Dreidimensionale InP-DHBT auf SiGe-BiCMOS-Integration mittels Wafer-Bonding auf Benzocyclobuten-Basis für MM-Wellen-Schaltungen
Highlights •Das Herstellungsschema für heterogene Si-zu-InP-Schaltkreise auf Waferebene wird beschrieben. •Wafer-zu-Wafer-Ausrichtungsgenauigkeit von besser als 4–8 μm nach dem Bonden erreicht. •Verbindungen mit hervorragender Leistung bis 220 GHz nachgewiesen. •Palladiumbarriere erforderlich, wenn Al-basierte Technologie mit einer goldbasierten Technologie kombiniert wird. Zusammenfassung Um von den Materialeigenschaften sowohl der InP-HBT- als auch der SiGe-BiCMOS-Technologie zu profitieren, [...]