InP-Substrat
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., ein führender Anbieter von INP -Substrat und anderen verwandten Produkten und Dienstleistungen, kann INP -Substrat für Fibre -Optics -Netzwerkkomponenten anbieten. Unser monokristallines INP -Kristallsubstrat hat hervorragende Eigenschaften. Eine Reihe von Doping -Experimenten hat den effektiven Segregationskoeffizienten als 1,6 × 10 bestimmt–3für Fe in INP. Semi-inselende INP-Kristalle mit Widerstand> 10^7 Ohm-Cm wurden konstant aus Schmelzen gezüchtet, die mit 150 ppm Fe dotiert sind.
Bulk polykristalline INP (Indiumphosphid) wird aus den Elementen über einen Gefrierprozess von Gradienten synthetisiert. Hallendaten für einen typischen Boule sind ND-NA = 4,7 × 1015/cm3und μ77 = 28.000 cm2/V-sec. Photolumineszenzdaten zeigen, dass Zink als Akzeptorverunreinigung im polykristallinen INP und in nominell undotierten VGF -Einzelkristallen, die unter Verwendung des synthetisierten INP als Ladungsmaterial gezüchtet wurden, vorhanden sind.
1. INP -Substratspezifikation
| Artikel | Spezifikation | Einheit |
| Wachstumsmethode | VGF | - - |
| Leitfähigkeitstyp | n | - - |
| Dotierstoff | Si | - - |
| Trägerdichte | (1 ~ 6) x 1018 | cm-3 |
| Mobilität | 1200 ~ 2000 | cm2▪ v-1▪ Sek-1 |
| Widerstand | (0,6 ~ 6) x 10-3 | Ω ▪ cm |
| EPD | ≤500 | cm-2 |
| Orientierung | (100) ± 0,2 | Grad |
| Dicke | 350 ± 10 | um |
| TTV | ≤ 2 | um |
| Bogen | - - | um |
| Finish (Oberfläche) (Zurück) |
Spiegel poliert (geätzt) Spiegel poliert (geätzt) Einzelne N2 -Gaspaket |
- - |
| Größe (Durchmesser) | 50 ± 0,1 | Millimeter |
| Orientierung flach A) B) |
(0-1-1) ± 0,05 16 ± 2 |
Grad Millimeter |
| Idex flach A) B) |
(0-11) ± 2 7 ± 2 |
Grad Millimeter |
Zusätzlich,undotterer Inp -Waferist erhältlich, was ein intrinsisches mit hoher Qualität, aber wettbewerbsfähig ist.
2. Branchennormen für Indiumphosphidsubstrat
Die Geometrie des monokristallinen INP -Dünnfilms erfüllt die Anforderungen in Tabelle 1. Normalerweise sind die tatsächlichen Parameter höher als die Standardparameter.
Tabelle 1 InP Wafer Geometrische Parameter
| Artikel | Wert | ||
| Durchmesser/mm | 50.8 | 76.2 | 100 |
| Durchmesserabweichung/mm | ± 0,5 | ± 0,5 | ± 0,5 |
| Dicke/Um | 450 | 625 | 650 |
| Dickenabweichung/Um | ± 25 | ± 25 | ± 25 |
| Hauptreferenzebene/mm | 16 ± 2 | 22 ± 2 | 32,5 ± 2 |
| Sekundärreferenzebene/mm | 8 ± 2 | 11 ± 2 | 18 ± 2 |
| Flachheit/ähm | ≤ 20 | ≤25 | ≤30 |
| Warp/ Um | ≤15 | ≤ 20 | ≤25 |
| TTV/UM | ≤ 20 | ≤25 | ≤30 |
Die elektrischen Parameter sollten die Anforderungen in Tabelle 2 erfüllen. Die Parameter des von uns angebotenen Wafers sind jedoch höher als die Anforderungen an die Branche.
