Indiumphosphid (InP) gehört zu den III-V-Verbindungshalbleitern. Es ist eine neue Generation elektronischer Funktionsmaterialien nach Silizium und Galliumarsenid. Indiumphosphid-Halbleitermaterial hat viele hervorragende Eigenschaften: direkte Übergangsbandstruktur, hohe photoelektrische Umwandlungseffizienz, hohe Elektronenmobilität, leicht herzustellende halbisolierende Materialien, geeignet für die Herstellung von Hochfrequenz-Mikrowellengeräten und -schaltkreisen, hohe Arbeitstemperatur (400-500 ℃) usw. Diese Vorteile machen Indiumphosphid-Wafer zu einer weitverbreiteten Verwendung in Festkörperlumineszenz, Mikrowellenkommunikation, optischer Kommunikation, Satelliten und anderen Gebieten. PAM-XIAMEN ist in der Lage, leitfähige Indiumphosphid-Halbleiterwafer anzubieten. Weitere zusätzliche Wafer-Informationen finden Sie unter:https://www.powerwaywafer.com/compound-semiconductor/inp-wafer.html.
Die Indiumphosphid-Substrate vom P-Typ, die hauptsächlich durch Zn-Dotierung hergestellt werden, sind zu Ihrer Information wie folgt aufgeführt:
1. Indiumphosphid-Halbleitersubstratparameter
Nr. 1 50,5 mm InP-Substrat
Artikel | Parameter | UOM | |||
Material | InP | ||||
Leitungstyp/Dotierstoff | SCP/Zn | ||||
Klasse | Primzahl | ||||
Durchmesser | 50,5 ± 0,4 | Millimeter | |||
Orientierung | (100) ± 0,5 ° | ||||
Ausrichtungswinkel | / | ||||
Flache Option | EJ | ||||
Primäre Flach Orientierung | (0-1-1) ±0,02° | ||||
Primäre Wohnung Länge | 16 ± 1 | ||||
Secondary Flach Orientierung | (0-11) | ||||
Secondary Wohnung Länge | 7±1 | Millimeter | |||
Ladungsträgerkonzentration | Min | 0.6E18 | Max | 6E18 | cm-3 |
Der spezifische Widerstand | Min | / | Max | / | Ohm*cm |
Mobilität | Min | / | Max | / | cm2/V*sek |
EPD | Ave | <1000 | Max | / | cm-2 |
Laser-Markierung | Rückseite Dur-Flat | ||||
Kantenverrundung | 0,25 (entspricht SEMI-Standards) | mmR | |||
Dicke | Min | 325 | Max | 375 | um |
TTV | Max | 10 | um | ||
TIR | Max | 10 | um | ||
BOGEN | Max | 10 | um | ||
Kette | Max | 15 | um | ||
Oberfläche | Seite 1 | Poliert | Seite 2 | Geätzt | |
Partikelanzahl | / | ||||
Paket | Einzelbehälter gefüllt mit N2 | ||||
Epi-bereit | Ja | ||||
Bemerkung | Spezielle Spezifikationen werden gesondert besprochen |
Nr. 2 76,2 mm InP-Wafer
Artikel | Parameter | UOM | |||
Material | InP | ||||
Leitungstyp/Dotierstoff | SCP/Zn | ||||
Klasse | Primzahl | ||||
Durchmesser | 76,2 ± 0,4 | Millimeter | |||
Orientierung | (100) ± 0,5 ° | ||||
Ausrichtungswinkel | / | ||||
Flache Option | EJ | ||||
Primäre Flach Orientierung | (0-1-1) | ||||
Primäre Wohnung Länge | 22 ± 1 | ||||
Secondary Flach Orientierung | (0-11) | ||||
Secondary Wohnung Länge | 12 ± 1 | Millimeter | |||
Ladungsträgerkonzentration | Min | 0.6E18 | Max | 6E18 | cm-3 |
Der spezifische Widerstand | Min | / | Max | / | Ohm*cm |
Mobilität | Min | / | Max | / | cm2/V*sek |
EPD | Ave | <1000 | Max | / | cm-2 |
Laser-Markierung | Rückseite Dur-Flat | ||||
Kantenverrundung | 0,25 (entspricht SEMI-Standards) | mmR | |||
Dicke | Min | 600 | Max | 650 | um |
TTV | Max | 10 | um | ||
TIR | Max | 10 | um | ||
BOGEN | Max | 10 | um | ||
Kette | Max | 15 | um | ||
Oberfläche | Seite 1 | Poliert | Seite 2 | Geätzt | |
Partikelanzahl | / | ||||
Paket | Einzelbehälter gefüllt mit N2 | ||||
Epi-bereit | Ja | ||||
Bemerkung | Spezielle Spezifikationen werden gesondert besprochen |
Nr. 3 100 mm InP-Halbleiterwafer
Artikel | Parameter | UOM | |||
Material | InP | ||||
