PAM-XIAMENbietet SiC (Siliziumkarbid) Boule-Kristall mit den verfügbaren Größen 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und zwei verfügbaren Längen: 5 bis 10 mm oder 10 bis 15 mm. Eine feste Größe ist praktikabel, z. B. 10 mm. Bitte beachten Sie die nachstehenden Spezifikationen für die Größen 4 Zoll und 6 Zoll:

1. Spezifikationen des SiC-Boule-Kristalls

Nr. 1: 4″ SiC-Boule-Kristall, Produktionsqualität
Polytyp: Produktion – 4H
Durchmesser: Produktion-100,0 mm+/-0,2 mm
Trägertyp: Production-N-Typ
Spezifischer Widerstand: Produktion – 0,015–0,028 Ohm-cm
Ausrichtung: Produktion–4,0˚±0,5˚
Primäre flache Ausrichtung: Produktion {10-10}±5,0˚
Primärflachlänge: Produktion 32,5 mm ± 2,5 mm
Sekundäre flache Ausrichtung (5 %): Produktions-Si-Fläche 90° gegen den Uhrzeigersinn von der Orientierungsebene/C-Fläche 90° gegen den Uhrzeigersinn von der Orientierungsebene
Sekundäre flache Länge: Produktion – 18,0 mm ± 2,0 mm.
Risse durch hochintensives Licht: Produktion – jeweils ≤1 mm mit radialer Tiefe
Sechskantplatten durch hochintensives Licht: Produktion <5 % (kumulierte Fläche <5 %)
Mikrorohrdichte: Produktion - <5 /сm2
Option 1: Dicke: 10–15 mm
Option 2: Dicke: 5–10 mm

Nr. 2: 4″ SiC-Boule-Kristall, Dummy-Qualität
Polytyp: Dummy-4H
Durchmesser: -100,0 mm+/-0,2 mm
Trägertyp: N-Typ
Spezifischer Widerstand: -0,015~0,028 Ohm-cm
Ausrichtung: -4,0˚±0,5˚
Primäre flache Ausrichtung:{10-10}±5,0˚
Primäre flache Länge: 32,5 mm ± 2,5 mm
Sekundäre flache Ausrichtung (5 %): Si-Fläche 90° gegen den Uhrzeigersinn von der Orientierungsebene/C-Fläche 90° gegen den Uhrzeigersinn von der Orientierungsebene
Sekundäre flache Länge: -18,0 mm ± 2,0 mm.
Risse durch hochintensives Licht: - 3 mm ≤4 mm in radialer Tiefe
Sechskantplatten durch hochintensives Licht: <10 % (kumulierte Fläche <10 %)
Mikrorohrdichte:<5 0/сm2
Option 1: Dicke: 10–15 mm
Option 2: Dicke: 5–10 mm

Nr. 3: 6″ SiC-Boule-Kristall, Produktionsqualität
Polytyp: Produktion – 4H
Durchmesser: Produktion: 150,0 mm +/- 0,2 mm
Trägertyp: Production-N-Typ
Spezifischer Widerstand: Produktion – 0,015–0,028 Ohm-cm
Ausrichtung: Produktion–4,0˚±0,5˚
Primäre flache Ausrichtung: Produktion {10-10}±5,0˚
Primäre flache Länge: Produktion 47,5 mm ± 2,5 mm
Sekundäre flache Ausrichtung: N/A
Sekundäre flache Länge: N/A
Risse durch hochintensives Licht: Produktion – jeweils ≤1 mm mit radialer Tiefe
Sechskantplatten durch hochintensives Licht: Produktion <5 % (kumulierte Fläche <5 %)
Mikrorohrdichte: Produktion - <5 /сm2
Option 1: Dicke: 10–15 mm
Option 2: Dicke: 5–10 mm

Nr. 4: 6″ SiC-Boule-Kristall, Dummy-Qualität
Polytypie: Dummy – 4H
Durchmesser: 150,0 mm+/-0,2 mm
Trägertyp: N-Typ
Spezifischer Widerstand: 0,015~0,028 Ohm-cm
Ausrichtung: 4,0˚±0,5˚
Primäre flache Ausrichtung: {10-10}±5,0˚
Primäre flache Länge: 47,5 mm ± 2,5 mm
Sekundäre flache Ausrichtung: N/A
Sekundäre flache Länge: N/A
Risse durch hochintensives Licht: 3 mm
≤4 mm in radialer Tiefe
Sechskantplatten durch hochintensives Licht: <10 % (kumulierte Fläche <10 %)
Mikrorohrdichte: -<50 /сm2
Option 1: Dicke: 10–15 mm
Option 2: Dicke: 5–10 mm

SiC (Siliciumcarbid) Boule-Kristall

2. Warum muss ein SiC-Barren bei hoher Temperatur geglüht werden?

Durch PVT-Sublimation hergestellte SiC-Kristalle weisen normalerweise Defekte wie Versetzungen, Mikrokanäle, Stapelfehler, Einschlüsse mehrerer Arten und Einschlüsse auf. Und diese Defekte, wie z. B. die Verzerrung zwischen der obigen Defektstruktur und dem umgebenden normalen Gitterpunkt, erzeugen ein Spannungsfeld um sie herum. Das ungleichmäßige Wachstum des SiC-Kristalls führt ebenfalls zu Spannungen. Das Vorhandensein von Spannungen kann bei der späteren Verarbeitung (z. B. Abrunden, Oberflächenschleifen, Mehrdrahtschneiden usw.) leicht zu Rissen führen, was die Ausbeute an SiC-Wafern erheblich verringert.

Um die Qualität des SiC-Kristalls zu verbessern und strukturelle Defekte und thermische Spannungen zu reduzieren, muss der SiC-Kristall bei hoher Temperatur getempert werden. Dieser Vorgang kann grundsätzlich in drei Prozesse unterteilt werden: Erhitzen – Wärmeerhaltung – Abkühlen, die viele Male wiederholt werden können. Aufgrund der hohen Temperaturbeständigkeit des SiC-Kristalls ist die Glühtemperatur des SiC-Wafers relativ hoch, im Allgemeinen etwa 1800 °C, um die thermische Belastung zu minimieren.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com