Ätzen Wafer

Produktbeschreibung

Wafer ätzen

Die von PAM-XIAMEN angebotenen geätzten Siliziumwafer sind N-Typ- oder P-Typ-Ätzwafer, die eine geringe Rauhigkeit, ein geringes Reflexionsvermögen und ein hohes Reflexionsvermögen aufweisen. Der geätzte Wafer hat die Eigenschaften geringer Rauhigkeit, guten Glanzes und relativ niedriger Kosten und ersetzt direkt den polierten Wafer oder epitaxialen Wafer, der relativ hohe Kosten zur Herstellung der elektronischen Elemente auf einigen Gebieten hat, wodurch die Kosten gesenkt werden.

Unsere Vorteile auf einen Blick

• Fortgeschrittene Epitaxie-Wachstumsausrüstung und Testausrüstung.
• Bieten höchste Qualität bei geringer Defektdichte und guter Oberflächenrauigkeit.
• Starke Unterstützung des Forschungsteams und Technologieunterstützung für unsere Kunden

1. Spezifikationen für FZ-Ätzwafer

Typ	Leitungsart	Orientierung	Durchmesser Umfang (mm)	Widerstandsbereich (Ω cm)	Geometrischer Parameter, Körnigkeit, Oberflächenmetall
FZ	N & P.	<100> & <111>	76.2-200	>1000	T≥180（um）TTV≤2（um）TIR≤2（um）das maximale Reflexionsvermögen könnte 90 % betragen
NTDFZ	N	<100> & <111>	76.2-200	30-800
CFZ	N & P.	<100> & <111>	76.2-200	1-50
GDFZ	N & P.	<100> & <111>	76.2-200	0.001-300

2. CZ-Ätzwafer-Spezifikationen

Typ	Leitungsart	Orientierung	Durchmesser Umfang (mm)	Widerstandsbereich (Ω cm)	Geometrischer Parameter, Körnigkeit, Oberflächenmetall
MCZ	N & P.	<100> <110> & <111>	76.2-200	1-300	T≥180（um）TTV≤2（um）TIR≤2（um）das maximale Reflexionsvermögen könnte 90 % betragen
CZ	N & P.	<100> <110> & <111>	76.2-200	1-300
MCZ stark dotiert	N & P.	<100> <110> & <111>	76.2-200	0.001-1

 

3. Über den geätzten Waferprozess

Die vorhandenen polykristallinen Siliziumwafer werden durch einen quaderförmigen Kristallblock in einer Mehrlinien-Schneidesäge in Stücke von polykristallinen Siliziumquadratwafern geschnitten. Da das Schneiden dadurch erfolgt, dass der Stahldraht unter Einwirkung von Schmirgellösung wiederholt in Siliziumwafer geschnitten wird, ist die Schmirgelhärte sehr hoch, was zu einer gewissen mechanischen Beschädigung der Siliziumwaferoberfläche führt. Wird der Schaden nicht beseitigt, wirkt sich dies auf den Füllfaktor der Geräte aus.

Das Ätzen von Siliziumwafern bezieht sich auf die Verwendung von Natriumhydroxid zum Korrodieren von Polysilizium, um die Oberflächenbeschädigungsschicht zu entfernen, die durch das Schneiden des Siliziumwafers mit einer Mehrdrahtsäge erzeugt wird. Gleichzeitig wird die Anisotropie von Natronlauge auf Siliziumkorrosion genutzt, um eine Oberflächentextur mit geringerer Reflektivität anzustreben.