Leitungstyp/Dotierstoff | SCP/Zn | ||||
Klasse | Primzahl | ||||
Durchmesser | 100 ± 0,4 | Millimeter | |||
Orientierung | (100) ± 0,5 ° | ||||
Ausrichtungswinkel | / | ||||
Flache Option | EJ | ||||
Primäre Flach Orientierung | (0-1-1) | ||||
Primäre Wohnung Länge | 32,5±1 | ||||
Secondary Flach Orientierung | (0-11) | ||||
Secondary Wohnung Länge | 18 ± 1 | Millimeter | |||
Ladungsträgerkonzentration | Min | 0.6E18 | Max | 6E18 | cm-3 |
Der spezifische Widerstand | Min | / | Max | / | Ohm*cm |
Mobilität | Min | / | Max | / | cm2/V*sek |
EPD | Ave | <5000 | Max | / | cm-2 |
Laser-Markierung | Rückseite Dur-Flat | ||||
Kantenverrundung | 0,25 (entspricht SEMI-Standards) | mmR | |||
Dicke | Min | 600 | Max | 650 | um |
TTV | Max | 15 | um | ||
TIR | Max | 15 | um | ||
BOGEN | Max | 15 | um | ||
Kette | Max | 15 | um | ||
Oberfläche | Seite 1 | Poliert | Seite 2 | Geätzt | |
Partikelanzahl | / | ||||
Paket | Einzelbehälter gefüllt mit N2 | ||||
Epi-bereit | Ja | ||||
Bemerkung | Spezielle Spezifikationen werden gesondert besprochen |
2. Was sind die Ähnlichkeiten und Unterschiede zwischen InP vom N-Typ, InP vom P-Typ und halbisolierendem InP?
InP-Einkristalle können in n-Typ, p-Typ und halbisolierenden Typ unterteilt werden. Gemäß den elektrischen Eigenschaften können Indiumphosphid-Einkristalle in N-Typ, P-Typ und halbisolierenden Typ unterteilt werden. Die Ähnlichkeiten und Unterschiede werden hauptsächlich anhand der Dotierstoff-, Trägerkonzentrations-, Versetzungsdichte- und Indiumphosphid-Anwendungen in der folgenden Tabelle analysiert:
Ähnlichkeiten und Unterschiede zwischen InP vom N-Typ, InP vom P-Typ und halbisolierendem InP | ||||
Artikel | Dotierstoff | Trägerkonzentration (cm-3) | Versetzungsdichte (cm-2) | Anwendungen |
N Geben Sie InP ein | undotierte | ≤3,0 x 1016 | ≤5,0 x 102 | LD, LED, PIN PD und PIN APD |
S | (1~8)x 1018 | ≤5,0 x 102 | ||
Sn | (1~8)x 1018 | ≤5,0 x 102 | ||
P Geben Sie InP ein | Zn | (1~8)x 1018 | ≤5,0 x 102 | hocheffiziente strahlungsbeständige Solarzellen usw |
Halbisolierendes InP | Fe
|
N / A | ≤5,0 x 102 | rauscharme und breitbandige Mikrowellengeräte, Endgeräteführung und Anti-Interferenz-Millimeterwellengeräte, photoelektrische integrierte Schaltungen usw |
3. Über Indiumphosphid-Einkristall vom P-Typ, der von VGF gezüchtet wird
Gegenwärtig werden Indiumphosphid-Einkristalle hauptsächlich durch das VGF-Verfahren (vertikale Gradientenverfestigung) in einer Indiumphosphid-Gießerei hergestellt. In Quarzrohren und Bornitridtiegeln, die bei der Herstellung von Indiumphosphidkristallen durch VGF verwendet werden, sind jedoch Hydroxyl(OH)-Verunreinigungen vorhanden, und in Boroxid ist Wasser als Abdeckmittel vorhanden. Hydroxyl-(OH)-Verunreinigungen und Wasser sind die Hauptquellen für VInH4-Donordefekte und Leerstellen-Donatordefekte im Indiumphosphid-Halbleiterkristall, während VInH4-Donatordefekte und Leerstellen-Donatordefekte die Schlüsselfaktoren sind, die die elektrischen Eigenschaften von InP-Einkristallen vom P-Typ mit niedriger Konzentration beeinflussen Materialien.
Die elektrischen Parameter und das thermische Wachstumsfeld der InP-Polykristalle, die zur Herstellung von Indiumphosphid-Einkristallen verwendet werden, können die Dotierungsaktivierungseffizienz von Zink beeinflussen und dann die Zinkdotierungskonzentration von Indiumphosphid-Einkristallen vom P-Typ beeinflussen.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.