INP epitaxiale Wafer

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) Bietet heute den höchsten Reinheit ingaaS / INP -Epitaxialwafer in der Branche. Es wurden ausgefeilte Herstellungsprozesse eingerichtet, um hochwertige INP anzupassen und zu produzieren.Indiumphosphid) Epitaxiale Wafern bis zu 4 Zoll mit Wellenlängen von 1,7 bis 2,6 μm, idealerweise für hohe Geschwindigkeit, lange Wellenlängenbildgebung, Hochgeschwindigkeits-HBT- und Hemts, APDs und analoge Digitalwandlerschaltungen geeignet. Anwendungen mit INP-basierten Komponenten können die Übertragungsraten im Vergleich zu ähnlichen Komponenten, die auf GAAs oder siGE-basierten Plattformen strukturiert sind, erheblich überschreiten.

1. INP -Epitaxialwaferspezifikation

Struktur 1: INP Epi-Wafers EOM (Elektrooptischer Modulator) Struktur(PAM180828-EOM）

Struktur 2:

2 ″ Größe InGaAs / INP epitaxiale Wafer, und wir akzeptieren benutzerdefinierte Spezifikationen.
Substrat: (100) INP -Substrat
EPI -Schicht 1: IN0.53GA0.47AS -Schicht, undotiert, Dicke 200 nm
EPI -Schicht 2: IN0.52AL0.48AS -Schicht, undotiert, Dicke 500 nm
EPI -Schicht 3: IN0.53GA0.47AS -Schicht, undotiert, Dicke 1000 nm
Obere Schicht: IN0.52AL0.48AS Schicht, undotiert, Dicke 50 nm

Darüber hinaus kann Pam-Xiamen die folgenden INP-Epiwafer anbieten:

InGaAs/InP-Epi-Wafer für PIN: Der IngaaS-epitaxiale Dünnfilm wird auf dem N-Typ oder dem semi-insidenten INP (100) -Wafer dotiert;

Ingaasp/InGaaS auf INP -Substraten: INP -Epitaxy -Wafer wird mit Ingaasp/IngaaS -Quantum gut zur Herstellung von Fotodioden angebaut;

InGaAs APD-Wafer: Der epitaxiale Wafer von IngaaS -APD wird auf dem Indium -Phosphid -Substrat vom Typ N gezüchtet;

InP/InGaAs/InP-Epi-Wafer: Die EPI -Struktur des INP (100) -Substrats besteht aus 100 nm InGaAs in der ersten Schicht (Ätzstoppschicht) und 50 nm Inp in der zweiten Schicht (Bindungsschicht).

2. Über INP -basierte EPI -Wafer

Indiumphosphid (INP) ist ein wichtiges Halbleitermaterial, mit dem optische Systeme die Leistung für Rechenzentrum, mobile Backhaul-, U-Bahn- und Langstreckenanwendungen bereitstellen können. Laser, Fotodioden und Wellenleiter, die auf INP -epitaxialen Wafern hergestellt wurden, arbeiten im optimalen Getriebefenster von Glasfasern, das eine effiziente Faserkommunikation ermöglicht. Pam-Xiamens proprietary geätzte Facettentechnologie (EFT) ermöglicht eine Waferebene-Tests ähnlich der herkömmlichen Semiconductor-Herstellung. EFT ermöglicht hohe Ertrag, hohe Leistung und zuverlässige Laser. Die auf GaAs und INP für Elektronik und Optoelektronik gezüchtete EPI -Struktur wird im Folgenden eingeführt:

Ingaasp / INP -Materialien, die auf vorbereitet sindIndiumphosphid -Einkristallsubstratewerden in der optischen Faserkommunikation verwendet, und 1,3 ~ 1,6 μm Lichtquellen und Detektoren, die aus Heteroübergangsmaterialien von InGaAs / INP hergestellt wurden, wurden in optoelektronischen Geräten häufig verwendet.

Darüber hinaus kann die heteroübergreifende InGaAs / Inp-Heteroübergänge in Gitter angelegt werden, um eine Fotodetektion im Nahinfrarotband von 0,9-1,7um zu fotografieren. APDs sind eine der wichtigsten Strukturen in Fern- und Hochbit-Rate-Kommunikationssystemen. APD auf GaAs und InP -Epitaxialstruktur hat die Vorteile einer hohen Reaktion und einem niedrigen dunklen Strom. Es wird häufig bei der Erkennung von Photonen verwendet und erhält derzeit große Aufmerksamkeit.

InGaAs / INP-Epiwafer können auch zur Herstellung von Einzelpixel-Photodiodenchips für spektroskopische Erfassungsanwendungen verwendet werden. IngaaS / INP -Pin -Fotodioden haben die Vorteile einer einfachen Produktion, einer hohen Bandbreite, einer hohen Empfindlichkeit und einem geringen Rauschen. Es wird bei der Kurzwellen-Infrarotdetektion weit verbreitet, sodass es dringend erforderlich ist, qualitativ hochwertige InGaAs / INP-epitaxiale Wafer vorzubereiten.

Im Allgemeinen hängt die Leistung von InGaAs -APD- oder PIN -Geräten stark von der heterogenen Grenzfläche von InGaAs / INP und der epitaxialen Qualität des Ingaas -Films ab. Gegenwärtig Solid-State-Quellen (wie als₂oder wie₄) werden verwendet, um Inp-basierte InGaaS-epitaxiale Materialien zu züchten. Aufgrund der verschiedenen Adsorptionskoeffizienten von AS₂und as₄Die Qualität der erwachsenen IngaaS / INP -Schnittstelle ist ebenfalls unterschiedlich. Direkt mit as₂Um die InGAAS / INP -Schnittstelle zu erweitern, kann es wahrscheinlich die Diffusion von Atomen der Gruppe V verursachen.

Daher ist es notwendig, die Wachstumsbedingungen von InGaAs / INP zu optimieren, um eine hohe Kristallqualität und Grenzflächenqualität zu erhalten, um optoelektronische Eigenschaften der INP-Wafer mit hohen Leistungen zu erhalten.

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