Sie können Siliziumblockkristalle vom P-Typ oder N-Typ von PAM-XIAMEN kaufen, einem Hersteller von Siliziumblöcken. Um einen monokristallinen Siliziumblock zu erhalten, wird das Siliziummaterial in einem Einkristallofen geschmolzen und dann einer Reihe von Prozessen unterzogen, um zu Einkristall-Siliziumstäben zu wachsen, und einer anschließenden Bearbeitung der Einkristall-Siliziumstäbe, um schließlich den Silizium-Boule-Kristall zu erhalten.
1. Liste der Siliziumbarren
| Barrennummer | Barrendurchmesser | Typ, Ausrichtung | Barrenlänge (mm) | Der spezifische Widerstand | Lebensdauer | Menge |
| PAM-XIAMEN-BARREN-24 | 103.4 | N111 | 167 | 15000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-BARREN-25 | 103.5 | N111 | 196 | 17000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-62 | 105 | N100 | 165 | 810 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-67 | MC200 | P110 | 243 | 0.313 | 3,51% | 1 |
| PAM-XIAMEN-BARREN-89 | 200 | P110 | 186 | 1.61 | 10,56 % | 1 |
| PAM-XIAMEN-BARREN-93 | 86 | N100 | 76 | 4700 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-BARREN-94 | 82 | N100 | 75 | 6800 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-95 | 79 | N100 | 102 | 13000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-100 | 8 " | — | 300mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-BARREN-108 | 4 " | — | 95mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-BARREN-109 | 6 " | — | 252mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-BARREN-113 | 2 " | — | 195mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-BARREN-114 | 3" | — | 95mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-BARREN-127 | A-Seite 140 mm und B-Seite 170 mm | — | 100mm | — | — | 1 |
2. Klassifizierung von Siliziumkristallen nach der Wachstumsmethode
Einkristallines Silizium ist ein sehr wichtiges kristallines Siliziummaterial. Gemäß den verschiedenen Züchtungsmethoden für Siliziumbarren durch die Siliziumbarrenfabrik kann es in zonengeschmolzenes Einkristallsilizium und Czochralski-Einkristallsilizium unterteilt werden.
* Zonengeschmolzenes einkristallines Silizium wird nach dem Verfahren des Zonenschmelzens hergestellt, daher wird es auch als FZ-Silizium-Einkristall bezeichnet. FZ-Siliziumbarren werden hauptsächlich in Hochleistungsgeräten verwendet und machen nur einen kleinen Teil des Marktes für monokristallines Silizium aus.
* Czochralski-Einkristall-Silizium wird durch das Czochralski-Verfahren hergestellt, genannt CZ-Einkristall-Silizium. CZ-Siliziumbarren werden hauptsächlich in mikroelektronischen integrierten Schaltkreisen und Solarzellen verwendet.
3. Industrienormen für CZ- oder FZ-Kristallsiliziumbarren
Die Siliziumbarren für Solar-, Stromgeräte oder andere Bereiche sind von hoher Qualität und zu einem wettbewerbsfähigen Preis. Außerdem sind die Parameter dereinkristalliner Siliziumkristallerfüllen die vorgeschriebenen Normen. Darüber hinaus können Sie die Reinheit des Siliziumbarrens anpassen.
3.1 Widerstandsfähigkeit eines Silizium-Einkristalls und Trägerlebensdauer
Der Widerstandsbereich und die Minoritätsträgerlebensdauer von hochohmigen FZ-Si-Ingots sollten die Anforderungen der folgenden Tabelle erfüllen:
| Leitfähigkeitstyp | Dotierstoff | Durchmesser/mm | Widerstandsbereich/(Ω- cm) | Minority Carrier Lifetime/us |
| p | B | 30~200 | 3.000 bis 20.000 | >500 |
| n | p | 30~200 | 800~10 000 | >1 000 |
| Der Widerstandswert ist der Widerstand eines Silizium-Einkristalls, der mit zwei Sonden gemessen wird. | ||||
Der Widerstandsbereich und die radiale Widerstandsvariation des Siliziumkristallblocks von uns erfüllen die Anforderungen in der folgenden Tabelle.
