Cz Monokristallines Silizium

PAM-XIAMEN, ein Hersteller von monokristallinem Massensilizium, kann monokristalline Siliziumwafer <100>, <110> und <111> mit N&P-Dotierstoff in 76,2–200 mm anbieten, die nach der CZ-Methode gezüchtet werden. Die Czochralski-Methode ist eine Kristallzüchtungsmethode, die als CZ-Methode bezeichnet wird. Es ist in ein gerades Rohrheizsystem integriert, das durch Graphitwiderstand erhitzt wird, das in einem hochreinen Quarztiegel enthaltene Polysilizium schmilzt und dann den Impfkristall zum Schweißen in die Oberfläche der Schmelze einbringt. Danach wird der rotierende Impfkristall abgesenkt und geschmolzen. Der Körper wird infiltriert und berührt, allmählich angehoben und durch die Schritte Einschnüren, Einschnüren, Schulterung, Kontrolle des gleichen Durchmessers und Endbearbeitung fertiggestellt oder gezogen.

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

PAM-XIAMEN, ein Hersteller von monokristallinem Massensilizium, kann monokristalline Siliziumwafer <100>, <110> und <111> mit N&P-Dotierstoff in 76,2–200 mm anbieten, die nach der CZ-Methode gezüchtet werden. Die Czochralski-Methode ist eine Kristallzüchtungsmethode, die als CZ-Methode bezeichnet wird. Es ist in ein gerades Rohrheizsystem integriert, das durch Graphitwiderstand erhitzt wird, das in einem hochreinen Quarztiegel enthaltene Polysilizium schmilzt und dann den Impfkristall zum Schweißen in die Oberfläche der Schmelze einbringt. Danach wird der rotierende Impfkristall abgesenkt und geschmolzen. Der Körper wird infiltriert und berührt, allmählich angehoben und durch die Schritte Einschnüren, Einschnüren, Schulterung, Kontrolle des gleichen Durchmessers und Endbearbeitung fertiggestellt oder gezogen.

1. Spezifikationen für CZ monokristalline Siliziumwafer

Typ Leitungstyp Orientierung Durchmesser (mm) Leitfähigkeit (Ω·cm)
CZ N & P. <100><110>&<111> 76.2-200 1-300
MCZ N & P. <100><110>&<111> 76.2-200 1-300
Starkes Doping N & P. <100><110>&<111> 76.2-200 0.001-1
  Durchmesser (mm) Dicke (um)
Waffel 76.2-200 ≥160

 

2. Klassifizierung des monokristallinen Siliziumwafers CZ

2.1CZ-Silizium

Die stark/leicht dotiertenCZ monokristallines Siliziumeignet sich für die Herstellung verschiedener integrierter Schaltkreise (IC), Dioden, Trioden und grüner Energie-Solarmodule. Bei der Herstellung von monokristallinem Silizium können spezielle Elemente (wie Ga, Ge) hinzugefügt werden, um hocheffiziente, strahlungsbeständige und antidegenerierende Solarzellenmaterialien für spezielle Komponenten herzustellen.

CZ stark dotierter Kristall

Mit der speziellen Dotierungsvorrichtung und der CZ-Monokristall-Siliziumwafer-Technologie kann der stark dotierte (P, Sb, As) CZ-Monokristall-Silizium-Dünnfilm mit sehr niedrigem spezifischem Widerstand hergestellt werden, der hauptsächlich als Auskleidungsmaterial für epitaktische Wafer verwendet wird um die speziellen elektronischen Geräte für LSI-Schaltnetzteile, Schottky-Dioden und feldgesteuerte Hochfrequenz-Leistungselektronikgeräte herzustellen.

<110> Spezielle Orientierung CZ-Silizium

Die<110>monokristallines Siliziumhat die ursprüngliche Ausrichtung <110>, die weitere Verarbeitung zur Ausrichtungsanpassung ist nicht erforderlich; Die <110>monokristalline Siliziumkristallstruktur hat die perfekten Eigenschaften und einen niedrigen Sauerstoff- und Kohlenstoffgehalt, ist ein neues Solarzellenmaterial und kann als Zellmaterial der neuen Generation verwendet werden.

