Siliziumwafer mit Testqualität-4

Siliziumwafer mit Testqualität-4

PAM XIAMEN bietet Siliziumwafer in Testqualität an

Nachfolgend finden Sie nur eine kurze Liste der Siliziumsubstrate in Testqualität!

Zoll Kundenklasse Dotierstoff Typ Orientierung PFL-Länge PFL-Richtung SFL Aus Ausrichtung Der spezifische Widerstand Durchmesser Dicke Bogen TTV Kette
6 DSP Bor P 100 0,0 ± 0,0 110 ± 0,20 0,0 ± 0,1 ° 1 – 20 Ohmcm 150,0 ± 0,2 mm 675 ± 5 um 60 3
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 30 – 50 Ohmcm 150 ± 0,3 mm 300 ± 5 µm 30 1 30
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 0,01 – 0,02 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 300 ± 10 µm 50 5 50
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 0,5° 5 – 8,5 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 525 ± 5 µm 30 2 30
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,20 0,0 ± 0,2° 1 – 20 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 250 ± 5 µm 2 40
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 1 – 10 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 283,5 ± 2,5 um 1,25
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,20 0,0 ± 0,2° 1 – 10 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 650 ± 5 µm 1
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 0,010 – 0,020 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 500 ± 10 µm 30 2 30
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 0,010 – 0,020 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 500 ± 10 µm 30 2 30
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 90 ± 5,0 °, 20,00 ± 2,50 mm 0,0 ± 0,5° 5 – 7 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 390 ± 5 µm 38 5
6 DSP Bor P 100 47,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0 ± 0,5° 3 – 7 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 385 ± 5 µm 40 5 40
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 90 ± 5,0 °, 20,00 ± 2,5 mm 0,0 ± 0,5° 5 – 7 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 435 ± 5 µm 38 5
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 90 ± 5,0 °, 20,00 ± 2,5 mm 0,0 ± 0,5° 5 – 7 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 435 ± 5 µm 38 5
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,2° 1 – 20 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 450 ± 5 µm 20 2 50
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 90 ± 5,0 °, 37,50 ± 2,50 mm 0,0 ± 0,5° 0,020 – 0,025 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 381µm -10+5µm 1,4
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 90 ± 5,0 °, 37,50 ± 2,50 mm 0,0 ± 0,5° 0,020 – 0,025 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 300 ± 7,5 µm 1,4
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 1 – 10 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 390 ± 5 µm 38 5
6 DSP Bor P 100 47,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 1,0° 10 – 50 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 400 ± 5 µm 40 2 40
6 DSP Bor P 100 47,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 1,0° 10 – 50 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 455 ± 5 µm 40 2 40
6 DSP Bor P 100 47,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 1,0° 10 – 50 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 475 ± 5 um 40 2 40
6 DSP Bor P 100 47,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 70 – 130 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 1000 ± 10 µm 50 5 50
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 0,010 – 0,050 Ohmcm 150 ± 0,3 mm 400 ± 7 µm 30 1 30
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 0,5° 5 – 8,5 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 525 ± 5 µm 30 2 29,99
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 5 – 100 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 380 ± 5 µm 5 40
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,2° 1 – 10 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 600 ± 5 µm 20 2 30
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 1 – 5 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 650 ± 10 µm 49,99 1,99 49,99
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 1,0° 1 – 10 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 380 ± 5 µm 30 2 30
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 15 – 25 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 400 ± 5 µm 30 4 30
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 1 – 10 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 390 ± 5 µm 38 5
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 90 ± 5,0 °, 20,00 ± 2,50 mm 0,0 ± 0,5° 1 – 10 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 390 ± 5 µm 38 5
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 90 ± 5,0 °, 20,00 ± 2,5 mm 0,0 ± 0,5° 5 – 7 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 435 ± 5 µm 38 5
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 15 – 25 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 525 ± 5 µm 30 4 30
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 0,5° 6 – 8,5 Ohmcm 150,0 ± 0,2 mm 380 ± 5 µm 5 60
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 0,5° 5 – 8,5 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 525 ± 5 µm 5,5 30
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 5 – 8,5 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 525 ± 5 µm 30 2 30
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,20 0,0 ± 0,2° 0,015 – 0,025 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 800 ± 5 µm 150 1,5 150
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 6 – 8,5 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 380 ± 10 µm
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 5 – 8,5 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 525 ± 5 µm 30 2 29,99
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 0,007 – 0,020 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 300 ± 5 µm 1
6 DSP Bor P 100 47,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 1° 1 – 10 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 400 ± 20 µm
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 0,5° 6 – 8,5 Ohmcm 150,0 ± 0,2 mm 380 ± 10 µm 5 40
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,20 0,0 ± 0,2° 0,015 – 0,025 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 800 ± 5 µm 150 1,5 150
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 90 ± 5,0 °, 20,00 ± 2,50 mm 0 ± 0,5° 5 – 7 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 390 ± 5 µm 38 5
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 90 ± 5,0 °, 20,00 ± 2,50 mm 0,0 ± 0,5° 5 – 7 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 483 ± 5 um 40 5 40
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,10 0,0 ± 0,03° 2,4 – 3,6 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 400 ± 10 µm 40 3 40
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 3 – 7 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 385 ± 5 µm 40 3 40
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 2,55 – 3,45 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 400 ± 10 µm 40 3 40
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 1 – 10 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 400 ± 10 µm
6 DSP Bor P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 1 – 30 Ohmcm 150 ± 0,5 mm 600 ± 10 µm 20 0,7 30
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0,0 ± 0,5° 0,010 – 0,020 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 300 ± 10 µm
6 DSP Bor P+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0,0 ± 0,5° 0,015 – 0,025 Ohmcm 150 ± 0,2 mm 800 ± 5 µm 150 1,5 150

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website:https://www.powerwaywafer.com,
Bitte senden Sie uns E-Mail an sales@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) wurde 1990 gegründet und ist ein führender Hersteller von Halbleitermaterialien in China. PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. PAM-XIAMEN's Technologien ermöglichen eine leistungsfähigere und kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.

Sie können unseren kostenlosen Technologieservice von der Anfrage bis zum Kundendienst erhalten, basierend auf unseren über 25 Erfahrungen in der Halbleiterfertigung.

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