Markt für SiC-Wafer

Markt für SiC-Wafer

Silicon-based devices are approaching physical limits, and compound semiconductors have broad prospects. Meanwhile, in some high-power, high-voltage, high-frequency, and high-temperature applications (such as new energy and 5G communications), the performance of silicon-based devices has gradually failed to meet the requirements. Due to the excellent performance of compound semiconductors represented by SiC wafer, the compound semiconductors are gradually being used for large-scale commercial use in the fields of communication radio frequency, optical communication, and power electronics. PAM-XIAMEN can offer SiC substrate. For SiC wafer market forecast, please refer to the diagram of SiC wafer demand in global market:

sic需求量

Abb. 1 Nachfrage nach SiC-Wafern 2017-2025 (zehntausend Stück)

Aus Abbildung 2 ist ersichtlich, dass SiC-Materialien in Zukunft eine wichtige Grundlage für SiC- und GaN-Bauelemente im Bereich der neuen Energien und der 5G-Kommunikation sein werden.

Produktionslinie für SiC-Wafer

Abb. 2 Produktionslinie für SiC-Wafer

1. SiC-Wafermarkt in der 5G-Kommunikation

Für die 5G-Kommunikation wird GaN-on-SiC hauptsächlich im Hochfrequenzbereich verwendet, hauptsächlich aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit und des geringen HF-Verlusts des SiC-Substrats, das für Makro-Basisstationen mit hoher Leistung geeignet ist. Laut Yole wird erwartet, dass der Markt für GaN-Hochfrequenzgeräte in der Kommunikationsinfrastruktur im Jahr 2025 731 Millionen US-Dollar erreichen wird und die durchschnittliche Wachstumsrate von 2019 bis 2025 14,88 % erreichen wird. Die Gesamtmarktgröße wird 2025 2 Milliarden US-Dollar erreichen, und die durchschnittliche Wachstumsrate von 2019 bis 2025 wird 12 % erreichen. Daher steigt die Marktnachfrage für SiC-Wafer weiter an. Mehr zum globalen SiC-Wafermarkt speziell aus Sicht der neuen Energie:

2. Neue Energie treibt die Marktentwicklung für Siliziumkarbidwafer voran

2.1 SiC-Leistungsbauelemente für Fahrzeuge mit neuer Energie

Der Marktanteil von SiC-Wafern im Bereich der neuen Energien wird wachsen. Wir können aus Abbildung 3 ersehen, dass das neue Energiefahrzeug schnell wächst, was die rasche Expansion der Marktnachfrage für Leistungshalbleiter vorantreibt, und Leistungsgeräte aus 4H-Siliziumkarbidsubstrat können große Chancen bieten.

Zukünftige Wachstumsrate von New Energy Vehicles

Abb. 3-1 Zukünftige Wachstumsrate von New Energy Vehicles

Komponenten für Elektrofahrzeuganwendungen

Abb.3-2 Komponenten für Elektrofahrzeuganwendungen

Unter den Bedingungen des gleichen Leistungsniveaus kann die Verwendung von Geräten auf einkristallinem SiC-Substrat das Volumen von elektrischen Antrieben und elektronischen Steuerungen reduzieren, um die Anforderungen einer höheren Leistungsdichte und eines kompakteren Designs zu erfüllen, was eine längere Reichweite von Elektrofahrzeugen ermöglicht .

2.2 Photovoltaik-Erzeugung basierend auf einem SiC-Leistungsgerät

In Zukunft wird die photovoltaische Stromerzeugung die Hauptrichtung der globalen Entwicklung neuer Energien sein, und die neu installierte Kapazität wird weiter zunehmen. Wechselrichter sind ein unverzichtbarer Bestandteil der Photovoltaik und einer der Schlüssel zur effektiven und schnellen Durchdringung der photovoltaischen Stromerzeugung. Photovoltaik-Wechselrichter mit SiC-MOSFETs oder Leistungsmodulen in Kombination mit SiC-MOSFETs und SiC-SBD können den Umwandlungswirkungsgrad von 96 % auf über 99 % erhöhen, was zu einer Energieverlustreduzierung von über 50 % führt.

Prognose der Förderung von SiC-Bauelementen in Photovoltaik-Bauelementen

Abb. 4 Prognose der Förderung von SiC-Bauelementen in Photovoltaik-Bauelementen

Insgesamt können leistungselektronische Bauelemente aus Verbindungshalbleitern mit der Miniaturisierung von Geräten und den Anforderungen zur Effizienzsteigerung Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Vollsteuerfelder abdecken. Infolgedessen entspricht das Aufkommen von Siliziumkarbidsubstraten dem Trend zur zukünftigen Verbesserung der Energieeffizienz. In Zukunft wird der Markt für Siliziumkarbid-Wafer in den Bereichen PFC-Stromversorgung, Photovoltaik, reine Elektro- und Hybridfahrzeuge, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Motorantriebe, Windkrafterzeugung und Schienenverkehr weiter wachsen. Daher sind SiC-Wafer-Marktanbieter, einschließlichPAM-XIAMEN, sollten die Investitionen in die Produktionskapazität erhöhen, um die zukünftige Nachfrage zu decken.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter [email protected] und [email protected].

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