Dummy-Grade-Indiumphosphid-Wafer

Dummy-Grade-Indiumphosphid-Wafer

Einkristall-Indiumphosphid-Wafer in Dummy-Qualität sind mit S-Dotierung erhältlich, die durch VGF gezüchtet wird. Die Elektronenkonzentration des N-Typ-Indiumphosphid-Wafers erreicht 1018cm-3, und der spezifische Widerstand von Indiumphosphid ist sehr niedrig, im Allgemeinen 10-2~10-3Ω·cm. It is mostly used in high-speed optoelectronic devices, such as LD, LED, PIN- PD, PIN-APD and etc. EPD map of InP can be offered if necessary, please contact us at victorchan@powerwaywafer.com. The specifications of the test grade InP wafers sind wie folgt aufgeführt:

Indiumphosphid-Wafer

1. Spezifikationen von Indiumphosphid-Wafer in Dummy-Qualität

Gegenstand 1:

Artikel Parameter UOM
Material Indiumphosphid-Wafer
Klasse Dummy-Klasse
Durchmesser 50,0 ± 0,5 Millimeter
Dicke Min: 300 Max: 400 Äh
Orientierung (100) ± 0,5°
Leitfähigkeitstyp / Dotierstoff SCN / S
Primäre Wohnung Länge 16 ± 2 Millimeter
Primäre Flach Orientierung EJ(0-1-1)
Secondary Wohnung Länge 7 ± 1 Millimeter
Secondary Flach Orientierung EJ(0-11)
Ladungsträgerkonzentration Minimal Maximal: / cm-3
Der spezifische Widerstand Minimal Maximal: / Ohm-cm
Mobilität Minimal Maximal: / cm2/V*Sek
EPD Durchschnitt: / Max: <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 Äh
TIR 10 Äh
BOGEN 10 Äh
Kette 15 Äh
Oberfläche P/P, P/E
Kantenverrundung 0,25 (entspricht den SEMI-Standards) mmR
Epi-bereit Ja
Laser-Markierung /
Lamellen-Twin-Bereich nutzbarer Einkristallbereich mit (100)-Orientierung >80%
Paket Einzelbehälter gefüllt mit N2  

 

Punkt 2:

Artikel Parameter UOM
Material Indiumphosphid-Substrat
Klasse Dummy-Klasse
Durchmesser 76,2 ± 0,5 Millimeter
Dicke Min: 600 Max: 650 Äh
Orientierung (100) ± 0,5°
Leitfähigkeitstyp / Dotierstoff SCN / S
Primäre Wohnung Länge 22 ± 1 Millimeter
Primäre Flach Orientierung EJ
Secondary Wohnung Länge 12 ± 1 Millimeter
Secondary Flach Orientierung EJ
Ladungsträgerkonzentration Minimal Maximal: / cm-3
Der spezifische Widerstand Minimal Maximal: / Ohm-cm
Mobilität Minimal Maximal: / cm2/V*Sek
EPD Durchschnitt: / Max: <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 Äh
TIR 10 Äh
BOGEN 10 Äh
Kette 15 Äh
Oberfläche P/P, P/E
Kantenverrundung 0,25 (entspricht den SEMI-Standards) mmR
Epi-bereit Ja
Laser-Markierung /
Lamellen-Twin-Bereich nutzbarer Einkristallbereich mit (100)-Orientierung>80%
Paket Einzelbehälter gefüllt mit N2

 

Punkt 3:

Artikel Parameter UOM
Material Indiumphosphid-Wafer
Klasse Dummy-Klasse
Durchmesser 100,0 ± 0,5 Millimeter
Dicke Min: 600 Max: 650 Äh
Orientierung (100) ± 0,5°
Leitfähigkeitstyp / Dotierstoff SCN / S
Primäre Wohnung Länge 32,5 ± 1 Millimeter
Primäre Flach Orientierung EJ
Secondary Wohnung Länge 18 ± 1 Millimeter
Secondary Flach Orientierung EJ
Ladungsträgerkonzentration Minimal Maximal: / cm-3
Der spezifische Widerstand Minimal Maximal: / Ohm-cm
Mobilität Minimal Maximal: / cm2/V*Sek
EPD Durchschnitt: / Max: <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 Äh
TIR 10 Äh
BOGEN 10 Äh
Kette 15 Äh
Oberfläche P/P, P/E
Kantenverrundung 0,25 (entspricht den SEMI-Standards) mmR
Epi-bereit Ja
Laser-Markierung /
Lamellen-Twin-Bereich nutzbarer Einkristallbereich mit (100)-Orientierung>80%
Paket Einzelbehälter gefüllt mit N2