Vergleich des Säureätz- und Alkaliätzprozesses von Siliziumwafern

Parameter	Säureätzverfahren	Alkali-Ätzverfahren
Ätzeigenschaften	Isotrop	Anisotropie
Hitzekorrosionsreaktion	Exotherm	Endothermisch
Oberflächenebenheit (STIR/TIR/TTV)	Sie müssen sich auf die Drehung des Wafers und eine spezielle Halterung verlassen. Verbessern Sie die Ebenheit der Oberfläche, indem Sie die korrosive Flüssigkeit vollständig durch Gas, spezielle Mechanismen und technologische Mittel mischen.	Eine gewisse Oberflächenebenheit kann ohne spezielle Mechanik erreicht werden.
Oberflächenrauheit nach dem Ätzen (Ra)	Die geätzte Siliziumwaferoberfläche ist kleiner als beim alkalischen Ätzprozess und steht im Zusammenhang mit der ursprünglichen Beschädigung des Wafers.	Die geätzte Siliziumwaferoberfläche ist größer als beim Säureätzprozess und hängt mit dem ursprünglichen Beschädigungsgrad des Wafers zusammen.
Restpartikel auf der Waferoberfläche	Die Partikel, die sich bereits auf der Oberfläche des Wafers befinden, sind schwer zu entfernen, und die geringe Oberflächenrauhigkeit ist nicht einfach, Partikel zu adsorbieren.	Die Partikel, die auf der Oberfläche des Wafers existiert haben, sind leicht zu entfernen, und die schlechte Oberflächenrauhigkeit ist einfach, die Partikel zu absorbieren.
Metallverschmutzungsgrad (Cu/Ni)	Die Reinheit der korrosiven Flüssigkeit ist relativ hoch, die Korrosionstemperatur ist relativ niedrig und der Grad der Metalldiffusion ist gering.	Die Reinheit der korrosiven Flüssigkeit ist relativ schlecht, die Korrosionstemperatur ist hoch, die Metalldiffusion ist groß und die (111)-Kristallorientierung ist schwerwiegender als die (100)-Kristallorientierung.
Oberflächenätzstellen Verbleibende Drucke	Die Transferzeit des Wafers von der Ätzlösung zum Wasser muss weniger als 0,6 s betragen, um das Auftreten von Spots wirksam zu verhindern. Es ist wahrscheinlicher, dass die Wafer mit niedrigerem spezifischem Widerstand Flecken erzeugen.	Die Transferzeit des Wafers von der Ätzlösung zum Wasser muss weniger als 2 s betragen, um das Auftreten von Flecken, die nichts mit dem spezifischen Widerstand des Wafers zu tun haben, wirksam zu verhindern.
Lebensdauer des Korrosionsbehälters	kürzer	mehr
Prozesskosten	Die verwendeten chemischen Reagenzien sind etwa 2-mal teurer als die zum Alkaliätzen verwendeten chemischen Reagenzien.	Die verwendeten chemischen Reagenzien sind billiger.
Umweltschutzbehandlung	Umweltschutz Behandlung ist relativ kompliziert.	Umweltbehandlung ist relativ einfach.

 

In der Halbleiterfertigung gibt es zwei grundlegende Verfahren zum Ätzen von Siliziumwafern: Trockenätzen und Nassätzen.

Beim Trockenätzen von Siliziumwafern wird die Oberfläche des Siliziumwafers dem im gasförmigen Zustand erzeugten Plasma ausgesetzt. Das Plasma tritt durch das im Photoresist geöffnete Fenster und reagiert physikalisch oder chemisch mit dem Siliziumwafer, wodurch das freigelegte Oberflächenmaterial entfernt wird. Dies ist das Plasmaätzen von Wafern. Trockenätzen ist das wichtigste Verfahren zum Ätzen von Bauelementen im Submikrometerbereich.

Beim Nassätzen entfernen flüssige chemische Reagenzien (wie Säuren, Laugen, Lösungsmittel usw.) das Material auf der Oberfläche des Siliziumwafers chemisch. Nassätzen wird im Allgemeinen nur für größere Größen (größer als 3 Mikron) verwendet. Nassätzen dient immer noch zum Ätzen von Epitaxiewafern auf dem Siliziumsubstrat oder zum Entfernen von Rückständen nach dem Trockenätzen.

4. Grundvoraussetzungen für das Ätzen von Wafern:

Eine ideale Ätzung in der Waferherstellung muss folgende Eigenschaften aufweisen:

• Anisotropes Ätzen: nur vertikales Ätzen, kein seitliches Unterätzen. Nur so kann sichergestellt werden, dass exakt das gleiche geometrische Muster wie auf dem Resist auf die geätzte Folie kopiert wird;
• Gute Ätzselektivität: Für den als Maske verwendeten Resist und eine weitere Schicht darunter ist die Ätzrate des Films oder Materials viel niedriger als die Ätzrate des zu ätzenden Films, was die Wirksamkeit der Resistmaskierung während des Waferätzvorgangs gewährleistet und verhindern Schäden an anderen Materialien unter dem Film durch Überätzen;
• Aufgrund der großen Verarbeitungscharge, der geringen Kosten und der geringen Umweltverschmutzung ist der Wafer-Ätzmechanismus für die industrielle Produktion geeignet.

6 "FZ Prime Silicon Wafer-3

6″ FZ-Siliziumwafer mit Durchmesser 150 mm, beidseitig geätzt

8 "Silicon Wafer As-Cut