Einkristall-Indiumphosphid-Wafer in Dummy-Qualität sind mit S-Dotierung erhältlich, die durch VGF gezüchtet wird. Die Elektronenkonzentration des N-Typ-Indiumphosphid-Wafers erreicht 1018cm-3, und der spezifische Widerstand von Indiumphosphid ist sehr niedrig, im Allgemeinen 10-2~10-3Ω·cm. It is mostly used in high-speed optoelectronic devices, such as LD, LED, PIN- PD, PIN-APD and etc. EPD map of InP can be offered if necessary, please contact us at victorchan@powerwaywafer.com. The specifications of the test grade InP wafers sind wie folgt aufgeführt:
1. Spezifikationen von Indiumphosphid-Wafer in Dummy-Qualität
Gegenstand 1:
Artikel | Parameter | UOM |
Material | Indiumphosphid-Wafer | |
Klasse | Dummy-Klasse | |
Durchmesser | 50,0 ± 0,5 | Millimeter |
Dicke | Min: 300 Max: 400 | Äh |
Orientierung | (100) ± 0,5° | |
Leitfähigkeitstyp / Dotierstoff | SCN / S | |
Primäre Wohnung Länge | 16 ± 2 | Millimeter |
Primäre Flach Orientierung | EJ(0-1-1) | |
Secondary Wohnung Länge | 7 ± 1 | Millimeter |
Secondary Flach Orientierung | EJ(0-11) | |
Ladungsträgerkonzentration | Minimal Maximal: / | cm-3 |
Der spezifische Widerstand | Minimal Maximal: / | Ohm-cm |
Mobilität | Minimal Maximal: / | cm2/V*Sek |
EPD | Durchschnitt: / Max: <1000 cm-2 | cm-2 |
TTV | 10 | Äh |
TIR | 10 | Äh |
BOGEN | 10 | Äh |
Kette | 15 | Äh |
Oberfläche | P/P, P/E | |
Kantenverrundung | 0,25 (entspricht den SEMI-Standards) | mmR |
Epi-bereit | Ja | |
Laser-Markierung | / | |
Lamellen-Twin-Bereich | nutzbarer Einkristallbereich mit (100)-Orientierung >80% | |
Paket | Einzelbehälter gefüllt mit N2 |
Punkt 2:
Artikel | Parameter | UOM |
Material | Indiumphosphid-Substrat | |
Klasse | Dummy-Klasse | |
Durchmesser | 76,2 ± 0,5 | Millimeter |
Dicke | Min: 600 Max: 650 | Äh |
Orientierung | (100) ± 0,5° | |
Leitfähigkeitstyp / Dotierstoff | SCN / S | |
Primäre Wohnung Länge | 22 ± 1 | Millimeter |
Primäre Flach Orientierung | EJ | |
Secondary Wohnung Länge | 12 ± 1 | Millimeter |
Secondary Flach Orientierung | EJ | |
Ladungsträgerkonzentration | Minimal Maximal: / | cm-3 |
Der spezifische Widerstand | Minimal Maximal: / | Ohm-cm |
Mobilität | Minimal Maximal: / | cm2/V*Sek |
EPD | Durchschnitt: / Max: <1000 cm-2 | cm-2 |
TTV | 10 | Äh |
TIR | 10 | Äh |
BOGEN | 10 | Äh |
Kette | 15 | Äh |
Oberfläche | P/P, P/E | |
Kantenverrundung | 0,25 (entspricht den SEMI-Standards) | mmR |
Epi-bereit | Ja | |
Laser-Markierung | / | |
Lamellen-Twin-Bereich | nutzbarer Einkristallbereich mit (100)-Orientierung>80% | |
Paket | Einzelbehälter gefüllt mit N2 |
Punkt 3:
Artikel | Parameter | UOM |
Material | Indiumphosphid-Wafer | |
Klasse | Dummy-Klasse | |
Durchmesser | 100,0 ± 0,5 | Millimeter |
Dicke | Min: 600 Max: 650 | Äh |
Orientierung | (100) ± 0,5° | |
Leitfähigkeitstyp / Dotierstoff | SCN / S | |
Primäre Wohnung Länge | 32,5 ± 1 | Millimeter |
Primäre Flach Orientierung | EJ | |
Secondary Wohnung Länge | 18 ± 1 | Millimeter |
Secondary Flach Orientierung | EJ | |
Ladungsträgerkonzentration | Minimal Maximal: / | cm-3 |
Der spezifische Widerstand | Minimal Maximal: / | Ohm-cm |
Mobilität | Minimal Maximal: / | cm2/V*Sek |
EPD | Durchschnitt: / Max: <1000 cm-2 | cm-2 |
TTV | 10 | Äh |
TIR | 10 | Äh |
BOGEN | 10 | Äh |
Kette | 15 | Äh |
Oberfläche | P/P, P/E | |
Kantenverrundung | 0,25 (entspricht den SEMI-Standards) | mmR |
Epi-bereit | Ja | |
Laser-Markierung | / | |
Lamellen-Twin-Bereich | nutzbarer Einkristallbereich mit (100)-Orientierung>80% | |
Paket | Einzelbehälter gefüllt mit N2 |
2. Indiumphosphid-Anwendungen in Dummy-Qualität
