Lt-ingaas auf iNP *s

Niedrigtemperaturgewachsene (LTG) GaAs, Ingaas und Inalas sind aufgrund ihrer einzigartigen elektronischen und optischen Eigenschaften zu einem Hotspot geworden. Diese Art von Material weist nach hohem Temperatur-Tempern einen hohen Widerstand, ein hohes Elektrofeld und eine ultra-kurze Lebensdauer von Nicht-Gleichgewichtsträgern auf, wobei die Mobilität einer hohen Elektronen aufrechterhalten wird, wodurch sie potenzielle Anwendungen in den Feldern fotografischer Antennen, Terahertz-Strahlungsquellen und Hochgeschwindigkeitsfotodetektoren aufweist. Unter ihnen ist das Schmalband-LT-INGAAs beim INP-Wachstum eine ideale Wahl für die Anregungsquelle für photokondektrische Antennen aufgrund seiner Kompatibilität mit 1,56 μm Infrarotfaserlasern. PAM-XIENEN kann maßgeschneiderte Wachstumsdienstleistungen für LT INGAAS/INALAS-Superlattices oder LT-INGAAS auf INP erbringen. Die spezifische Struktur kann sich auf die folgende Tabelle beziehen:

1. Arsenidverbindungsfilm, der auf dem INP -Substrat unter niedriger Temperatur gezüchtet wurde

1） lt-Ingaas auf INP-Film

2） lt-Ingaas/Inalas Superlattice auf INP

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2. Elektrische Eigenschaften von LT-INGAAs auf INP, die von MBE gezüchtet wurden

Die Forscher verwendeten Temperature MOBE-Technologie (Molecular Beam Epitaxy)₂) als Arsenquelle und systematisch untersuchten ihre elektrischen Eigenschaften und ihr ultraschnelles Photoresponse -Verhalten. Die Studie ergab die Regulierung der Gitterkonstante, der Trägerkonzentration, der Mobilität und der Trägerlebensdauer des Materials durch Einstellung der Wachstumstemperatur und der Beryllium (BE) -Dopingkonzentration.

Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass die Umgebung mit niedriger Temperatur die Anzahl der Arsen-Anti-Standort-Defekte signifikant erhöht, was dazu führt, dass das Material mit N-Typ-Leitfähigkeitseigenschaften aufweist und die Lebensdauer der Träger signifikant verkürzt. Im Vergleich zu traditioneller als₄Quellen, as₂Quellen können bei höheren Wachstumstemperaturen und niedrigeren V/III-Verhältnissen die Wachstumseigenschaften mit niedrigen Temperaturen aufrechterhalten und Ideen zur Optimierung von Prozessparametern bieten. Darüber hinaus kann durch Einführung der Doping die Trägerkonzentration von LT -IngaAs effektiv kontrolliert und die Lebensdauer der Träger weiter komprimiert werden. Wenn die Dopingkonzentration 1 * 10 beträgt¹⁹cm^-3Die Lebensdauer von LTG-INGAAS wird auf 1,86 PS verkürzt, wodurch sie für die Anwendung in ultraschnellen optoelektronischen Geräten besser geeignet ist.

3.Optimierung von Ingaas Terahertz -Geräten mit Substratorientierung und Inalas InsertLayer

Wissenschaftler haben die Merkmale der Terahertz -Wellenerzeugung von spiralförmigen photokondierten Antennen auf der Grundlage von LT -Ingaas -Dünnfilmen und LT -Ingaas/Inalas -Superlattices untersucht. Die strukturellen Leistungsunterschiede zwischen (100), (111) einem orientierten GaAs und (111) A INP-Substraten wurden systematisch unter Verwendung der Terahertz-Zeit-Domänen-Spektroskopie-Technologie verglichen. Untersuchungen haben ergeben, dass die Terahertz -Strahlungsleistung von LT -InGaAs -Proben, die auf (111) ein orientiertes Substraten gezüchtet wurden, nahezu viermal höher ist Dieser Durchbruch wird auf den regulatorischen Effekt der Substratorientierung auf Defektstrukturen zurückgeführt. Eine weitere Analyse zeigt, dass die Einführung der LT-Inalas-Schicht in INP (111) ein Substrat die Herstellung von photokondekten Antennen mit hoher dunkler Resistenz durch Einführung von tiefen Defektzuständen erreichen kann, die Konzentration der Restträger reduziert und den Strukturwiderstand erhöht, auch ohne auf den Dotierungsprozess zu stützen. Die Eigenschaften von LT-INGAAs/GaAs und LT-INGAAS/INALAS/INP-Strukturen wurden durch Pumpensondenmessungen und Hall-Effekt-Messungen charakterisiert. Die Ergebnisse zeigen, dass die Probe auf dem (111) ein Substrat eine höhere Konzentration an Anti -Strukturdefekten aufweist, was zu einer kürzeren Trägererfassungszeit (siehe Abb. 1) und einer Erhöhung der Terahertz -Strahlungsleistung führt.

Abb. 1 Trägerrelaxationszeit von LT-INGAAS auf Substraten mit unterschiedlichen Orientierungen

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