P- oder N-Siliziumkristall mit einer Ausrichtung von (100), (110) oder (111)

P- oder N-Siliziumkristall mit einer Ausrichtung von (100), (110) oder (111)

PAM-XIAMEN bietet Silizium-Boule zum Verkauf an, ein Rohstoff für die Herstellung von Halbleiter-Silizium-Bauelementen, die Hochleistungsgleichrichter, Hochleistungstransistoren, Dioden, Schaltgeräte usw. herstellen. Der monokristalline Siliziumkristall mit einer im Wesentlichen vollständigen Gitterstruktur hat eine Bandlücke von 1,11 eV. Einkristallines Silizium mit unterschiedlichen Richtungen hat unterschiedliche Eigenschaften und ist ein gutes halbleitendes Material. Die Reinheit muss 99,9999% erreichen, sogar mehr als 99,9999999%. Verfahren zum Siliziumkristallwachstum werden in das Czochralski-Verfahren (CZ), das Zonenschmelzverfahren (FZ) und das Epitaxieverfahren unterteilt. Das Czochralski-Verfahren und das Zonenschmelzverfahren lassen monokristalline Siliziumstäbe wachsen, und das epitaktische Verfahren wächst monokristalline Silizium-Dünnschichten. Am häufigsten wird die CZ-Methode verwendet. Im Folgenden finden Sie eine Verkaufsliste von Einkristall-Silizium-Ingots als Referenz:

Siliziumkristall

1. Si-Kristallliste

Barrennummer Barrendurchmesser Typ, Ausrichtung Barrenlänge (mm) Der spezifische Widerstand Lebensdauer Menge
PAM-XIAMEN-INGOT-01 104 N(100) 73 167000 1700 1
PAM-XIAMEN-INGOT-02 103 N(100) 123 >20000 1690 1
PAM-XIAMEN-INGOT-09 103.8 N111 170 14000 1
PAM-XIAMEN-INGOT-60 103.3 N111 90 15000 1
PAM-XIAMEN-INGOT-61 103 N111 80 18700 1
PAM-XIAMEN-INGOT-62 105 N100 165 810 1
PAM-XIAMEN-INGOT-63 MC200 P110 253 0.355 2,82% 1
PAM-XIAMEN-INGOT-64 MC200 P110 255 0.363 3,03% 1
PAM-XIAMEN-INGOT-65 MC200 P110 215 0.355 3,66% 1
PAM-XIAMEN-INGOT-66 MC200 P110 271 0.289 2,48% 1
PAM-XIAMEN-INGOT-67 MC200 P110 243 0.313 3,51% 1
PAM-XIAMEN-INGOT-95 79 N100 102 13000 1
PAM-XIAMEN-INGOT-100 8 " 300mm 1
PAM-XIAMEN-INGOT-101 8 " 530mm 1
PAM-XIAMEN-INGOT-104 A-Seite 6″ und B-Seite 8″ Ellipse 90mm 1
PAM-XIAMEN-INGOT-105 240mm ein Loch in die Mitte schlagen 10mm 4
PAM-XIAMEN-INGOT-120 6 " NP100 295 >5000 1
PAM-XIAMEN-INGOT-121 6 " NP/N100 294 >5000 1
PAM-XIAMEN-INGOT-122 6 " 47mm 1

2. Industriestandards für einzelne Siliziumkristalle

The silicon crystal manufacturing process by PAM-XIAMEN meets the standards.

2.1 Klassifizierungen von Silizium-Einkristallen

Gemäß dem Herstellungsverfahren werden Siliziumeinkristalle in zwei Arten von Czochralski-Siliziumeinkristallen und zonengeschmolzenen Siliziumeinkristallen unterteilt, nämlich CZ und FZ (einschließlich Neutronentransmutationsdotierung und Gasphasendotierung).

Siliziumkristalle werden je nach Leitfähigkeitstyp in P-Typ und N-Typ unterteilt.

Reiner Siliziumkristall kann entsprechend der Kristallorientierung in (100), (111), (110) Kristalle unterteilt werden, und die üblicherweise verwendete Siliziumkristallorientierung ist (100) oder (111).

Silizium-Einkristalle werden in sieben Nenndurchmesser-Spezifikationen unterteilt: weniger als 50,8 mm, 50,8 mm, 76,2 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm und 200 mm und andere Nicht-Nenndurchmesser-Spezifikationen.

2.2 Widerstand und Trägerlebensdauer von Czochralski-Siliziumkristallen

Der spezifische Widerstandsbereich und die radiale Änderung des spezifischen Widerstands des Czochralski-Silizium-Einkristalls sollten die relativen Anforderungen erfüllen.

Die Anforderungen an die Trägerlebensdauer von Czochralski silicon boule crystal shall be determined through negotiation between the supplier and the buyer.

2.3 Orientierung und Abweichung des Siliziumkristalls

Die Kristallorientierung von Silizium-Einkristall ist <100> oder <111>.

Die Abweichung der Kristallorientierung des Czochralski-Si-Kristalls sollte nicht mehr als 2° betragen.

