Produkt-Tag – Freistehendes GaN-Substrat

  • Freistehendes GaN-Substrat

    PAM-XIAMEN hat die Fertigungstechnologie für freistehende (Galliumnitrid)GaN-Substratwafer für UHB-LED und LD etabliert. Unser GaN-Substrat ist mit der Hydrid-Vapor-Phase-Epitaxie-Technologie (HVPE) gewachsen und weist eine geringe Defektdichte auf.