Tabelle 2 Elektrische Parameter des INP -Blattes
| Leitfähigkeit | Dotierstoff | Trägerkonzentration/cm-3 | Mobilität/cm2 Vs | Widerstand/Ohm-CM |
| N-Typ | S. | ≥ 5 × 1017 | ≥500 | - - |
| Sn | ≥ 5 × 1016 | 1 000 | - - | |
| Halbisolierend | Fe | - - | ≥ 1 000 | ≥ 5 × 106 |
| P-Typ | Zn | ≥ 5 × 1015 | ~ 50 | - - |
Die Oberfläche des INP -Wafers sollte frei von Rissen, Zwillingslinien, Orangenschalen, weißem Nebel und Mikroporen sein. Die INP -Kristallsubstrat -Waferverlustdichte sollte den Anforderungen von Tabelle 3 erfüllen. Im Vergleich zum Standardanforderungen sind die tatsächlichen Parameter unseres Wafers höher.
Tabelle 3 Versetzungsdichte des INP -Materials
| Artikel | Dotierstoff | |||||||
| S. | Sn | Fe | Zn | |||||
| Durchmesser/mm | 50.8 | 76.2 | 100 | 50.8 | 50.8 | 76.2 | 100 | 50.8 |
| Versetzungsdichte/cm2 | <1 × 104 | <5 × 104 | <1 × 105 | <5 × 104 | <1 × 105 | <5 × 105 | <1 × 106 | <1 × 104 |
Die Orientierung des INP -Substrats wird vom Käufer und dem Lieferanten bestimmt.
3. Inp -Substratmöglichkeiten in der 5G -Ära
Gegenwärtig haben die 4-Zoll-INP-Single-Kristall-Substrat und die Verarbeitungstechnologie begonnen, die Industrialisierung zu realisieren. Die Wachstums- und Verarbeitungstechnologie von 6 ZollIndiumphosphid -Einkristallsubstratwaferentwickelt sich in Richtung der Massenproduktion. Es wird angenommen, dass in naher Zukunft ein 4-Zoll-Einkristall-INP-Substrat 2-Zoll-Substrat ersetzen und das Hauptmarktprodukt werden wird. INP Crystal Wafer entwickelt sich für High-End-Produkte.
Die hochfrequenten, Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungseigenschaften von 5G haben eine große Verbesserung für die Leistung von Leistungsverstärkern (PA) und haben strengere Anforderungen an die Halbleitermaterialien zur Herstellung von PA-Geräten auferlegt.
Im Vergleich zu Silizium- und Galliumarsenidmaterialien weisen InP-Halbleitermaterialien eine hohe elektrooptische Umwandlungseffizienz, eine hohe Elektronenmobilität, hohe Arbeitstemperatur und starke Strahlungsbeständigkeit auf. Daher wird es im kommerziellen Bereich verwendet. Es verfügt über eine breite Palette von Anwendungen wie Terahertz (THZ), Lasern, Solarzellen, Fotodetektoren und Glasfasernetzwerksystemen, einschließlich der Übertragung von Fasern und Rechenzentren und dem 5G -Mobilfunknetz. Diese sind alles für INP -Substratmaterialien, die enorme Marktaussichten bringen.
Das InP-Halbleiter-Substrat hat eine breite Bandlückenstruktur, und die Geschwindigkeit der Elektronen, die durch INP-Material verläuft, ist schnell, was bedeutet, dass Geräte, die am N-Typ-Typ oder am Semi-Insuselungs-INP-Substrat hergestellt wurden, Signale mit höherer Frequenz oder kürzerer Wellenlänge verstärken können. Beispielsweise können im Satellitenfeld Empfänger und Verstärker aus INP -Chips Frequenzen über 100 GHz erhalten. Darüber hinaus können INP-basierte Solarzellen derzeit eine Umwandlungseffizienz von bis zu 44,7%erreichen.
Daher ist INP -Substratmaterial ein fortschrittlicheres Halbleitermaterial als GaAs und hat offensichtliche Vorteile bei der optischen Faserkommunikation, der Millimeterwelle und der drahtlosen Anwendungen.
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