Die Abweichung der Kristallorientierung des geschmolzenen Silizium-Einkristalls in der Zone sollte nicht größer als 5° sein.

2.4 Referenzfläche oder Schnitt eines Siliziumkristallbarrens

Die Orientierung der Referenzebene, Länge oder Kerbengröße des Silizium-Ingots sollte die Anforderungen von GB/T 12964 erfüllen.

2.5 Oxygen Content in Si Ingot Crystal

Der interstitielle Sauerstoffgehalt des Czochralski-Siliziumkristalls sollte nicht größer als 1,18X 10 . sein18Atome/cm3, und die spezifischen Anforderungen werden von Lieferant und Käufer durch Verhandlungen festgelegt. Die Anforderungen an den Sauerstoffgehalt von stark dotierten Czochralski-Si-Kristallen werden von beiden Parteien ausgehandelt und festgelegt.

Der interstitielle Sauerstoffgehalt des zonengeschmolzenen P-Typ- oder N-Typ-Siliziumkristalls sollte nicht größer als 1,96 x 10 . sein16Atome/cm3.

2.6 Carbon Content of Silicon Crystal Boule

Der durch Czochralski ersetzte Kohlenstoffgehalt des Siliziumkristalls sollte nicht mehr als 5 x 10 . betragen16Atome/cm3. Die Anforderungen an den Kohlenstoffgehalt des hochdotierten monokristallinen Silizium-Ingots werden zwischen Lieferant und Käufer verhandelt und festgelegt.

Der Ersatzkohlenstoffgehalt des zonengeschmolzenen Siliziumeinkristalls sollte nicht mehr als 3 x 10 . betragen16Atome/cm3.

2.7 Silicon Crystal Integrity

Die Versetzungsdichte von Silizium-Einkristallen sollte nicht größer als 100/cm . sein2d.h. keine Versetzungen.

Der Siliziumkristall sollte frei von sternförmigen Strukturen, hexagonalen Netzwerken, Wirbeln, Löchern und Rissen usw. sein.

Stark dotierte Si-Kristalle mit einem spezifischen Widerstand von weniger als 0,02 Ohm-cm ermöglichen die Beobachtung von Störstellenstreifen.

Die Mikrofehlerdichte und andere Fehleranforderungen von einkristallinem Silizium können zwischen dem Lieferanten und dem Käufer ausgehandelt werden.

2.8 Inspection Method for Silicon

Die Messung des Si-Kristalldurchmessers und der zulässigen Abweichung erfolgt gemäß den Bestimmungen von GB/T 14140.

Die Prüfung des Leitfähigkeitstyps des Siliziumkristalls muss gemäß den Bestimmungen von GB/T 1550 durchgeführt werden.

Die Messung des spezifischen Widerstands von Silizium-Einkristallen wird gemäß den Bestimmungen von GB/T 1551 oder gemäß den Bestimmungen von GB/T 6616 durchgeführt. Das Schiedsverfahren wird gemäß den Bestimmungen von GB/T 1551 durchgeführt .

Die Messung der radialen Änderung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium wird gemäß den Bestimmungen von GB/T 11073-2007 durchgeführt.

Die Messung der Ladungsträgerlebensdauer des monokristallinen Siliziumkristalls wird gemäß den Bestimmungen von GB/T1553 oder GB/T 26068 durchgeführt, und das Arbitrierungsverfahren wird gemäß den Bestimmungen von GB/T1553 durchgeführt.

Das Prüfverfahren für die spezifischen Widerstandsstreifen von Silizium-Einkristall-Mikrozonen wird zwischen dem Lieferanten und dem Käufer ausgehandelt und festgelegt.

Die Messung der Siliziumkristallorientierung und der Kristallorientierungsabweichung wird gemäß den Bestimmungen von GB/T1555 durchgeführt oder zwischen dem Lieferanten und dem Käufer ausgehandelt.

Die Messung der Orientierung der Referenzebene von Siliziumkristallen wird gemäß den Bestimmungen von GB/T 13388 durchgeführt.

Die Messung der Bezugsflächenlänge des Silizium-Einzelprodukts erfolgt gemäß den Bestimmungen von GB/T 13387.

Die Messung der Silizium-Kristallkerbengröße muss gemäß den Vorschriften von GB/T 26067 durchgeführt werden.

Die Messung des Sauerstoffgehalts von Siliziumkristallen erfolgt gemäß den Vorschriften von GB/T 1557. Die Methode zur Messung des Sauerstoffgehalts von stark dotierten Czochralski-Siliziumkristallen wird durch Verhandlungen zwischen Lieferant und Käufer festgelegt.

Die Messung des Silizium-Einkristall-Kohlenstoffgehalts wird gemäß den Bestimmungen von GB/T1558 durchgeführt. Die Methode zur Messung des Kohlenstoffgehalts von stark dotierten Czochralski-Siliziumkristallkugeln wird durch Verhandlungen zwischen dem Lieferanten und dem Käufer festgelegt.

Powerwaywafer

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

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