Was ist PL (Photolumineszenz)?

Was ist PL (Photolumineszenz)?

PAM-XIAMEN kann Halbleiterwafer liefern, weitere Waferspezifikationen entnehmen Sie bittehttps://www.powerwaywafer.com/products.html.Bei Bedarf bieten wir für die Halbleiterwafer PL (Photolumineszenz) Spektroskopie an.

1. Was ist PL?

Über PL bezieht es sich auf das Selbstemissionslicht, das von einem Material erzeugt wird, nachdem es durch Licht angeregt wurde. Wenn eine Substanz Photonen absorbiert und Photonen wieder abstrahlt, tritt Photolumineszenz auf. In der Quantenmechanik kann dieser Prozess als Übergang von Substanzen in einen angeregten Zustand nach der Absorption von Photonen und dann von einem angeregten Zustand höherer Energie in einen Zustand niedrigerer Energie beschrieben werden. Beim Rückstellvorgang werden gleichzeitig Photonen freigesetzt.

Prinzip der Photolumineszenz

Prinzip der Photolumineszenz

Allgemein kann Photolumineszenz in Fluoreszenz und Phosphoreszenz unterteilt werden, die Verzögerungszeit der beiden ist unterschiedlich. Fluoreszenz bezeichnet den Übergang vom angeregten Singulettzustand zum Grundstrahlungsübergang. Die Fluoreszenzlebensdauer ist relativ kurz, etwa in der Größenordnung von ps bis ns. Phosphoreszenz ist der Übergang vom angeregten Triplettzustand in den Grundzustand. Widerstände bei diesem Vorgang sind generell verboten und haben eine lange Lebensdauer, die zwischen uns und ms liegt, und sind bei Raumtemperatur und Luft mit bloßem Auge nicht sichtbar.

2. Wofür kann Photolumineszenz verwendet werden?

PL ist eine effektive Methode zur Erkennung diskreter Energieniveaus, und Photolumineszenz kann auch effektive Informationen über die Halbleitermaterialien extrahieren.

1) Zusammensetzungsbestimmung von Halbleiterwafern, Quantentopfdicke und Quantenpunkt-Monodispersitätsmessung. Nehmen wir zum Beispiel die Zusammensetzungsbestimmung:

GaAs1-xP, ist ein Mischkristall aus GaAs mit direkter Bandlücke und GaP mit indirekter Bandlücke, und seine Bandlücke variiert mit dem Wert von x. Die Spitzenwellenlänge der Lumineszenz hängt von der Bandlücke ab, die mit dem Wert von x zusammenhängt. Daher kann der Komponentenprozentsatz x-Wert aus der Spitze-zu-Spitze-Wellenlänge der Lumineszenz bestimmt werden;

2) Identifizierung von Verunreinigungen: Spuren von Verunreinigungen in GaAs und GaP können basierend auf der Position charakteristischer Emissionslinien identifiziert werden;

3) Konzentrationsbestimmung von oberflächlichen Verunreinigungen in Silizium;

4) Vergleich der Strahlungseffizienz:

Lichtemittierende Halbleiter- und Laservorrichtungen erfordern Materialien mit guten Lichtemissionseigenschaften, und die Lichtemissionsmessung spiegelt direkt die Lichtemissionseigenschaften von Materialien wider. Durch Messen des Photolumineszenzspektrums kann nicht nur die Intensität jeder Photolumineszenzbandlücke, sondern auch die integrierte Strahlungsintensität erhalten werden. Unter gleichen Messbedingungen kann die relative Strahlungseffizienz zwischen verschiedenen Proben erhalten werden;

5) Bestimmung des Kompensationsgrades von GaAs-Material:

Vergütungsgrad NA/ ND(ND, NADonator- bzw. Akzeptor-Verunreinigungskonzentrationen sind) ist ein wichtiger charakteristischer Parameter zur Charakterisierung der Reinheit von Materialien;

6) Bestimmung der Minoritätsträgerlebensdauer;

7) Untersuchung der Gleichmäßigkeit bei Halbleiterwafern:

Das Messverfahren besteht darin, die Probe mit einer Lasermikrosonde zu scannen und das ungleichmäßige Bild der Probe entsprechend der Intensitätsänderung einer bestimmten charakteristischen Lumineszenzbande der Probe direkt anzuzeigen;

8) Erforschung von Waferdefekten wie Versetzungen.

Powerwaywafer

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

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