a group III-V compound semiconductor material composed of indium and arsenic. It is a silver-gray solid at room temperature, and the indium arsenide crystal structure is a zinc blende crystal structure with a lattice constant of 0.6058nm, and a density of 5.66g/cm (solid state), 5.90g/cm (liquid at the melting point). The indium arsenide energy band structure is a direct transition, and the band gap width (300K) is 0.45eV. At the melting point of InAs (942 degree), the dissociation pressure of arsenic is only 0.033MPa, and single crystals can be grown from the melt under normal pressure. Indium arsenide ingot has high electron mobility and mobility ratio (μe/μh=70), low magnetoresistance effect and small temperature coefficient of resistance. Thus, indium arsenide boule is an ideal material for manufacturing Hall devices and magnetoresistive devices. Below is the specification listed for your reference.

Indiumarsenid-Barren

Indiumarsenid-Barren

1. Indium-Arsenid-Barren-Spezifikation (PAM210618-INAS)

Methode: VGF
Orientierung: (111)
Durchmesser: 50,8 mm
Dotierstoff: undotiert
Leitfähigkeitstyp: N-Typ
CC (@77K): <=3*10^16 cm-3
Mobilität: >=18000 bei Raumtemperatur
EPD: <5000
Barrenlänge: >= 50mm

 

Besides, indium arsenide polycrystalline ingot boule is available:

InAs Polycrystalline Crystal (PAM170324-INAS)

Undoped, high Purity, >=6N

diameter: 4”size 

Thickness: 1mm, 2mm, 4mm, 5mm, 10mm or 20mm

500 grams per boule

2. Elektrische Eigenschaften des Indiumarsenid-Barrens

Grundparameter

Das Indiumarsenid-Durchbruchfeld beträgt etwa 4·104V cm-1;

Der Diffusionskoeffizient der Elektronen von Indiumarsenid beträgt ≤103cm2s-1;

Die thermische Geschwindigkeit des Indiumarsenid-Kristalllochs beträgt 2·105Frau-1.

Die Indium-Arsenid-Bandlücke ändert sich mit der Belastung, bitte beachten Sie die Hervorhebung in Lila:

Indiumarsenid-Bandlücke

Aus der III-V- und II-VI-Gitterkonstanten-Vergleichstabelle ist die Indiumarsenid-Gitterkonstante in einem violetten Kreis hervorgehoben:

Indiumarsenid-Gitterkonstante

* Indium arsenide mobility and Hall effect

Unter verschiedenen Elektronenkonzentrationen ist die Beziehung zwischen der Elektronenhallenmobilität und der Temperatur wie in der Abbildung dargestellt:

Indiumarsenid-Mobilität und Hall-Effekt

* Indium arsenide transport properties in high electric fields

Das folgende Bild zeigt die stationäre Feldabhängigkeit von InAs:

InAs stationäre Feldabhängigkeit

* Recombination parameters of N type indium arsenide boule crystal

Die längste Lebensdauer von Löchern beträgt τp ~ 3·10-6 s und die Diffusionslänge Lp beträgt ca. Lp ~ 10 – 20 µm.

3. Indiumarsenid-Anwendung

Indium arsenide single crystal is used to make the infrared detector with a wavelength from 1 µm to 3.8 µm, high speed electronics, support communication and diode lasers. The emission wavelength of indium arsenide is 3.34μm, and lattice-matched In-GaAsSb, InAsPSb and InAsSb multi-epitaxial materials can be grown on the InAs substrate, which can manufacture lasers and detectors for optical fiber communication in the 2~4μm band.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

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