Wir bieten LT-GaAs Wafer für THz, Detektor, ultraschnelle optische Experimente und andere Anwendungen.

1. 2″ LT-GaAs-Wafer-Spezifikation:

Bemerkung: Andere Bedingungen:

1) GaAs-Substrat sollte undotiert/halbisolierend mit (100)-Orientierung sein.
2) Wachstumstemperatur: ~ 200-250 C

2. LT-GaAs-Einführung:

Niedertemperatur-gezüchtetes GaAs ist das am häufigsten verwendete Material zur Herstellung von photoleitfähigen THz-Emittern oder -Detektoren. Seine einzigartigen Eigenschaften sind eine gute Ladungsträgermobilität, ein hoher Dunkelwiderstand und eine Ladungsträgerlebensdauer im Subpikosekundenbereich.

Durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) bei Temperaturen unter 300 °C gezüchtetes GaAs (LT GaAs) weist einen 1%–2% Arsenüberschuss auf, der von der Wachstumstemperatur Tg und dem Arsendruck während der Abscheidung abhängt. Als Ergebnis wird eine hohe Dichte von Arsen-Antisite-Defekten AsGa erzeugt und bildet ein Donor-Miniband nahe der Mitte der Bandlücke. Die Konzentration von AsGa nimmt mit abnehmender Tg zu und kann 1019–1020 cm-3 erreichen, was zu einer Abnahme des spezifischen Widerstands aufgrund der Sprungleitung führt. Die Konzentration der ionisierten Donoren AsGa+, die für den schnellen Elektroneneinfang verantwortlich sind, hängt stark von der Konzentration der Akzeptoren (Gallium-Leerstellen) ab. Die LT-MBE-Wachstums-GaAs-Proben werden dann normalerweise thermisch geglüht: Das überschüssige Arsen fällt in metallische Cluster aus, die von verarmten Bereichen von As/GaAs-Barrieren umgeben sind, die es ermöglichen, den hohen spezifischen Widerstand wiederherzustellen. Die Rolle der Präzipitate bei der schnellen Trägerrekombination ist jedoch noch nicht vollständig geklärt. Kürzlich wurden Versuche unternommen, auch LT GaAs während des MBE-Wachstums mit kompensierenden Akzeptoren, nämlich mit Be, zu dotieren, um die Anzahl von AsGa+ zu erhöhen: die Verkürzung der Einfangzeit wurde für stark dotierte Proben beobachtet.

3. LT-GaAs-Testbericht:

Bitte klicken Sie auf Folgendes, um den LT-GaAs-Bericht anzuzeigen:

https://www.powerwaywafer.com/low-temperature-gaas-2.html

4. THz-Erzeugungsprozess in LT-GaAs

https://www.powerwaywafer.com/THz-Generation-Process-in-LT-GaAs.html

5. Leistung der photoleitenden Terahertz-Antennen:

Bitte klicken Sie auf Folgendes, um diesen Artikel anzuzeigen:

https://www.powerwaywafer.com/performance-of-terahertz-photoconductive-antennas.html

6. Zeitbereichsspektren von THz

Unten sehen Sie Zeitbereichsspektren von THz, die aus unserem LT-GaAs-Wafer hergestellt wurden

Zeitbereichsspektren von THz 

 7. Zeitaufgelöstes Spektrum von LT-GaAs-Wafern

Zeitaufgelöstes Spektrum von LT-GaAs-Wafern

8. FAQ of LT-GaAs Wafer

F1: Can LT-GaAs substrate be passivated? Does washing the surface with ultrasonics have any effect on that layer of low temperature GaAs?

A: The LT-GaAs substrate can do passivation treatment. It is no problem that wash the surface of LT-GaAs with low-power ultrasonic waves.

F2: I do photolithography to deposit insulating layer, such as SiO2 100 nm, and metal electrode of Cr 10 nm/ Au 100 nm on LT-GaAs wafer. After the fabrication, I inject a pulsed laser to generate a pulsed charge current. This light-to-charge conversion is done at ambient air at room temperature. The device looks good initially, but after several usage the Au electrode part looks bumpy. (I checked it with a microscope.) I guess the bumpy shape is because water molecules that were unintentionally present in between GaAs and SiO2 or between SiO2 and Cr/Au evaporate by the laser-induced heating. Do have any idea to avoid this issue?

A: We haven’t met this situation before, you can bake the LT GaAs substrate before plating metal, but the temperature should be not too high, below 300 degrees. In addition, you need to rinse the film with dilute acid before making the metal process.

Q3: For low-temperature grown GaAs, we need to work under the scanning tunneling microscope, but the resistivity is too large to tunnel. So, is it possible to reduce the resistivity preferably to below 1M ohm/mm of the epitaxial layer (along the surface direction) by doping? There are no requirements for the elements to be doped and the method of doping.

A: The electrical resistivity of LT-GaAs epi thin film would be able to drop below 1M ohm/mm. Specific technology inquiries please contact victorchan@powerwaywafer.com.

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Quelle: PAM-XIAMEN

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