InP-Wafer in Dummy-Qualität werden für den Test des Epi-Wachstumsprozesses und die Charakterisierung der Zusammensetzung auf der Epitaxieschicht verwendet. Es ist nicht geeignet zum Ätzen von Gerätestrukturen, zB Wellenleiter und optisches Gitter wegen Zwillingskristallen und möglichen Löchern der Waferorientierung auf der Zwillingsseite.
Mikrozwilling oder Abstammung der Waferoberfläche < 20 % ist akzeptabel.
3. Eigenschaften von Indiumphosphid
Indium phosphide is a group III-V compound semiconductor material compounded by the combination of group III element indium (In) and group V element phosphorus (P). It has a zinc blende structure with a indium phosphide lattice constant of 0.586 9 nm. InP single crystal is soft and brittle, silver-gray with metallic luster. The indium phosphide band gap at room temperature is 1.344 eV, which is a direct transition band structure. The emission wavelength is 0.92 um, the intrinsic carrier concentration of InP at room temperature is 2×107cm-3, und die Elektronen- und Lochbeweglichkeit beträgt 4 500 cm2/Vs bzw. 150 cm2/V·s.
Indiumphosphid-Kristallstruktur
4. InP-Wafer-Herstellungsprozess
Indiumphosphid hat fast die gleiche kubisch-flächenzentrierte Kristallstruktur wie Galliumarsenid GaAs und die meisten III-V-Halbleiter. Indiumphosphid-Wafer müssen vor der Herstellung der Vorrichtung vorbereitet werden und müssen überlappt werden, um Oberflächenschäden während des Schneidens zu vermeiden. Der Dummy-Wafer aus InP wird dann chemisch-mechanisches Polieren (CMP) für die letzte Stufe der Materialentfernung durchgeführt, wodurch eine verspiegelte Oberfläche mit ultraflacher Rauheit im atomaren Maßstab erhalten werden kann.
However, the growth process of indium phosphide from raw materials to ingots to wafers is very difficult. During the growth process, a high temperature of 1070℃ and extreme pressure are required. In addition, the atomic structure may change. What comes out may not meet expectations. From raw materials to ingots to a 2-inch or 4-inch indium phosphide single crystal wafer, the yield is generally about 28%, and the technical threshold is very high. Therefore, PAM-XIAMEN is one of the indium phosphide wafer suppliers that can successfully control the growth technology of indium phosphide. Relying on VGF, VB method crystal growth technology, high surface quality wire cutting technology, ultra-flat mechanical chemical polishing technology, ultra-clean surface cleaning technology and other related core technologies, the commercialization of indium phosphide wafers tends to be stable, and the products provided by PAM-XIAMEN are mainly used in optical fiber communications, optical detectors, infrared optics, high-frequency millimeter wave communications and other fields. In addition to the current application areas, the monocrystalline indium phosphide wafer substrate will expand in the terahertz field used in 6G communications.
5. Zukünftige Entwicklung von InP-Materialien
In fact, InP substrate material is the most critical core material in the optical communication industry chain, ultra-high frequency millimeter wave radar, infrared detection and other fields. It is inseparable from indium phosphide since the demand for higher bandwidth continues to grow, especially in the Human-driven cars, 5G communications, even the implementation and application of 6G, 7G, and 8G in the future. The indium phosphide wafer market at dummy or prime grade will usher in rapid growth, thereby, the indium phosphide wafer cost will go down.
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