P-Typ 4H-SIC-Substrat-Basis-Epiwafer
Die Elektronenmobilität von 4H -sic -Kristallen (ca. 950 cm2/(V · s) bei Raumtemperatur) hat einen signifikanten Vorteil gegenüber der Lochmobilität (ca. 120 cm2/(V · s)). Dieser Unterschied in den Transporteigenschaften des Trägertransports macht N-Kanal-isolierte Gate Bipolar Transistor (IGBT) -Geräte (Bipolartransistor) im Hinblick auf die Schaltgeschwindigkeit im Allgemeinen den P-Kanalstrukturen überlegen. Derzeit wurde im P-Typ-Doping-Prozess ein Durchbruch auf der Grundlage der Flüssigphasenmethode erzielt, wodurch die SIC-Substrate vom P-Typ mit geringer Versetzungsdichte erfolgreich vorbereitet wurden. Hohe SIC-Substrate vom P-Typ mit hoher Qualität und niedriger Resistenz werden den Entwicklungsprozess von Hochleistungs-SIC-IGBT erheblich beschleunigen und hochwertige Ultrahoch-Spannungsleistungsgeräte erreichen. PAM-XIENEN kann bereitstellenP-Typ 4H-SIC-Substratbasierte epitaxiale Dienste mit den folgenden technischen Parametern:
1. Parameter des epitaxialen Wachstums am 4H-SIC-Substrat vom P-Typ
| Artikel | Epiwafer auf P-Typ 4H-SIC-Substrat | ||
| Substrat | |||
| Größe | 4 Zoll | 6 Zoll | |
| Leitfähigkeit | P-Typ | ||
| Orientierung | 4 ° Off-Achse （0001） | ||
| Widerstand | ≤ 0,3 Ω.CM | ||
| Primäre flache Ausrichtung | {10-10} ± 5,0 ° | ||
| Primäre flache Länge | 32,5 mm ± 2 mm | 47,5 mm ± 2 mm | |
| Oberfläche fertig | DSP | ||
| Epi-Schicht | |||
| Leitfähigkeit | N, p Typ | ||
| Oberflächenrauheit | ≤ 2nm | ||
| Dicke | Angebot | 5 ~ 100um | |
| Toleranz | ± 10% | ||
| Gleichmäßigkeit | ≤4% | ||
| Trägerkonzentration | Angebot | 1e15 ~ 5e16cm-3 | |
| Toleranz | ± 15% | ||
| Gleichmäßigkeit | ≤10% | ||
Epitaxiale Wafer, die auf P-Typ-4H-SIC-Substraten angebaut wurden, haben umfassende Anwendungsaussichten in Geräten wie N-Kanal-IGBTs, verschiedene Hochspannung/Ultrahoch-Spannungsdioden, SIC-basierte Fotodetektoren usw.
2. Why Grow P-Type 4H-SiC Substrate Based Epiwafer?
In SiC power switching devices with a blocking voltage exceeding 10 kV, bipolar devices (such as IGBT and BJT) can achieve extremely low on resistance due to conductivity modulation effects (such as n-IGBT, which has significantly better on resistance than p-IGBT), making it an ideal choice for high-voltage and high-power scenarios. However, the performance optimization of n-IGBT highly relies on low resistivity p-type substrates to reduce the overall voltage drop and losses of the device. The successful fabrication of p-type SiC substrates provides a key material foundation for the high-voltage and high-density integration of SiC based bipolar devices. The use of low resistivity p-type SiC can directly serve as a substrate, avoiding interface defects and carrier scattering between the epitaxial layer and the substrate, and improving device reliability; By combining p-type 4H-SiC substrate based epiwafer technology, the optimization design of vertical n-IGBT can be achieved, promoting the practical application of ultra-high voltage devices above 15kV; In addition, low resistivity p-type materials can enhance the conductivity modulation effect of bipolar devices, reduce conduction losses, and help upgrade the energy efficiency of high-power systems such as new energy grids and rail transit.
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