Float-Zone Mono-Crystalline Silicon
PAM-XIAMEN kann Float-Zone-Siliziumwafer anbieten, die nach dem Float-Zone-Verfahren hergestellt werden. Monokristalline Siliziumstäbe werden durch Wachstum in der Floatzone gewonnen und anschließend werden die monokristallinen Siliziumstäbe zu Siliziumwafern verarbeitet, die als Floatzonen-Siliziumwafer bezeichnet werden. Da der zonengeschmolzene Siliziumwafer während des Schwebezonen-Siliziumprozesses keinen Kontakt mit dem Quarztiegel hat, befindet sich das Siliziummaterial in einem suspendierten Zustand. Dadurch wird es während des Schwebezonenschmelzprozesses von Silizium weniger verschmutzt. Der Kohlenstoffgehalt und der Sauerstoffgehalt sind geringer, die Verunreinigungen sind geringer und der spezifische Widerstand ist höher. Es eignet sich für die Herstellung von Leistungsgeräten und bestimmten elektronischen Hochspannungsgeräten.
- Description
Produktbeschreibung
PAM-XIAMEN kann Float-Zone-Siliziumwafer anbieten, die nach dem Float-Zone-Verfahren hergestellt werden. Monokristalline Siliziumstäbe werden durch Wachstum in der Floatzone gewonnen und anschließend werden die monokristallinen Siliziumstäbe zu Siliziumwafern verarbeitet, die als Floatzonen-Siliziumwafer bezeichnet werden. Da der zonengeschmolzene Siliziumwafer während des Schwebezonen-Siliziumprozesses keinen Kontakt mit dem Quarztiegel hat, befindet sich das Siliziummaterial in einem suspendierten Zustand. Dadurch wird es während des Schwebezonenschmelzprozesses von Silizium weniger verschmutzt. Der Kohlenstoffgehalt und der Sauerstoffgehalt sind geringer, die Verunreinigungen sind geringer und der spezifische Widerstand ist höher. Es eignet sich für die Herstellung von Leistungsgeräten und bestimmten elektronischen Hochspannungsgeräten.
1. Spezifikation für Float-Zone-Siliziumwafer
| yp | Leitungstyp | Orientierung | Durchmesser (mm) | Leitfähigkeit (Ω·cm) |
| Hohe Resistenz | N & P. | <100>&<111> | 76.2-200 | >1000 |
| NTD | N | <100>&<111> | 76.2-200 | 30-800 |
| CFZ | N & P. | <100>&<111> | 76.2-200 | 1-50 |
| GD | N & P. | <100>&<111> | 76.2-200 | 0,001-300 |
1.1 Spezifikation für Floating-Zone-Siliziumwafer
| Barrenparameter | Artikel | Beschreibung |
| Anbaumethode | FZ | |
| Orientierung | <111> | |
| Orientierungslos | 4 ±0,5 Grad auf den nächsten <110> | |
| Typ/Dotierstoff | P/Bor | |
| Widerstand | 10-20 W.cm | |
| RRV | ≤15 % (Max. Kanten-Cen)/Cen |
1.2 FZ-Siliziumwafer-Spezifikation
| Meter | Artikel | Beschreibung |
| Durchmesser | 150 ± 0,5 mm | |
| Dicke | 675 ± 15 um | |
| Primäre flache Länge | 57,5 ± 2,5 mm | |
| Primäre flache Ausrichtung | <011>±1 Grad | |
| Sekundäre flache Länge | Keiner | |
| Sekundäre flache Ausrichtung | Keiner | |
| TTV | ≤5 ähm | |
| Bogen | ≤40 um | |
| Kette | ≤40 um | |
| Kantenprofil | SEMI-Standard | |
| Vorderseite | Chemisch-mechanisches Polieren | |
| LPD | ≥0,3 um@≤15 Stk | |
| Rückseite | Säuregeätzt | |
| Kantenchips | Keiner | |
| Paket | Vakuumverpackung; Innen aus Kunststoff, außen aus Aluminium |
2. Monokristallines Silizium mit FloatzoneKlassifikationen
2.1 FZ-Silizium
Das monokristalline Silizium mit den Eigenschaften geringer Fremdstoffgehalt, geringer Defektdichte und perfekter Kristallstruktur wird mit dem Float-Zone-Siliziumverfahren hergestellt; Während des Siliziumkristallwachstums in der Floatzone wird kein Fremdmaterial eingeführt. DerFZ-SiliziumDie Leitfähigkeit liegt normalerweise über 1000 Ω-cm, und ein Floatzone-Silizium mit einem solchen hohen spezifischen Widerstand wird hauptsächlich zur Herstellung von Hochspannungselementen und fotoelektronischen Geräten verwendet. Es kann auch für Trockenätzverfahren verwendet werden.
