Siliziumwafer mit thermischer Oxidation oder nasser und trockener thermischer Oxidation (Sio2)

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Siliziumwafer mit thermischer Oxidation oder nasser und trockener thermischer Oxidation (Sio2)

Siliziumwafer mit thermischer Oxidation oder nassem und trockenem thermischen Oxid (SiO2) sind auf Lager, Oxidationsfilm (SiO2) kann kundenspezifisch sein

Auf Lager, aber nicht auf Folgendes beschränkt.

Wafer-Nr.c Wafergröße Polierte/oxidierte Seiten Typ/Ausrichtung Wafer-Dicke (um) Oxidationsdicke Widerstand (Ohm.cm) Menge (Stück)
PAM-XIAMEN-WAFER-#O01 1 " SSP, beide Oxidation P100 525±10 300nm <0.005 290
PAM-XIAMEN-WAFER-#O02 2 " SSP, beide Oxidation P100 500±20 3um 1-10 24
PAM-XIAMEN-WAFER-#O03 2 " DSP, beide Oxidation N100 285±15 1 um 1-10 50
PAM-XIAMEN-WAFER-#O04 2 " SSP, beide Oxidation P100 430±10 300nm <0.005 5
PAM-XIAMEN-WAFER-#O05 3" SSP, beide Oxidation 100 400±10 2um >10000 20
PAM-XIAMEN-WAFER-#O06 4 " SSP, beide Oxidation 100 400±10 2um >10000 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O07 4 " SSP, beide Oxidation N111 435-465 2 um (1,6 um) 0.01-0.015 22
PAM-XIAMEN-WAFER-#O08 4 " SSP, Einzeloxidation P100 500±10 1 um 3-8 21
PAM-XIAMEN-WAFER-#O09 4 " SSP, beide Oxidation P111 525±15 500nm 0.001-0.009 18
PAM-XIAMEN-WAFER-#O10 4 " SSP, Einzeloxidation 100 400±10 500nm 3000-5000 23
PAM-XIAMEN-WAFER-#O11 4 " DSP, beide Oxidation N100 400±10 500nm 1-10 6
PAM-XIAMEN-WAFER-#O12 4 " SSP, beide Oxidation N100 500 um 500nm 5-10 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#O13 4 " SSP, beide Oxidation N100 500 um 280nm/320nm 0.01-0.05 20
PAM-XIAMEN-WAFER-#O14 4 " SSP, beide Oxidation P100 700±10 300-310nm 0.001-0.002 18
PAM-XIAMEN-WAFER-#O15 4 " SSP, beide Oxidation P100 700±10 305 ± 5 nm Trockensauerstoffoxidation <0.1 54
PAM-XIAMEN-WAFER-#O16 4 " DSP, beide Oxidation 100 525±10 200nm >10000 19
PAM-XIAMEN-WAFER-#O17 4 " SSP, beide Oxidation 100 500 ± 25 200nm >10000 3
PAM-XIAMEN-WAFER-#O18 4 " SSP, beide Oxidation P100 500±20 150nm <0.0015 3
PAM-XIAMEN-WAFER-#O19 4 " SSP, beide Oxidation P111 500 um 50-80nm <0.05 2
PAM-XIAMEN-WAFER-#O20 2 " DSP, beide Oxidation 100FZ 500±50 500 ± 50 nm 5000-8000 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O21 6 " SSP, beide Oxidation N100 510±15 200nm >6000 45
PAM-XIAMEN-WAFER-#O22 6 " SSP, beide Oxidation P111 645±25 500nm 5-25 16
PAM-XIAMEN-WAFER-#O23 6 " DSP, Einzeloxidation 100 650 um 500nm >5000 15
PAM-XIAMEN-WAFER-#O24 6 " SSP, beide Oxidation P100 675 ± 25 500nm 0.5-100 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#O25 6 " SSP, beide Oxidation 100 625 ± 25 2um — 23
PAM-XIAMEN-WAFER-#O26 6 " SSP, beide Oxidation N100 650±50 2,8 um 0.1-100 50
PAM-XIAMEN-WAFER-#O27 12 " DSP, beide Oxidation P100 775 ± 25 2um±10% 1-100 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O28 8 " SSP, beide Oxidation — — — — 36
PAM-XIAMEN-WAFER-#O29 4 " SSP, beide Oxidation P100 500 ± 25 310nm 0.01-0.09 12
PAM-XIAMEN-WAFER-#O30 4 " SSP, beide Oxidation P100 515±15 315nm 0.008-0.012 16
PAM-XIAMEN-WAFER-#O31 5 " SSP, beide Oxidation N100 525±15 300nm+ <0.005 33
PAM-XIAMEN-WAFER-#O32 4 " SSP, Einzeloxidation P100 525±10 100nm 0.001-0.006 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#O33 6 " SSP, beide Oxidation P100 675 ± 25 8um±5% 10-20 48
PAM-XIAMEN-WAFER-#O34 12 " DSP, beide Oxidation — — — — 120
