Zum Verkauf stehen Photolithographie-Chrommasken. Je nach den verschiedenen Substratmaterialien kann es in Quarzmaske, Sodamaske und andere (einschließlich Reliefplatte, Film) usw. unterteilt werden. Darunter die Fotomaske auf Quarzsubstrat und Natronkalk werden häufig Lithographiemasken in Universitäten und Forschungsinstituten verwendet. Mehr zu den Spezifikationen von PAM-XIAMEN finden Sie wie folgt:
No.1 Chrome Mask Blank PAM191218-MASKS
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Spezifikationen des Maskensubstrats |
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| Material | Natronkalk |
| Dimension | 3″x3″ |
| Dicke | 0,060” ±0,004” |
| Ebenheit | 15u |
| Mängel | Keiner |
| Spezifikationen für die Chrommetallisierung | |
| Chromschichtdicke | 1100A±10% |
| Optische Dichte @ 530 nm | 2,8±0,2 |
| Grad der Maskenplatte | |
| Stiftloch | > 5 um keine, 1-5 u 0,3/Quadratzoll |
| Resist-Spezifikationen | |
| Widerstehen | AZ1500 |
| Resiststärke | 5300A±150A |
| Mängel | Keiner |
Markierung:
Chrome Mask Platten sind mit Fotolack beschichtet. Diese Maskenplatten werden verwendet, um Muster mit minimalen Merkmalen bis hinunter zu 0,5 Mikrometer unter Verwendung von LASER-Lithographie und somit Nass-/Trockenätzen herzustellen.
Nr.2 Photolithographiemaske PAM190702-MASKL
| Material | 5 Zoll Lithografiemaske |
| Bedarf | Fotomaske für Stepper (Modell: 5009)
Modell der Lithografiemaschine: ASML PA5000/50 Maßstab: 5:1 |
| Anforderungen an den grafischen Qualitätsindex | |
| Grafikgenauigkeit | 100% |
| CD | 2um |
| CD-Toleranz | ＜0.5um |
| Fehlerdichte | ≤1 Stück |
| Gravurtoleranz | ＜0.5um |
Nr. 3 Photolithographie-Maske mit Chrommuster PAM190621-MASKL
Nr. 3-1 Design und Druck von Photolithographie-Masken 4”
Maskengröße: 4" x 4" Quadrat
Maskenmaterial: Quarz
Mustermaterial: Chrom
Der Service umfasst Musterdesign für den Herstellungsprozess von Hochelektronenmobilitätstransistoren (HEMT) (6 Muster) und Transmission Line Measurement (TLM) für die spezifische Kontaktwiderstandsanalyse (2 Muster)
4 Musterdesigns auf 1 Maske (jeweils 1/4 Fläche der Maske) – insgesamt 8 Designs
Nr. 3-2 Design und Druck von Photolithographie-Masken 5”
Maskengröße: 5" x 5" Quadrat
Maskenmaterial: Quarz
Mustermaterial: Chrom
Service inklusive Musterdesign für gemustertes Saphirsubstrat (PSS)
4 Musterdesigns auf 1 Maske (jeweils 1/4 Fläche der Maske)
Bitte beachten Sie: Die technischen Parameter der oben genannten 2 Artikel erfüllen die folgenden Anforderungen:
| Maskengrößen (mm) | Mindestnaht- und Linienbreite | Nahtgenauigkeit | Marke |
| 101,6*101,6*2,3 | 3um≤W≤5um | ±0,3 um | Quarzmaterial |
| 127,0*127,0*2,3 | 3um≤W≤5um | ±0,3 um | Quarzmaterial |
| 101,6*101,6*3,0 | 3um≤W≤5um | ±0,3 um | Quarzmaterial |
| 127,0*127,0*3,0 | 3um≤W≤5um | ±0,3 um | Quarzmaterial |
Nr. 4-Phasen-Maske PAM190717-MASKQ
Steigung: 1095,8 nm
Größe: 25 mm x 3 mm
Beleuchtungswellenlänge 248nm
Substratgröße: 35 * 17,2 mm
Dicke der Phasenmaske: 1/4 Zoll (6,35 mm)
Nr. 5 Uniform-Phase-Maske PAM190821-MASKJ
Einheitliche Phasenmaske für 1575 nm Bragg-Gitter
Gitterperiode: 1088 nm
Genauigkeit und Einheitlichkeit der Gitterperiode: +/- 0,01 nm
Gittergröße: 10 mm x 10 mm
Substratgröße: 30 mm x 25 mm
Optimiert für 248 nm unpolarisierte Beleuchtung
0. Ordnung: < 3%
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.