P-Typ-Indiumphosphid-Halbleitersubstrat

P-Typ-Indiumphosphid-Halbleitersubstrat

Indiumphosphid (InP) gehört zu den III-V-Verbindungshalbleitern. Es ist eine neue Generation elektronischer Funktionsmaterialien nach Silizium und Galliumarsenid. Indiumphosphid-Halbleitermaterial hat viele hervorragende Eigenschaften: direkte Übergangsbandstruktur, hohe photoelektrische Umwandlungseffizienz, hohe Elektronenmobilität, leicht herzustellende halbisolierende Materialien, geeignet für die Herstellung von Hochfrequenz-Mikrowellengeräten und -schaltkreisen, hohe Arbeitstemperatur (400-500 ℃) usw. Diese Vorteile machen Indiumphosphid-Wafer zu einer weitverbreiteten Verwendung in Festkörperlumineszenz, Mikrowellenkommunikation, optischer Kommunikation, Satelliten und anderen Gebieten. PAM-XIAMEN ist in der Lage, leitfähige Indiumphosphid-Halbleiterwafer anzubieten. Weitere zusätzliche Wafer-Informationen finden Sie unter:https://www.powerwaywafer.com/compound-semiconductor/inp-wafer.html.

Die Indiumphosphid-Substrate vom P-Typ, die hauptsächlich durch Zn-Dotierung hergestellt werden, sind zu Ihrer Information wie folgt aufgeführt:

Indiumphosphid-Halbleiterwafer

1. Indiumphosphid-Halbleitersubstratparameter

Nr. 1 50,5 mm InP-Substrat

Artikel Parameter UOM
Material InP
Leitungstyp/Dotierstoff SCP/Zn
Klasse Primzahl
Durchmesser 50,5 ± 0,4 Millimeter
Orientierung (100) ± 0,5 °
Ausrichtungswinkel /
Flache Option EJ
Primäre Flach Orientierung (0-1-1) ±0,02°
Primäre Wohnung Länge 16 ± 1
Secondary Flach Orientierung (0-11)
Secondary Wohnung Länge 7±1 Millimeter
Ladungsträgerkonzentration Min 0.6E18 Max 6E18 cm-3
Der spezifische Widerstand Min / Max / Ohm*cm
Mobilität Min / Max / cm2/V*sek
EPD Ave <1000 Max / cm-2
Laser-Markierung Rückseite Dur-Flat
Kantenverrundung 0,25 (entspricht SEMI-Standards) mmR
Dicke Min 325 Max 375 um
TTV Max 10 um
TIR Max 10 um
BOGEN Max 10 um
Kette Max 15 um
Oberfläche Seite 1 Poliert Seite 2 Geätzt
Partikelanzahl /
Paket Einzelbehälter gefüllt mit N2
Epi-bereit Ja
Bemerkung Spezielle Spezifikationen werden gesondert besprochen

 

Nr. 2 76,2 mm InP-Wafer

Artikel Parameter UOM
Material InP
Leitungstyp/Dotierstoff SCP/Zn
Klasse Primzahl
Durchmesser 76,2 ± 0,4 Millimeter
Orientierung (100) ± 0,5 °
Ausrichtungswinkel /
Flache Option EJ
Primäre Flach Orientierung (0-1-1)
Primäre Wohnung Länge 22 ± 1
Secondary Flach Orientierung (0-11)
Secondary Wohnung Länge 12 ± 1 Millimeter
Ladungsträgerkonzentration Min 0.6E18 Max 6E18 cm-3
Der spezifische Widerstand Min / Max / Ohm*cm
Mobilität Min / Max / cm2/V*sek
EPD Ave <1000 Max / cm-2
Laser-Markierung Rückseite Dur-Flat
Kantenverrundung 0,25 (entspricht SEMI-Standards) mmR
Dicke Min 600 Max 650 um
TTV Max 10 um
TIR Max 10 um
BOGEN Max 10 um
Kette Max 15 um
Oberfläche Seite 1 Poliert Seite 2 Geätzt
Partikelanzahl /
Paket Einzelbehälter gefüllt mit N2
Epi-bereit Ja
Bemerkung Spezielle Spezifikationen werden gesondert besprochen

 