PAM-XIAMEN-WAFER-#O35 6 " SSP, beide Oxidation — 625 ± 25 2um — 4
PAM-XIAMEN-WAFER-#O36 3" SSP, beide Oxidation P100 375±25 280 ± 20 nm <0.005 29
PAM-XIAMEN-WAFER-#O37 4 " SSP, beide Oxidation 100FZ 525±20 1 um >100 7
PAM-XIAMEN-WAFER-#O38 4 " SSP, beide Oxidation N100 525 ± 25 1 um 0.008-0.02 13
PAM-XIAMEN-WAFER-#O39 6 " DSP, beide Oxidation P100 450±15 300nm >5000 27
PAM-XIAMEN-WAFER-#O40 4 " SSP, beide Oxidation N100 500±10 6 um 1-10 11
PAM-XIAMEN-WAFER-#O41 8 " SSP, beide Oxidation P100 700（>650） 500nm 0.5-100 140
PAM-XIAMEN-WAFER-#O42 8 " SSP, beide Oxidation P100 725±25 300nm 1-100 15
PAM-XIAMEN-WAFER-#O43 4 " SSP, beide Oxidation N100 525 ± 25 300 nm Trockensauerstoffoxidation 0.001-0.005 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O44 3" SSP, beide Oxidation 100FZ 400±10 2um >10000 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O45 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 270-280nm 0.01-0.02 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#O46 4 " SSP, beide Oxidation P111 510-540 25nm 0.006-0.0075 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O47 8 " SSP, beide Oxidation — 700 um 200nm-500nm — 390
PAM-XIAMEN-WAFER-#O48 8 " SSP, beide Oxidation — — — — 174
PAM-XIAMEN-WAFER-#O49 2 " SSP, beide Oxidation N111 400±15 290nm 0.01-0.02 20
PAM-XIAMEN-WAFER-#O50 4 " SSP, Einzeloxidation P100 525 ± 25 300nm 0.01-0.09 3
PAM-XIAMEN-WAFER-#O51 4 " SSP, Einzeloxidation N100 525±20 305 ± 5 nm 0.01-0.02 10
PAM-XIAMEN-WAFER-#O52 3" SSP, beide Oxidation N100 381±20 300 nm Trockensauerstoffoxidation <0.005 20
PAM-XIAMEN-WAFER-#O53 4 " SSP, beide Oxidation N100 450±25 280 ± 20 nm 0.01-0.02 56
PAM-XIAMEN-WAFER-#O54 3 SSP, beide Oxidation P100 380±20 90nm 1-10 18
PAM-XIAMEN-WAFER-#O55 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 280nm >10000 23
PAM-XIAMEN-WAFER-#O56 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 300 nm Trockensauerstoffoxidation 0.001-0.005 5
PAM-XIAMEN-WAFER-#O57 5 " SSP, beide Oxidation N100 525±15 280nm <0.005 30
PAM-XIAMEN-WAFER-#O58 5 " SSP, beide Oxidation N100 525 ± 25 280nm 0.001-0.005 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O59 4 " SSP, Einzeloxidation N100 520±20 280±2nm 0.01-0.02 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O60 4 " SSP, Einzeloxidation N100 450±25 300 ± 5 nm Trockensauerstoffoxidation 0.01-0.02 19
PAM-XIAMEN-WAFER-#O61 4 " SSP, Einzeloxidation N100 450±25 300 ± 5 nm 0.01-0.02 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O62 4 " SSP, Einzeloxidation N100 520±20 283-290nm 0.01-0.02 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O63 4 " SSP, Einzeloxidation N100 520±20 300-305nm 0.002-0.004 20
PAM-XIAMEN-WAFER-#O64 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 100nm 1-10 17
PAM-XIAMEN-WAFER-#O65 4 " SSP, Einzeloxidation N100 510±10 500nm 0.01-0.02 6
PAM-XIAMEN-WAFER-#O66 4 " SSP, Einzeloxidation N100 525 ± 25 100nm 0.002-0.004 4
PAM-XIAMEN-WAFER-#O67 4 " DSP, beide Oxidation N100 750±20 500nm 2-10 9
PAM-XIAMEN-WAFER-#O68 4 " SSP, Einzeloxidation P100 500±10 100nm 3-8 19
PAM-XIAMEN-WAFER-#O69 4 " SSP, Einzeloxidation P100 500±10 500nm 3-8 20
PAM-XIAMEN-WAFER-#O70 2 " SSP, beide Oxidation P100 675±20 285nm >10 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O71 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 285nm 0.01-0.02 28
