PAM-XIAMEN bietet InGaAs APD-Wafer mit hoher Leistung. InGaAs-Lawinen-Fotodioden (InGaAs APD) sind wegen ihres geringen Rauschens, ihrer höheren Bandbreite und ihrer auf 1700 nm erweiterten spektralen Antwort hoch angesehen. Es ist nach der Optimierung für eine Wellenlänge von 1550 nm erhältlich und sehr gut für den Einsatz in augensicheren Laserentfernungssystemen geeignet. Die Spezifikationen und Parameter von InGaAs APD-Wafern lauten wie folgt:
PAM-210331-INGAAS-APD
Gegenstand 1:
| Schicht | Material | Dicke (μm) | Abweichung | Konzentration (cm-3) | Abweichung | Test | Notiz |
| 9 | U-1,05 um InGaAsP | – | ± 10% | – | ± 20% | ||
| 8 | N-InP | 2.5 | – | 5E + 15 | ± 20% | Lebenslauf | Auf Testwafer |
| 7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | Lebenslauf | Auf Testwafer |
| 6 | N-1,05 um InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 5 | N-1,25 um InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45 um InGaAsP | – | ± 10% | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD & C-V | Auf Epiwafer & Testwafer | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | Lebenslauf | Auf Testwafer |
| 0 | N-InP-Substrat | 350 ± 25 | – | S-dotiert> 3E + 18 | – | – | 2 "Wafer |
| # | Gitterfehlanpassung | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test in der Mitte des Epiwafers |
Punkt 2:
| Schicht | Material | Dicke (μm) | Abweichung | Konzentration (cm-3) | Abweichung | Test | Notiz |
| 9 | U-1,05 um InGaAsP | 0.1 | ± 10% | – | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ± 20% | Lebenslauf | Auf Testwafer |
| 7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | Lebenslauf | Auf Testwafer |
| 6 | N-1,05 um InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 5 | N-1,25 um InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45 um InGaAsP | 0.03 | ± 10% | – | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E + 16 | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | – | ± 10% | – | – | DCXD & C-V | Auf Epiwafer & Testwafer |
| 1 | N-InP | 0.5 | – | – | ± 20% | Lebenslauf | Auf Testwafer |
| 0 | N-InP-Substrat | 350 ± 25 | – | S-dotiert> 3E + 18 | – | – | 2 "Wafer |
| # | Gitterfehlanpassung | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test in der Mitte des Epiwafers |
Punkt 3:
| Schicht | Material | Dicke (μm) | Abweichung | Konzentration (cm-3) | Abweichung | Test | Notiz |
| 9 | U-1,05 um InGaAsP | 0.1 | – | 5E + 15 | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | – | – | ± 20% | Lebenslauf | Auf Testwafer |
| 7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | Lebenslauf | Auf Testwafer |
| 6 | N-1,05 um InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 5 | N-1,25 um InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45 um InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD & C-V | Auf Epiwafer & Testwafer | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | Lebenslauf | Auf Testwafer |
| 0 | N-InP-Substrat | 350 ± 25 | – | S-dotiert> 3E + 18 | – | – | 2 "Wafer |
| # | Gitterfehlanpassung | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test in der Mitte des Epiwafers |
Item 4:
PAM221226-1550-APD
| Schicht | Material | Thickness(um) | Doping(cm3) |
| 7 | InP | – | undoped(N<1E15) |
| 6 | InP | 0.2 | – |
| 5 | GaInAsP | – | – |
| 4 | GaInAsP | – | – |
| 3 | GaInAsP | – | – |
| 2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
| 1 | InP | – | Si doped, n type, 1.3E17 |
| N+ InP Substrate |
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