SOS (Silizium auf Saphir)

PAM XIAMEN bietet SOS (Silizium auf Saphir).

Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 100 mm Durchmesser x 0,46 mm, 2sp, Film: 0,5 & mgr; m dick,
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 100 mm Durchmesser x 0,46 mm, 2sp, Film: 0,6 & mgr; m dick,
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 100 mm Durchmesser x 0,46 mm, 2sp, Film: 1,0 & mgr; m dick,
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 100 mm Durchmesser x 0,5 mm, 1sp, Film: 0,6 & mgr; m dick,
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 10mmx 10mmx0.46mm, 2sp, Film: 0,5 um dicker
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 10mmx 10mmx0.46mm, 2sp, Film: 0,6 um dicker
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 10mmx 10mmx0.46mm, 2sp, Film: 1,0 um dicker
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 10mmx 5mmx0.46 mm, 2sp, Film: 0.5um dicke
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 10mmx10mm x0.5mm ,, 1sp Film: 0.6um dicke
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 5mmx 5mmx0.46 mm, 2sp, Film: 0.5um dicke
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 5mmx 5mmx0.46 mm, 2sp, Film: 0.6um dicke
Silizium-auf-Saphir (11-02, R-Ebene), 5mmx 5mmx0.46 mm, 2sp, Film: 1.0um dicke

Für weitere Informationen, besuchen Sie bitte unsere Website: https://www.powerwaywafer.com,
Bitte senden Sie uns E-Mail an sales@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com

Gefunden 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) ist ein führender Hersteller von Halbleitermaterial in China.PAM-XIAMEN entwickeln fortschrittliches Kristallwachstum und die Epitaxie-Technologien, Herstellungsverfahren, engineered Substrate und Halbleitervorrichtungen.PAM-Xiamens Technologien ermöglichen eine höhere Leistung und geringeren Kosten der Herstellung von Halbleiter-Wafers.

Mit mehr als 25 + Jahren Erfahrungen in dem Verbindungshalbleitermaterial Feld und Export-Geschäft, unser Team können Ihnen versichern, dass wir Ihre Anforderungen verstehen und mit Ihrem Projekt professionell beschäftigen.

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