PAM-XIAMEN-WAFER-#O72 8 " SSP, beide Oxidation P100 725±25 500nm 0.1-100 68
PAM-XIAMEN-WAFER-#O73 4 " DSP, beide Oxidation P100 480±10 300nm 1-10 13
PAM-XIAMEN-WAFER-#O74 5 " SSP, beide Oxidation N100 600-650 285nm 0.003-0.005 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#O75 5 " SSP, beide Oxidation N100 500-550 285nm <0.004 175
PAM-XIAMEN-WAFER-#O76 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 275 nm 0.001-0.005 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O77 4 " SSP, beide Oxidation P100 485±25 275 nm 0.01-0.02 150
PAM-XIAMEN-WAFER-#O78 4 " SSP, beide Oxidation N100 525 ± 25 90nm 0.002-0.004 91
PAM-XIAMEN-WAFER-#O79 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 285nm 0.001-0.005 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O80 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 271-282nm 0.01-0.02 50
PAM-XIAMEN-WAFER-#O81 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 275 nm 0.001-0.005 200
PAM-XIAMEN-WAFER-#O82 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 273-282nm 0.001-0.005 50
PAM-XIAMEN-WAFER-#O83 5 " SSP, Einzeloxidation N100 525 ± 25 295-300nm 0.02 16
PAM-XIAMEN-WAFER-#O84 6 " SSP, beide Oxidation — 675 ± 25 300nm 1-30 23
PAM-XIAMEN-WAFER-#O85 4 " SSP, beide Oxidation N100 475-525 100nm 0.01-0.02 125
PAM-XIAMEN-WAFER-#O86 4 " SSP, beide Oxidation N100 450 um 280nm 0.02-0.025 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#O87 4 " SSP, beide Oxidation P100 500±10 280nm <0.0015 75
PAM-XIAMEN-WAFER-#O88 2 " SSP, beide Oxidation N100 280±15 280nm <0.05 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O89 2 " SSP, beide Oxidation P100 400±15 280nm <0.0015 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O90 3" SSP, beide Oxidation N100 381±20 280nm <0.005 95
PAM-XIAMEN-WAFER-#O91 6 " SSP, beide Oxidation P100 675±10 300nm 1-100 47
PAM-XIAMEN-WAFER-#O92 6 " SSP, beide Oxidation P100 675 ± 25 300nm 10-20 2
PAM-XIAMEN-WAFER-#O93 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 280 nm Trockensauerstoffoxidation 0.01-0.02 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#O94 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 100 nm Trockensauerstoffoxidation 0.001-0.002 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#O95 4 " SSP, Einzeloxidation P100 525 ± 25 105nm 0.001-0.005 50
PAM-XIAMEN-WAFER-#O96 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 280nm 0.001-0.005 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O97 2 " SSP, beide Oxidation P100 400±15 6um 1-5 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O98 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 1 um 0.001-0.005 70
PAM-XIAMEN-WAFER-#O99 6 " SSP, beide Oxidation P100 675 um 200nm 1-50 119
PAM-XIAMEN-WAFER-#O100 6 " SSP, beide Oxidation P100 675 um 300nm 1-50 75
PAM-XIAMEN-WAFER-#O101 6 " SSP, beide Oxidation N100 675 ± 25 300nm 1-100 75
PAM-XIAMEN-WAFER-#O102 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 25nm 1-10 22
PAM-XIAMEN-WAFER-#O103 4 " SSP, beide Oxidation P100 525 ± 25 25nm 0.001-0.002 16
PAM-XIAMEN-WAFER-#O104 4 " SSP, Einzeloxidation P100 500 ± 25 500nm 1-10 3
PAM-XIAMEN-WAFER-#O105 4 " SSP, beide Oxidation N100 450 ± 20 50nm 0.01-0.02 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#O106 4 " SSP, beide Oxidation N100 500 um 290nmNettooxid 0.01-0.02 100
PAM-XIAMEN-WAFER-#O107 4 " SSP, beide Oxidation N100 525±20 50nm 0.01-0.02 1

