1550-nm-PIN-Fotodiodenstruktur

1550-nm-PIN-Fotodiodenstruktur

Epitaktische InGaAsP/InP-Fotodiodenwafer werden für die Herstellung von optoelektronischen Geräten auf InP-Basis angeboten. Für solche Vorrichtungen wird gewöhnlich quaternäres InGaAsP-Material aufgewachsenInP-Substratals ohmsche Kontaktschichten. Quaternäre InGaAsP-Dünnfilmepitaxie auf InP ist empfindlich gegenüber InP-Lumineszenz. Die InGaAsP / InP-PIN-Fotodiodenstruktur kann die Geräte mit geringem Leckstrom herstellen. Die Details der GaInAsP / InP-Heterojunction-Fotodiodenstruktur von PAM-XIAMEN sind wie folgt:

Wafer mit PIN-Fotodiodenstruktur

1. InGaAsP-Fotodiodenstruktur

1550-nm-Epi-Struktur einer Fotodiode basierend auf GaInAsP / InP für PIN (PAM211119-1550PIN)
Schicht Material Dicke (nm) Dotierstoff Dotierungskonzentration (cm-3) Typ
4 GaxIn1-xAlsyP1-ja Si N
3 InP Si N
2 GaxIn1-xAls undotierte N
1 InP 0.5-1 Si N
  N+ InP-Substrat        

 

Bemerkungen:

1) Gitteranpassungsverbindungen von InGaAsP ermöglichen den Aufbau von Absorber- und transparenten Schichten;

2) Die InGaAsP / InP-Eigenschaften umfassen eine Bandlückenvariation zwischen 1,65 μm und 0,92 μm, abhängig von der InGaAsP-Zusammensetzung und der Absorptionskonstante von In0.53Ga0.47Bei 1,55 μm etwa 7.000 cm-1.

2. Bestimmung des Brechungsindex der InGaAsP/InP-Struktur-Epitaxieschicht

Für Bauelemente, die auf einer quaternären InGaAsP/InP-Avalanche-Photodiodenstruktur hergestellt sind, werden die Parameter der Epitaxieschicht nicht nur durch das Verhältnis jeder Komponente vor der Epitaxie bestimmt, sondern stehen auch in engem Zusammenhang mit dem Epitaxieprozess. Daher ist es notwendig, sicherzustellen, dass die Vorrichtung die vorbestimmten Designanforderungen des Prozesses erfüllt und die Konsistenz des Prozesses zu verbessern, und es ist auch notwendig, die Parameter der Epitaxieschicht für einen bestimmten Zeitraum abzutasten.

Die direkte Bestimmung des Brechungsindex der Epitaxieschicht der InGaAsP / InP-Heterostruktur-PIN-Photodiode besteht darin, den Ar+-Laser durch das geätzte Gitter auf der Epitaxieschicht in die Epitaxieschicht einzukoppeln und die vom Ar+-Fluorid emittierte Fluoreszenz dann auszukoppeln durch das Gitter. Der Hauptnachteil des Verfahrens, dass der Brechungsindex und die Dicke der Epitaxieschicht durch Berechnung erhalten werden können, besteht darin, dass ein geätztes Gitter auf der Epitaxieschicht hergestellt werden muss und die Berechnung unter der Annahme erfolgt, dass die Tiefe der Gitterrille beträgt 0,1 μm im Voraus, so dass die erhaltene Brechungsindexgenauigkeit der InGaAs/InGaAsP/InP-Struktur gering ist, nur etwa ±0,01.

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