 

 

2. Indiumphosphid-Anwendungen in Dummy-Qualität

InP-Wafer in Dummy-Qualität werden für den Test des Epi-Wachstumsprozesses und die Charakterisierung der Zusammensetzung auf der Epitaxieschicht verwendet. Es ist nicht geeignet zum Ätzen von Gerätestrukturen, zB Wellenleiter und optisches Gitter wegen Zwillingskristallen und möglichen Löchern der Waferorientierung auf der Zwillingsseite.

Mikrozwilling oder Abstammung der Waferoberfläche < 20 % ist akzeptabel.

3. Eigenschaften von Indiumphosphid

Indium phosphide is a group III-V compound semiconductor material compounded by the combination of group III element indium (In) and group V element phosphorus (P). It has a zinc blende structure with a indium phosphide lattice constant of 0.586 9 nm. InP single crystal is soft and brittle, silver-gray with metallic luster. The indium phosphide band gap at room temperature is 1.344 eV, which is a direct transition band structure. The emission wavelength is 0.92 um, the intrinsic carrier concentration of InP at room temperature is 2×107cm-3, und die Elektronen- und Lochbeweglichkeit beträgt 4 500 cm2/Vs bzw. 150 cm2/V·s.

Kristallstruktur von Indiumphosphid

Indiumphosphid-Kristallstruktur

4. InP-Wafer-Herstellungsprozess

Indiumphosphid hat fast die gleiche kubisch-flächenzentrierte Kristallstruktur wie Galliumarsenid GaAs und die meisten III-V-Halbleiter. Indiumphosphid-Wafer müssen vor der Herstellung der Vorrichtung vorbereitet werden und müssen überlappt werden, um Oberflächenschäden während des Schneidens zu vermeiden. Der Dummy-Wafer aus InP wird dann chemisch-mechanisches Polieren (CMP) für die letzte Stufe der Materialentfernung durchgeführt, wodurch eine verspiegelte Oberfläche mit ultraflacher Rauheit im atomaren Maßstab erhalten werden kann.

However, the growth process of indium phosphide from raw materials to ingots to wafers is very difficult. During the growth process, a high temperature of 1070℃ and extreme pressure are required. In addition, the atomic structure may change. What comes out may not meet expectations. From raw materials to ingots to a 2-inch or 4-inch indium phosphide single crystal wafer, the yield is generally about 28%, and the technical threshold is very high. Therefore, PAM-XIAMEN is one of the indium phosphide wafer suppliers that can successfully control the growth technology of indium phosphide. Relying on VGF, VB method crystal growth technology, high surface quality wire cutting technology, ultra-flat mechanical chemical polishing technology, ultra-clean surface cleaning technology and other related core technologies, the commercialization of indium phosphide wafers tends to be stable, and the products provided by PAM-XIAMEN are mainly used in optical fiber communications, optical detectors, infrared optics, high-frequency millimeter wave communications and other fields. In addition to the current application areas, the monocrystalline indium phosphide wafer substrate will expand in the terahertz field used in 6G communications.

5. Zukünftige Entwicklung von InP-Materialien

In fact, InP substrate material is the most critical core material in the optical communication industry chain, ultra-high frequency millimeter wave radar, infrared detection and other fields. It is  inseparable from indium phosphide since the demand for higher bandwidth continues to grow, especially in the Human-driven cars, 5G communications, even the implementation and application of 6G, 7G, and 8G in the future. The indium phosphide wafer market at dummy or prime grade will usher in rapid growth, thereby, the indium phosphide wafer cost will go down.

Powerwaywafer

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

Teile diesen Beitrag