 

 

Für Siliziumwafer mit Dioxid gibt es zwei Arten: Wet Oxide: Unser Wet Thermal Oxidation-Prozess wurde entwickelt, um dickere Oxidschichten zu züchten, während das gleiche Qualitätsniveau beibehalten wird, das Sie von Dry Thermal Oxidation erwarten würden; Trockenoxid: Unser ultrareines Trockenoxidationsverfahren ist für Anwendungen verfügbar, die dünnere Oxide erfordern, und wurde entwickelt, um sicherzustellen, dass Sie einen Film von höchster Qualität erhalten. Wir bieten auch kundenspezifische Spezifikationen an, um Ihre Anforderungen zu erfüllen.

Wie wird thermisches Oxid auf Siliziumwafer aufgebracht?
Regelmäßig gibt es drei Detailanwendungen:
1/Gewachsene Trockenoxidation – Standardmäßig wird Trockenoxid nur auf einer Seite des Wafers gezüchtet.
2/Wet Oxidation Grown – Wellenleitertechnologie und Silizium-auf-Isolator-Wafer (SOI) können stark von unseren dicken thermischen Oxidschichten profitieren. Wir bieten thermisches Oxid mit einer Dicke von bis zu 15 µm an. Standardmäßig auf beiden Seiten der Wafer gewachsen.
3/Abgeschiedene CVD – Wenn Sie Silizium nicht oxidieren können, können Sie die chemische Gasphasenabscheidung verwenden, um das Oxid auf Ihrem Substrat abzuscheiden.
Was ist der Zweck des Aufwachsens von thermischem Oxid auf Silizium?
Es gibt unten fünf Hauptzwecke: Gate-Oxid; Maskierungsmaterial beim Doping; Bereitstellung von Schutz für die Leiter; Geräte voneinander isolieren; Ein Dielektrikum für einen Kondensator

Welche Faktoren beeinflussen das Oxidwachstum?
Es gibt folgende Faktoren: Verwendung von Trockenoxidation (Sauerstoffgas) oder Nassoxidationsdampf; Druck; Temperatur; Gitterorientierung (Oxid wächst schneller auf (111)-orientierten Wafern als auf (100)-orientierten Siliziumwafern;

Relative Schlüsselwörter in Papieren: Nassoxidation, Trockenoxidation, thermisches Oxid, Rechner für thermische Oxide, Dicke des thermischen Oxids, Wafer für thermische Oxide, Eigenschaften von thermischen Oxiden, Wachstum von thermischen Oxiden, Ofen für thermische Oxide, Dielektrizitätskonstante von thermischen Oxiden, Rechner für thermisches Oxidwachstum, Siliziumwafer thermisches Oxid, thermischer Oxidwafer, thermischer Oxid-Si-Wafer, thermische Oxidation von Silizium, thermische Oxidation von Siliziumwafern, Rechner für thermische Oxidation, Einheit für thermische Oxidation

PAM-XIAMEN kann Ihnen Technologie- und Waferunterstützung anbieten,
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website:https://www.powerwaywafer.com,
Bitte senden Sie uns E-Mail an sales@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com

2019-11-27

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2019-11-27Meta-Autor
CZT Semiconductor Wafer

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2017-06-02Meta-Autor
Superconductor Substrates

