12″ erstklassiger Siliziumwafer
PAM-XIAMEN bietet blanke 300-mm-Siliziumwafer (12 Zoll) in erstklassiger Qualität, n-Typ oder p-Typ, und die 300-mm-Siliziumwaferdicke beträgt 775 ± 15. Im Vergleich zu anderen Siliziumwafer-Anbietern ist der Preis für Siliziumwafer von Powerway Wafer wettbewerbsfähiger und die Qualität höher. 300-mm-Siliziumwafer haben eine höhere Ausbeute pro Wafer als durchlässige Siliziumwafer mit großem Durchmesser.
- Beschreibung
Beschreibung
PAM-XIAMEN bietet blanke 300-mm-Siliziumwafer (12 Zoll) in erstklassiger Qualität, n-Typ oder p-Typ, und die 300-mm-Siliziumwaferdicke beträgt 775 ± 15. Im Vergleich zu anderen Siliziumwafer-Anbietern ist der Preis für Silizium-Gerätewafer von Powerway Wafer wettbewerbsfähiger und die Qualität höher. 300-mm-Siliziumwafer haben eine höhere Ausbeute pro Wafer als durchlässige Siliziumwafer mit großem Durchmesser. Eine Größe von 8 Zoll (200 mm) wird als großer Siliziumwafer bezeichnet. Die Produktionstechnologie für große Siliziumwafer führt nicht nur zu einer Erhöhung der Prozesskomplexität aufgrund der Vergrößerung der Fläche, sondern auch zu höheren Anforderungen an viele andere Steuerungsfaktoren. Zum Beispiel: Sauerstoffgehalt und seine radiale Gleichmäßigkeit im Wafer, Verunreinigungskontrolle, OISF-Kontrolle usw. Die Anforderungen an Siliziumwafer für Defektkontrolle, Kontrolle der Sauerstoffausfällung, Widerstandsquantifizierung, Dotierung und radiale Gleichmäßigkeit sind ebenfalls höher. Insbesondere für erstklassige 300-mm-Siliziumwafer sind einige Parameter von entscheidender Bedeutung, zum Beispiel liegt der TTV des Wafers unter 1,5 µm und die Defektdichte bei ~0/cm2. Der nächste Schritt ist ein 450-mm-Siliziumbarren oder -wafer.
1. Parameter eines 300-mm-Siliziumwafers
| Parameter | Wert (PAM210512-300-SIL) |
| Art des Barrens | Nach der Czochralski-Methode angebaut |
| Durchmesser, mm | 300 ± 0,2 |
| Dotierstoff | B (Bor) |
| Leitfähigkeitstyp | P. |
| Sauerstoff max, ALT-PPMA | 40 |
| Kohlenstoff, PPMA | 1 |
| Kristallographische Orientierung | <100> |
| Abweichung von der vorgegebenen Oberflächenorientierung der Kristallebene, Grad | 1 |
| Durchgangswiderstand, Ohm · cm | 8-12 |
| Primäre Kerbe | Ja |
| Notch-Position | 110 |
| Kerbgröße, mm | 2,3 |
| Kerbform | V. |
| Waferdicke, Mikrometer | 775 ± 15 |
| Art der Markierung | Laser |
| Ort markieren | Rückseite |
| Kantenprofil | von SEMI T/4 |
| Kratzer auf der Vorderseite | abwesend |
| Polieren der Vorderseite | ja |
| Polieren der Rückseite | ja |
| Gesamtänderung der Waferdicke (TTV), Mikrometer | 1,5 |
| Durchbiegung (WARP), Mikrometer | 30 |
| Die Anzahl der Partikel auf einer Oberfläche, die größer als 0,05 Mikrometer sind | 50 |
| Die Anzahl der Partikel auf einer Oberfläche, die größer als 0,09 Mikrometer sind | 30 |
| Oberflächengehalt an Aluminium, E10AT/CM2 | 1 |
| Oberflächengehalt an Kalzium, E10AT/CM2 | 1 |
| Oberflächengehalt an Chrom, E10AT/CM2 | 1 |
| Oberflächengehalt an Kupfer, E10AT/CM2 | 1 |
| Oberflächengehalt an Eisen, E10AT/CM2 | 1 |
| Oberflächengehalt an Kalium, E10AT/CM2 | 1 |
| Oberflächengehalt an Natrium, E10AT/CM2 | 1 |
| Oberflächengehalt an Nickel, E10AT/CM2 | 1 |
| Oberflächengehalt an Zink, E10AT/CM2 | 1 |
Verpackungsanforderungen:
| Parameter | |
| Art der Verpackung | MW300GT-A |
| Material des Innenbehälters | Polyethylen |
| Äußeres Verpackungsmaterial | Aluminium |
| Stückzahl in einer Packung | 25 |
| Wiederverwendbarkeit | Ja |
2. FAQ:
F:Bitte beachten Sie, dass wir „Die Anzahl der Partikel auf einer Oberfläche größer als 0,09 Mikrometer 50“ nur für Siliziumsubstrate anbieten.
Normalerweise handelt es sich bei der Partikelanforderung um ein Siliziumsubstrat.
Könnten Sie dies bitte überprüfen, um die Einhaltung sicherzustellen?
EIN:Wir haben noch einmal überprüft: Ja, die angegebenen Informationen sind korrekt.
PAM-XIAMEN bietet Ihnen Technologie- und Wafer-Unterstützung.
Weitere Informationen finden Sie auf unserer Website:https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,
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