2.2 NTDFZ-Silizium
Das monokristalline Silizium mit hohem spezifischem Widerstand und Gleichmäßigkeit kann durch Neutronenbestrahlung von FZ-Silizium erreicht werden, um die Ausbeute und Gleichmäßigkeit der hergestellten Elemente sicherzustellen, und wird hauptsächlich zur Herstellung des Siliziumgleichrichters (SR) und der Siliziumsteuerung (SCR) verwendet. , Riesentransistor (GTR), Gate-Turn-Off-Thyristor (GTO), statischer Induktionsthyristor (SITH), Insulate-Gate-Bipolartransistor (IGBT), zusätzliche HV-Diode (PIN), Smart Power und Leistungs-IC usw.; Es ist das Hauptfunktionsmaterial für verschiedene Frequenzumrichter, Gleichrichter, Hochleistungssteuerelemente, neue leistungselektronische Geräte, Detektoren, Sensoren, fotoelektronische Geräte und spezielle Leistungsgeräte.
FZ NTD-Siliziumwafer mit gleichmäßiger Dotierungskonzentration
2.3 GDFZ-Silizium
Unter Verwendung des Fremdmaterialdiffusionsmechanismus wird das Fremdmaterial in der Gasphase während des monokristallinen Schwebezonen-Siliziumprozesses hinzugefügt, um das Dotierungsproblem des Schwebezonenprozesses von der Wurzel aus zu lösen und das GDFZ-Silizium vom N-Typ zu erhalten oder P-Typ, hat einen spezifischen Widerstand von 0,001–300 Ω.cm, eine relativ gute Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstands und Neutronenbestrahlung. Es eignet sich für die Herstellung verschiedener Halbleiter-Leistungselemente, Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) und hocheffizienter Solarzellen usw.
2,4 CFZ-Silizium
Das monokristalline Silizium wird mit der Kombination von Czochralski- und Float-Zone-Verfahren hergestellt und weist eine Qualität auf, die zwischen dem monokristallinen CZ-Silizium und dem monokristallinen FZ-Silizium liegt. Die speziellen Elemente können dotiert sein, beispielsweise Ga, Ge und andere. Die CFZ-Silizium-Solarwafer der neuen Generation sind in jedem Leistungsindex besser als verschiedene Siliziumwafer in der globalen PV-Industrie; Der Umwandlungswirkungsgrad des Solarmoduls beträgt bis zu 24–26 %. Die Produkte werden hauptsächlich in hocheffizienten Solarbatterien mit spezieller Struktur, Rückkontakt, HIT und anderen Spezialprozessen eingesetzt und werden häufiger in den Bereichen LED, Leistungselemente, Automobil, Satellit und anderen verschiedenen Produkten und Bereichen eingesetzt.
Unsere Vorteile auf einen Blick
1.Fortgeschrittene Epitaxie-Wachstumsausrüstung und Testausrüstung.
2. Bieten Sie höchste Qualität mit geringer Defektdichte und guter Oberflächenrauheit des Float-Zone-Siliziums.
3. Starke Unterstützung des Forschungsteams und Technologieunterstützung für unsere Kunden
Von FZ gezüchteter Si-MEMS-Wafer
4″ FZ Prime Silicon Wafer
3″ FZ Prime Siliziumwafer, Dicke: 350 ± 15 µm
4″ FZ Prime Siliziumwafer, Dicke: 400 µm +/- 25 µm
4″FZ Prime Siliziumwaferdicke: 400 µm +/-25 µm-2
4″ FZ-Siliziumbarren mit einem Durchmesser von 100,7 ± 0,3 mm
3″ FZ-Siliziumwafer-Dicke: 229–249 μm –1
3″ FZ-Siliziumwafer-Dicke: 229–249 μm –2
FZ Intrinsische undotierte Siliziumwafer
1″ FZ-Siliziumbarren mit einem Durchmesser von 25 mm
2″ FZ-Siliziumbarren mit einem Durchmesser von 50 mm
2″ FZ Intrinsischer Siliziumwafer
4″ FZ Intrinsic Silizium Wafer SSP
4″ FZ Intrinsic Silizium Wafer DSP
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6″ FZ-Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 150 mm, beidseitig geätzt
6″ FZ-Siliziumbarren mit einem Durchmesser von 150,7 ± 0,3 mm Ø
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