Superconductor Substrates Crystal Structure M.P. Density Thermal Expansion Dielectric constant Growth Tech. & max. size standard 1or 2 sides epi polished wafer oC g/ cm3   LSAT Cubic 1840 6.74 10 22 CZ 20x20x0.5mm (LaAlO3)0.3 -(Sr2AlTaO8)0.7 a=3.868 Å Ø35mm 10x10x0.5mm LaAlO3 Rhombo. 2100 6.51 9.2 24.5 CZ Ø3″x0.5mm a=3.790 Å Ø3″ Ø2″x0.5mm c=13.11 Å   Ø1″x0.5mm     10x10x0.5mm MgO Cubic 2852 3.58 12.8 9.8 Flux Ø2″x0.5mm a=4.21 Å Ø2″ 10x10x0.5mm NdGaO3 Orthor. 1600 7.57 7.8 25 CZ Ø2″x0.5mm a=5.43 Å Ø2″ 10x10x0.5mm b=5.50 Å     c=7.71 Å     SrTiO3 Cubic 2080 5.12 10.4 300 vernuil 10x10x0.5mm a=3.90 Å Ø30mm SrLaAlO4 Tetrag. 1650 16.8 CZ 10x10x0.5mm a=3.756 Å Ø20mm c=12.63 Å   YAlO3 Orthor. 1870 4.88 2 ~ 10 16`20 CZ 10x10x0.5mm a=5.176 Å b=5.307 Å Ø30mm c=7.355 Å   YSZ Cubic ~2500 5.8 10.3 27 Flux Ø2″x0.5mm a=5.125 Å Ø2″ 10x10x0.5m

2018-07-10Meta-Autor
Glass Wafer, Including Bf33, Quartz, Ito Glass, Alkali free glass substrate

Glass Wafer, Including Bf33, Quartz, Ito Glass, Alkali free glass substrate In Stock, But Not Limited To The Following. Wafer No. Size Polish Orientation Thickness(um) Quantity(Pcs) PAM-XIAMEN-WAFER-#B1 4″BF33 Glass DSP — 500um 27 PAM-XIAMEN-WAFER-#B2 4″BF33 Glass DSP — 1000um 8 PAM-XIAMEN-WAFER-#B3 4″ Sapphire — — 500um 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#B4 6″BF33 Glass DSP — 500um 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#B5 Glass 90*90 DSP — 700um 3 PAM-XIAMEN-WAFER-#B6 ITOConductive Glass 20*20 — 1.1mm 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#B7 2″Quartz DSP — 1.2mm 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#B8 4″ Sapphire SSP C 650um 16 PAM-XIAMEN-WAFER-#B9 4″ Sapphire SSP C 650±30um 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#B10 2″ Sapphire SSP R 430um 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#B11 8″Glass DSP — 700um 109 PAM-XIAMEN-WAFER-#B12 6″Sapphire SSP — 600um 31 PAM-XIAMEN-WAFER-#B13 4″BF33 Glass DSP — 1mm 35 PAM-XIAMEN-WAFER-#B14 2″ Sapphire DSP — 100um 12 PAM-XIAMEN-WAFER-#B15 4″BF33 Glass DSP — 200um 18 PAM-XIAMEN-WAFER-#B16 4″ Sapphire DSP — 500um 20 PAM-XIAMEN-WAFER-#B17 4″Quartz DSP — 1mm 8 PAM-XIAMEN-WAFER-#B18 2″Quartz DSP — 1mm 10 PAM-XIAMEN-WAFER-#B19 2″ Sapphire DSP — 1mm 74 PAM-XIAMEN-WAFER-#B20 2″ Sapphire SSP M 430±15um 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#B21 2″ Sapphire SSP C 430um 850 PAM-XIAMEN-WAFER-#B22 2″ Sapphire DSP — 300um 425 PAM-XIAMEN-WAFER-#B23 6″BF33 Glass DSP — 675um 17   Moreover, we can supply Alkali free glass substrate, [...]

2019-11-27Meta-Autor
LNOI with Metal Electrode

Lithium Niobate(LNOI) with Metal Electrode There are metal electrode layers (Au, Pt, Al or other metals) between the SiO2 layer and the LN film. An electric field can be applied on the LN film between the metal electrode layer and the top electrode layer. Based on piezoelectric [...]

2018-08-22Meta-Autor
Wafer

Silicon Wafer Si wafer Substrate -Silicon Quantity Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Nc Mobility EPD PCS (mm) (μm) Ω·cm 　 a/cm3 cm2/Vs /cm2 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b (1-200)E16 N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525 N/A <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si with Oxide layer (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 350-500 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si with electrodes (100) 50.8 400 N/A <0.05 N/p 1E14-1E15 N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275±25 SSP 1~10 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 350±15 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 430±15 SSP 5000-8000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 410±15 SSP 1~20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 400-500 SSP >5000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 525±25 SSP 1~50 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 SSP 1~10 N  P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 P/P >700 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 76.2 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 SSP N/A N/P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 320 SSP >2500ohm·cm P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 N/A SSP 10~30 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 505±25 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 381 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si [...]

2012-03-06Meta-Autor