Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward

Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward

Single crystal germanium wafer with orientation (110) miscut toward <111> with 4 deg. or 12 deg. is provided without dopant. Due to the similar chemical properties with silicon, single crystal germanium has similar applications. While hall effect germanium wafer has higher sensitivity to gamma radiation, and is effective for detecting the applications of photo. Therefore, single crystal germanium wafer is the prime option for applications with high photodetction requirement, such as LEDs, fiber optics, solar cells and infrared optics. More about the Ge-Wafer(110) mit Fehlschnitt in Richtung <111> siehe unten:

Einkristallgermanium

1. Spezifikationen von monokristallinem Ge mit Fehlschnitt

Nr.1 einkristalliner Ge-Wafer (PAMP21040)

4 Zoll Ge (110) Wafer mit 4 Grad. ab in Richtung <111>

Undotiert,

Dicke: 300 ± 25 um

Einseitiger poliert

Nr.2 Einkristall-Ge-Substrat (PAMP21256)

4 Zoll Ge (110), Fehlschnitt in Richtung <111> mit 12 Grad. Wafer

Undotiert,

Dicke: 300 ± 25 um

Einseitiger poliert

Die Kristallorientierung von '(110) Wafer mit Fehlschnitt in Richtung <111>' ist die gleiche wie im folgenden Bild:

Einkristall-Germanium-Wafer mit Orientierung (110) Fehlschnitt

Einkristall-Germanium-Wafer mit Orientierung (110) Fehlschnitt

2. Kriterium – Röntgenbeugungskriterium zur Erkennung der Orientierung von Einkristall-Germaniumwafern

Die Kristallorientierung des Germanium-Einkristallwafers kann durch das Röntgenbeugungsverfahren bestimmt werden. Insbesondere wenn ein Strahl monochromatischer Röntgenstrahlung mit einer Wellenlänge von auf die Oberfläche eines Germaniumkristalls einfällt und der Streifwinkel θ zwischen der Hauptkristallebene des Kristalls dem Braggschen Gesetz entspricht, tritt Röntgenbeugung auf. Der Zähler wird verwendet, um die Beugungslinie zu detektieren, und die Hauptkristallorientierung des Kristalls kann entsprechend der Position der Beugungslinie bestimmt werden. Die Kristallorientierung des Germanium-Einkristalls wird durch ein Röntgenrichtungsinstrument bestimmt. Im Allgemeinen wird Ka-Strahlung von Kupfertargets verwendet. Nach dem Nickelfilter kann ungefähr monochromatische Röntgenstrahlung mit einer Wellenlänge von λ = 0,154178 nm erhalten werden. Bragg-Formel:

Adsin θ =nλ (1)

In Formel:

„θ“ ist der Bragg-Winkel (Streifenwinkel), Grad (Minuten);

„λ“ steht für Röntgenwellenlänge, λCuKa = 0,154178 nm;

„n“ ist ein Interferenzpegel, eine positive ganze Zahl;

„d“ ist der Abstand zwischen gebeugten Kristallebenen.

d=a/√h2+k2+l2(2)

In Formel:

„a“ ist die Gitterkonstante, a=5,6575(Ge);

„h, k, l“ repräsentieren den Kristallebenenindex (Miller-Index).

Der einfallende X-Strahl, der gebeugte X-Strahl und die Normale der Beugungsfläche liegen in derselben Ebene, und der Winkel zwischen dem gebeugten X-Strahl und dem durchgelassenen X-Strahl beträgt 2θ.

Wenn CuKd-Strahlung als einfallender Röntgenstrahl verwendet wird (in = 0,154178 nm), zeigt sich der Bragg-Winkel (Streifenwinkel), der an der Kristallebene mit niedrigem Index von Germanium beugt, wie in der folgenden Tabelle dargestellt:

Beugungswinkel Bragg-Winkel θ
h K l
1 1 1 13°39'
2 2 0 22°40'
3 1 1 26°52'
4 0 0 33°02'
3 3 1 36°26'
4 2 2 41°52'

 

Powerwaywafer

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

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