Nr. 3 100 mm InP-Halbleiterwafer

Artikel Parameter UOM
Material InP
Leitungstyp/Dotierstoff SCP/Zn
Klasse Primzahl
Durchmesser 100 ± 0,4 Millimeter
Orientierung (100) ± 0,5 °
Ausrichtungswinkel /
Flache Option EJ
Primäre Flach Orientierung (0-1-1)
Primäre Wohnung Länge 32,5±1
Secondary Flach Orientierung (0-11)
Secondary Wohnung Länge 18 ± 1 Millimeter
Ladungsträgerkonzentration Min 0.6E18 Max 6E18 cm-3
Der spezifische Widerstand Min / Max / Ohm*cm
Mobilität Min / Max / cm2/V*sek
EPD Ave <5000 Max / cm-2
Laser-Markierung Rückseite Dur-Flat
Kantenverrundung 0,25 (entspricht SEMI-Standards) mmR
Dicke Min 600 Max 650 um
TTV Max 15 um
TIR Max 15 um
BOGEN Max 15 um
Kette Max 15 um
Oberfläche Seite 1 Poliert Seite 2 Geätzt
Partikelanzahl /
Paket Einzelbehälter gefüllt mit N2
Epi-bereit Ja
Bemerkung Spezielle Spezifikationen werden gesondert besprochen

 

2. Was sind die Ähnlichkeiten und Unterschiede zwischen InP vom N-Typ, InP vom P-Typ und halbisolierendem InP?

InP-Einkristalle können in n-Typ, p-Typ und halbisolierenden Typ unterteilt werden. Gemäß den elektrischen Eigenschaften können Indiumphosphid-Einkristalle in N-Typ, P-Typ und halbisolierenden Typ unterteilt werden. Die Ähnlichkeiten und Unterschiede werden hauptsächlich anhand der Dotierstoff-, Trägerkonzentrations-, Versetzungsdichte- und Indiumphosphid-Anwendungen in der folgenden Tabelle analysiert:

Ähnlichkeiten und Unterschiede zwischen InP vom N-Typ, InP vom P-Typ und halbisolierendem InP
Artikel Dotierstoff Trägerkonzentration (cm-3) Versetzungsdichte (cm-2) Anwendungen
N Geben Sie InP ein undotierte ≤3,0 x 1016 ≤5,0 x 102 LD, LED, PIN PD und PIN APD
S (1~8)x 1018 ≤5,0 x 102
Sn (1~8)x 1018 ≤5,0 x 102
P Geben Sie InP ein Zn (1~8)x 1018 ≤5,0 x 102 hocheffiziente strahlungsbeständige Solarzellen usw
Halbisolierendes InP Fe

 

N / A ≤5,0 x 102 rauscharme und breitbandige Mikrowellengeräte, Endgeräteführung und Anti-Interferenz-Millimeterwellengeräte, photoelektrische integrierte Schaltungen usw

 

3. Über Indiumphosphid-Einkristall vom P-Typ, der von VGF gezüchtet wird

Gegenwärtig werden Indiumphosphid-Einkristalle hauptsächlich durch das VGF-Verfahren (vertikale Gradientenverfestigung) in einer Indiumphosphid-Gießerei hergestellt. In Quarzrohren und Bornitridtiegeln, die bei der Herstellung von Indiumphosphidkristallen durch VGF verwendet werden, sind jedoch Hydroxyl(OH)-Verunreinigungen vorhanden, und in Boroxid ist Wasser als Abdeckmittel vorhanden. Hydroxyl-(OH)-Verunreinigungen und Wasser sind die Hauptquellen für VInH4-Donordefekte und Leerstellen-Donatordefekte im Indiumphosphid-Halbleiterkristall, während VInH4-Donatordefekte und Leerstellen-Donatordefekte die Schlüsselfaktoren sind, die die elektrischen Eigenschaften von InP-Einkristallen vom P-Typ mit niedriger Konzentration beeinflussen Materialien.

Die elektrischen Parameter und das thermische Wachstumsfeld der InP-Polykristalle, die zur Herstellung von Indiumphosphid-Einkristallen verwendet werden, können die Dotierungsaktivierungseffizienz von Zink beeinflussen und dann die Zinkdotierungskonzentration von Indiumphosphid-Einkristallen vom P-Typ beeinflussen.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

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