Epitaxialer Siliziumwafer
Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.
- Beschreibung
Produktbeschreibung
Siliziumepitaxialwafers
Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer)is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystalSiliziumwafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.
The methods for preparing epitaxial silicon wafers include vapor phase epitaxy, liquid phase epitaxy, molecular beam epitaxy and so on. Among them, chemical vapor deposition (CVD)-based vapor phase epitaxy is the main silicon epitaxial growth process. Commonly used sources are SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 and SiH4.
In order to meet the needs of various semiconductor devices, various silicon epitaxial technologies have been generated for epitaxial silicon wafer production. In addition to the silicon epitaxial growth in low temperature epitaxy and reduced pressure epitaxy, there is also selective epitaxy that deposits a silicon epitaxial layer on a specific part of the silicon wafer.
Die Epitaxieschicht kann beim Abscheiden auf die genaue Dotierungskonzentration dotiert werden, während die Kristallstruktur des Substrats fortgesetzt wird.
Epilayer-Widerstand: <1 Ohm-cm bis 150 Ohm-cm
Epilayer-Dicke: <1 um bis zu 150 um
Struktur: N / N +, N- / N / N +, N / P / N +, N / N + / P-, N / P / P +, P / P +, P- / P / P +.
Wafer-Anwendung: Digital-, Linear-, Power-, MOS- und BiCMOS-Geräte.
Unsere Vorteile auf einen Blick
1.Advanced epitaxial growth equipment, test equipment and epitaxial silicon technology.
2. Bieten Sie höchste Qualität bei geringer Fehlerdichte und guter Oberflächenrauheit.
3.Starker Support des Forschungsteams und technologischer Support für unsere Kunden
150 mm Wafer-Spezifikation:
| Artikel | Spezifikation | |
| Substrat | Subspezifikation Nr. | |
| Barrenwachstumsmethode | CZ | |
| Leitfähigkeitstyp | N | |
| Dotierstoff | Als | |
| Orientierung | (100) ± 0,5 ° | |
| Der spezifische Widerstand | ≤ 0,005 Ohm cm | |
| RRG | ≤15% | |
| [Oi] Inhalt | 8 ~ 18 ppma | |
| Durchmesser | 150 ± 0,2 mm | |
| Primäre Wohnung Länge | 55 ~ 60 mm | |
| Primäre Wohnung Standort | {110} ± 1 ° | |
| Zweitens flache Länge | halb | |
| Zweitens flache Lage | halb | |
| Dicke | 625 ± 15 um | |
| Rückseite Eigenschaften: | ||
| 1 、 BSD / Poly-Si (A) | 1.BSD | |
| 2 、 SIO2 | 2.LTO: 5000 ± 500 A. | |
| 3 、 Kantenausschluss | 3.EE:?0.6 mm | |
| Laserbeschriftung | KEINER | |
| Vorderseite | Spiegel poliert | |
| Epi | Struktur | N / N + |
| Dotierstoff | Phos | |
| Dicke | 3 ± 0,2 um | |
| Thk.Uniformity | ≤5% | |
| Messposition | Mitte (1 Punkt) 10 mm von der Kante entfernt (4 Punkte bei 90 Grad) | |
| Berechnung | [Tmax-Tmin] ÷ [[Tmax + Tmin] X 100% | |
| Der spezifische Widerstand | 2,5 ± 0,2 Ohm cm | |
| Res.Uniformity | ≤5% | |
| Messposition | Mitte (1 Punkt) 10 mm von der Kante entfernt (4 Punkte bei 90 Grad) | |
| Berechnung | [Rmax-Rmin] ÷ [[Rmax + Rmin] X 100% | |
| Stapelfehlerdichte | ≤2 （ea / cm2） | |
| Dunst | KEINER | |
| Scratches | KEINER | |
| Krater 、 Orangenschale 、 | KEINER | |
| Randkrone | ≤ 1/3 Epi-Dicke | |
| Schlupf (mm) | Gesamtlänge ≤ 1Dia | |
| Fremdstoff | KEINER | |
| Kontamination der Rückseite | KEINER | |
| Gesamtpunktfehler (Partikel) | ≤ 30 @ 0,3 um |
Silicon Epitaxy Growth with Boron Dopant by VPE
Epitaxy Wafer of Silicon for Integrated Waveguide Optics
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