12″ Prime Grade Silicon Wafer

PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers.

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

PAM-XIAMEN bietet 300-mm-Bare-Siliziumwafer (12 Zoll) in erstklassiger Qualität, n-Typ oder p-Typ, und die 300-mm-Siliziumwaferdicke beträgt 775 ± 15. Im Vergleich zu anderen Anbietern von Siliziumwafern ist der Preis für Siliziumwafer von Powerway Wafer bei höherer Qualität wettbewerbsfähiger. 300-mm-Siliziumwafer haben eine höhere Ausbeute pro Wafer als herkömmliche Siliziumwafer mit großem Durchmesser. Eine Größe von 8 Zoll (200 mm) wird als großer Siliziumwafer bezeichnet. Die Produktionstechnologie von großen Siliziumwafern ist nicht nur die Erhöhung der Prozesskomplexität aufgrund der Flächenzunahme, sondern auch die höheren Anforderungen an viele andere Steuerungsfaktoren. Zum Beispiel: Sauerstoffgehalt und seine radiale Gleichmäßigkeit im Wafer, Verunreinigungskontrolle, OISF-Kontrolle usw. Die Anforderungen an Siliziumwafer für Defektkontrolle, Sauerstoffpräzipitationskontrolle, Widerstandsquantifizierung, Dotierung und radiale Gleichmäßigkeit sind ebenfalls höher. Insbesondere für erstklassige 300-mm-Siliziumwafer sind einige Parameter von entscheidender Bedeutung, z. B. liegt der Wafer-TTV unter 1,5 um und die Defektdichte bei ~0/cm2. Der nächste Schritt ist ein 450-mm-Siliziumblock oder -wafer.

 

1. Parameter eines 300-mm-Siliziumwafers

Parameter Wert (PAM210512-300-SIL)
Art des Barrens Gezüchtet nach der Czochralski-Methode
Durchmesser, mm 300 ± 0,2
Dotierstoff B (Bor)
Leitfähigkeitstyp P
Oxigen max, OLD-PPMA 40
Kohlenstoff, PPMA 1
Kristallographische Orientierung <100>
Abweichung von der vorgegebenen Oberflächenorientierung der Kristallebene, deg 1
Volumenwiderstand Ohm · cm 8-12
Primäre Kerbe Ja
Notch Location 110
Kerbgröße, mm 2,3
Kerbform V
Waferdicke, Mikrometer 775 ± 15
Art der Kennzeichnung Laser
Markierungsort Rückseite
Kantenprofil durch SEMI T / 4
Kratzer auf der Vorderseite abwesend
Polieren der Vorderseite ja
Rückseite polieren ja
Gesamtänderung der Waferdicke (TTV), Mikrometer 1,5
Durchbiegung (WARP), Mikrometer 30
Die Anzahl der Partikel auf einer Oberfläche, die größer als 0,05 Mikrometer ist 50
Die Anzahl der Partikel auf einer Oberfläche, die größer als 0,09 Mikrometer ist 30
Oberflächengehalt von Aluminium, E10AT/CM2 1
Oberflächengehalt an Calcium, E10AT/CM2 1
Oberflächengehalt an Chrom, E10AT/CM2 1
Oberflächengehalt von Kupfer, E10AT/CM2 1
Oberflächengehalt von Eisen, E10AT/CM2 1
Oberflächengehalt an Kalium, E10AT/CM2 1
Oberflächengehalt an Natrium, E10AT/CM2 1
Oberflächengehalt von Nickel, E10AT/CM2 1
Oberflächengehalt von Zink, E10AT/CM2 1

Verpackungsanforderungen:

Parameter
Art der Verpackung MW300GT-A
Innenbehältermaterial Polyethylen
Äußeres Verpackungsmaterial Aluminium
Stückzahl in einem Paket 25
Wiederverwendbarkeit Ja

2. FAQ:

F:Bitte beachten Sie, dass wir „Die Anzahl der Partikel auf einer Oberfläche größer als 0,09 Mikrometer 50“ nur für Siliziumsubstrate anbieten.

Normalerweise ist die Partikelanforderung für Siliziumsubstrat.

Könnten Sie dies bitte überprüfen, um die Einhaltung sicherzustellen?

EIN:Wir haben nachgeprüft: Ja, die angegebenen Informationen sind korrekt.

 

PAM-XIAMEN bietet Ihnen Technologie- und Wafer-Support.

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website:https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer,

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