2.2MCZ-Monokristallines Silizium

Das Magnetfeld wird im Czochralski-Prozess verwendet, um die monokristallinen CZ-Siliziumwafer mit den Eigenschaften eines niedrigen Sauerstoffgehalts und einer hohen Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstands herzustellen. DieMCZSiliziumeignet sich zur Herstellung von Siliziummaterialien für verschiedene ICs, diskrete Geräte und sauerstoffarme Solarbatterien.

Unsere Vorteile auf einen Blick

1.Fortgeschrittene Epitaxie-Wachstumsausrüstung und Testausrüstung.

2. Bieten Sie höchste Qualität mit geringer Defektdichte und guter Oberflächenrauheit.

3. Starke Unterstützung des Forschungsteams und Technologieunterstützung für unsere Kunden

 

4″ CZ Prime Siliziumwafer, Dicke = 200 ± 25 µm-1

4″ CZ Prime Siliziumwafer, Dicke = 200 ± 25 µm-2

4″ CZ Prime Siliziumwafer, Dicke = 200 ± 25 µm-3

4″ CZ Prime Siliziumwafer, Dicke 525 ± 25 µm

4″ CZ Prime Siliziumwafer, Dicke 525 ± 25 µm

4″ CZ Prime Siliziumwafer, Dicke 525 ± 25 µm-2

4″CZ Prime Siliziumwafer, Dicke 525 ± 25 µm-3

4″CZ Prime Siliziumwafer, Dicke 525 ± 25 µm-4

4″ CZ Prime Siliziumwafer, Dicke 1500 ± 25 μm

4″ CZ Prime Siliziumwafer, Dicke 200 um.

8″CZ Prime Siliziumwafer

8″CZ Prime Silizium Wafer-1

8″CZ Prime Silizium Wafer-2

6″CZ Prime Siliziumwafer

6″CZ Prime Silizium Wafer-1

6″CZ Prime Silizium Wafer-2

6″CZ Prime Silizium Wafer-3

6″ CZ Si Wafer

6″ CZ-Siliziumwafer

4″ CZ Prime Siliziumwafer

4″CZ Prime Silizium Wafer-2

4″CZ Prime Silizium Wafer-3

4″ CZ Prime Siliziumwafer

4″CZ Prime Silizium Wafer-2

4″CZ Prime Silizium Wafer-6

4″CZ Prime Silizium Wafer-7

4″CZ Prime Silizium Wafer-8

4″CZ Prime Silizium Wafer-9

4″CZ Prime Silizium Wafer-10

4″CZ Prime Siliziumwafer-11

4″CZ Prime Silizium Wafer-12

4″CZ Prime Silizium Wafer-13

4″CZ Prime Siliziumwafer-14

4″CZ Prime Siliziumwafer-15

4″CZ Prime Siliziumwafer-16

2″CZ Prime Siliziumwafer

2″CZ Prime Silizium Wafer-1

2″CZ Prime Silizium Wafer-2

2″CZ Prime Silizium Wafer-3

2″CZ Prime Siliziumwafer-4

3″CZ Prime Siliziumwafer

3″CZ Prime Silizium Wafer-1

6″ CZ Prime Wafer 1

12″ Siliziumwafer 300 mm TOX (Si Thermal Oxidation Wafer)

12″ erstklassiger Siliziumwafer

4″ CZ Epitaxie-Prime-Siliziumwafer-3

2″ Siliziumoxid-Wafer

3″ Siliziumoxid-Wafer

4″ Siliziumoxid-Wafer

3″ CZ Si-geläppter Wafer

8″ CZ Siliziumwafer SSP

COP-freier Wafer

Siliziumwafer für Wafer-Bonding

Hochdotierter Siliziumwafer

Siliziumdiodenwafer für TVS-Diode

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