Der Indiumantimonid (InSb)-Detektor ist empfindlich für das mittelwellige Infrarotband (MWIR). In Bezug auf die Detektion im mittleren Infrarot im 3-5-um-Band heben sich InSb-Detektoren aufgrund der Vorteile ausgereifter Materialtechnologie, hoher Empfindlichkeit und guter Stabilität von Detektoren auf Basis anderer Materialien ab. Bei niedriger Temperatur,InSb-Materialhat einen hohen Absorptionskoeffizienten für Infrarotlicht (~1014cm-1), eine Quanteneffizienz größer oder gleich 80 % und eine hohe Ladungsträgermobilität (un~105cm2∙V-1∙s-1). Der InSb-IR-Detektor hat sehr herausragende technische Vorteile, und seine Anwendungsbereiche umfassen Präzisionsführung, tragbare Bildgebung, Fahrzeuge, Schiffe, Luftfahrzeuge, Luft- und Raumfahrt usw. Das von PAM-XIAMEN angebotene InSb-Detektorarray beträgt 128 x 128 Pixel und der spektrale Ansprechbereich des Detektors ist 3,7 um~4,8 um. Technische Daten entnehmen Sie bitte der folgenden Tabelle:
1. Technische Parameter des MWIR InSb-Detektors
| Produktname | Hauptspezifikation | |
| MW128×128
(JT) InSb Infrarot-Detektor |
Anzahl der Pixel | 128×128 |
| Pixelpitch | 15 um × 15 um | |
| Pixel-Bedienbarkeit | 99% | |
| Ansprechverhalten Ungleichmäßigkeit | ≤6% | |
| Netto | ≤15mK | |
| FOV | 2 | |
| Abklingzeit | ≤30s | |
| Gewicht | ≤250g | |
2. Prozess von Infrarot-InSb-Detektoren
Mit der kontinuierlichen Entwicklung der Infrarotdetektionstechnologie haben sich lichtempfindliche Chips auf der Basis von InSb-Materialien von Einheitschips zu Chips mit mehreren Elementen, Zeilenanordnungen und Flächenanordnungen entwickelt. Nach dem Flip-Chip-Verbindungsprozess werden der lichtempfindliche Chip und die Signalverarbeitungsschaltung miteinander kombiniert und auf der Brennebene des optischen Systems platziert, das die Kernkomponente der Infrarotsignalerfassung darstellt. Bei der Realisierung der photoelektrischen Umwandlung ist die Leistung des photoempfindlichen Chips einer der Schlüsselfaktoren, die das Nachweisniveau des gekühlten InSb-Detektors bestimmen. Bei der Herstellung des lichtempfindlichen Chips mit Flächenarray sind die Qualität des PN-Übergangs und die effektive Isolation der lichtempfindlichen Pixeleinheiten die Kernschlüssel für die Herstellung des Chips mit Flächenarray. Der Herstellungsprozess des PN-Übergangs ist in einen Diffusionsprozess, einen Ionenimplantationsprozess und einen Epitaxieprozess unterteilt. Für unterschiedliche PN-Übergangs-Herstellungstechniken sind auch die entsprechenden Oberflächen-Array-Struktur-Herstellungstechniken unterschiedlich.
Schematische Darstellung der InSb Focal Plane Detector Technology Route
Das technische Niveau des Infrarot-InSb-Detektors im Mittelwellenbereich wurde kontinuierlich verbessert. Die Größe des Flächenarrays nimmt weiter zu, die Quanteneffizienz des InSb-Detektors verbessert sich weiter, und der Hochtemperaturbetrieb und die dualen Mehrfarbendetektoren sind voll entwickelt.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.