Siliziumepitaxialwafers

Epitaxialer Siliziumwafer

Silizium-Epitaxiewafer (Epi-Wafer) ist eine Schicht aus epitaktischem Silizium-Einkristall, die auf einem Einkristall-Siliziumwafer abgeschieden wird (Hinweis: Es ist möglich, eine Schicht aus polykristalliner Siliziumschicht auf einem hochdotierten einkristallinen Siliziumwafer zu züchten, aber es benötigt eine Pufferschicht (z. B. Oxid oder Poly-Si) zwischen dem Bulk-Si-Substrat und der obersten epitaxialen Siliziumschicht. Es kann auch für Dünnschichttransistoren verwendet werden.

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

Siliziumepitaxialwafers

Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer)is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystalSiliziumwafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

The methods for preparing epitaxial silicon wafers include vapor phase epitaxy, liquid phase epitaxy, molecular beam epitaxy and so on. Among them, chemical vapor deposition (CVD)-based vapor phase epitaxy is the main silicon epitaxial growth process. Commonly used sources are SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 and SiH4.

In order to meet the needs of various semiconductor devices, various silicon epitaxial technologies have been generated for epitaxial silicon wafer production. In addition to the silicon epitaxial growth in low temperature epitaxy and reduced pressure epitaxy, there is also selective epitaxy that deposits a silicon epitaxial layer on a specific part of the silicon wafer.

Die Epitaxieschicht kann beim Abscheiden auf die genaue Dotierungskonzentration dotiert werden, während die Kristallstruktur des Substrats fortgesetzt wird.

Epilayer-Widerstand: <1 Ohm-cm bis 150 Ohm-cm

Epilayer-Dicke: <1 um bis zu 150 um

Struktur: N / N +, N- / N / N +, N / P / N +, N / N + / P-, N / P / P +, P / P +, P- / P / P +.

Wafer-Anwendung: Digital-, Linear-, Power-, MOS- und BiCMOS-Geräte.

Unsere Vorteile auf einen Blick

1.Advanced epitaxial growth equipment, test equipment and epitaxial silicon technology.

2. Bieten Sie höchste Qualität bei geringer Fehlerdichte und guter Oberflächenrauheit.

3.Starker Support des Forschungsteams und technologischer Support für unsere Kunden

 

150 mm Wafer-Spezifikation:

Artikel   Spezifikation
Substrat Subspezifikation Nr.  
Barrenwachstumsmethode CZ
Leitfähigkeitstyp N
Dotierstoff Als
Orientierung (100) ± 0,5 °
Der spezifische Widerstand ≤ 0,005 Ohm cm
RRG ≤15%
[Oi] Inhalt 8 ~ 18 ppma
Durchmesser 150 ± 0,2 mm
Primäre Wohnung Länge 55 ~ 60 mm
Primäre Wohnung Standort {110} ± 1 °
Zweitens flache Länge halb
Zweitens flache Lage halb
Dicke 625 ± 15 um
Rückseite Eigenschaften:  
1 、 BSD / Poly-Si (A) 1.BSD
2 、 SIO2 2.LTO: 5000 ± 500 A.
3 、 Kantenausschluss 3.EE:?0.6 mm
Laserbeschriftung KEINER
Vorderseite Spiegel poliert
Epi Struktur N / N +
Dotierstoff Phos
Dicke 3 ± 0,2 um
Thk.Uniformity ≤5%
Messposition Mitte (1 Punkt) 10 mm von der Kante entfernt (4 Punkte bei 90 Grad)
Berechnung [Tmax-Tmin] ÷ [[Tmax + Tmin] X 100%
Der spezifische Widerstand 2,5 ± 0,2 Ohm cm
Res.Uniformity ≤5%
Messposition Mitte (1 Punkt) 10 mm von der Kante entfernt (4 Punkte bei 90 Grad)
Berechnung [Rmax-Rmin] ÷ [[Rmax + Rmin] X 100%
Stapelfehlerdichte ≤2 (ea / cm2)
Dunst KEINER
Scratches KEINER
Krater 、 Orangenschale 、 KEINER
Randkrone ≤ 1/3 Epi-Dicke
Schlupf (mm) Gesamtlänge ≤ 1Dia
Fremdstoff KEINER
Kontamination der Rückseite KEINER
Gesamtpunktfehler (Partikel) ≤ 30 @ 0,3 um

Silicon Epi Wafers Sale-1

Silicon Epi Wafers Sale-2

6 "Silicon EPI Wafer

4 "Silicon EPI Wafer-1

4 "Silicon EPI Wafer-2

4 "Silicon Wafer EPI-3

4 "Silicon EPI Wafer-4

4 "Silicon EPI Wafer-5

4 "Silicon EPI Wafer-6

3 "Silicon EPI Wafer-1

3 "Silicon EPI Wafer-2

3 "Silicon Wafer EPI-3

4″ Epitaxial Silicon Wafer

Silicon Epitaxy Growth with Boron Dopant by VPE

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