Die Trägerlebensdauer von CZ-Si-Barren sollte durch Verhandlungen zwischen dem Lieferanten und dem Käufer bestimmt werden.
| Leitfähigkeitstyp | Doping-Element | Widerstandsbereich/(Ω-cm) | Variation des radialen Widerstands b/% | ||||||
| <50,8 mm (100)/(111) | 50,8 mm (100)/(111) | 76,2 mm (100)/(111) | 100mm (100)/(111) | 125mm (100)/(111) | 150mm (100)/(111) | 200 mm (100) | |||
| p | B | 0,001 ~ 0,1 | ≤8 | ≤8 | ≤8 | ≤6/≤6 | ≤6/≤9 | ≤5/≤8 | ≤12 |
| >0,1~60 | ≤8 | ≤8 | ≤8 | ≤8/≤9 | ≤6/≤9 | ≤5/≤8 | ≤5 | ||
| n | P | 0,001 ~ 0,1 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15 |
| >0,1~60 | ≤12/≤20 | ≤12/≤20 | ≤12/≤20 | ≤12/≤25 | ≤12/≤25 | ≤12/≤25 | ≤15 | ||
| n | Sb | ≤0.02 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/≤25 | ≤10/≤25 | ≤10/≤35 | ≤12 |
| Als | ≤0.006 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/≤25 | ≤12/≤30 | ≤12/≤30 | ≤12 | |
* Der Widerstandswert wird am Querschnitt eines Silizium-Einkristalls unter Verwendung eines geraden Vierstifts gemessen;
* Der Wert der radialen Änderung des spezifischen Widerstands wird an der angegebenen Stirnfläche des Siliziumblocks mit einer geraden Reihe von vier Nadeln gemessen.
3.2 Standardverfahren zum Testen der Ausrichtung von Siliziumbarren
Die Abweichung der CZ-Kristallorientierung sollte </= 2° sein, und die Abweichung der FZ-Siliziumblock-Kristallorientierung sollte </= 5° sein. Es gibt 2 Hauptmethoden zum Testen der Ingot-Orientierung von Silizium:
a) Röntgenbeugungs-Orientierungsmethode
Die Atome eines Siliziumblocks, die in einer dreidimensionalen periodischen Kristallstruktur angeordnet sind, können als Atome betrachtet werden, die in einer Reihe von parallelen Ebenen mit einem vertikalen Abstand von d im Raum angeordnet sind. Wenn ein paralleler monochromatischer Röntgenstrahl auf die Ebene trifft und die optische Wegdifferenz zwischen den benachbarten Ebenen von Röntgenstrahlen ein ganzzahliges Vielfaches seiner Wellenlänge ist, tritt Beugung (Reflexion) auf.
b) Orientierung des Lichtmusters
Nachdem die Oberfläche des Siliziumbarrens geschliffen und vorzugsweise geätzt wurde, erscheinen viele kleine Vertiefungen. Diese Vertiefungen sind auf die Ebene beschränkt, die sich auf die Hauptkugelrichtung des Materials bezieht, und diese Grenzebenen bestimmen die Vertiefungsform der geätzten Oberfläche. Das Lichtmuster der aus Vertiefungen bestehenden kleinen Ebene steht in Beziehung zur kristallographischen Richtung der gemessenen Ebene, so dass das Lichtmuster verwendet werden kann, um die kristallographische Oberflächenrichtung und ihren Abweichungswinkel zu bestimmen.
4. Weitere Beiträge zum Thema Siliziumbarren lesen Sie bitte:
1 "FZ Siliziumbarren mit einem Durchmesser von 25 mm
2 "FZ Siliziumbarren mit Durchmesser 50mm
Siliziumkristall vom P- oder N-Typ mit einer Orientierung von (100), (110) oder (111)
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