PAM XIAMEN bietet Titanoxid-TiO2-Kristallsubstrate an.
| Hauptparameter | |
| Kristallstruktur | Tetragonal, Rutil |
| Einheitszellenkonstante | a = 4,5936 Å c = 2,9582 Å |
| Dichte | 4,26 (g/cm3) |
| Schmelzpunkt | 1870℃ |
| Dielektrizitätskonstanten | dη/dT: a: -0,72×10^-6/k, c: -0,42×10^-6/k |
| Linearer Ausdehnungskoeffizient | 7,14 x 10-6 /℃ entlang einer Achse |
| 9,19 x 10-6 /℃ entlang der c-Achse | |
| Härte | 7 (Mohs) |
| Polieren | Einzel- oder Doppelseite poliert |
| Größe | 5 × 5 × 10 mm, 5 × 10 × 10 mm, 10 × 10 × 0,5 mm, andere Größen sind auf Anfrage erhältlich |
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte unsere Website:https://www.powerwaywafer.com,
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Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) wurde 1990 gegründet und ist ein führender Hersteller von Halbleitermaterialien in China. PAM-XIAMEN entwickelt fortschrittliche Kristallwachstums- und Epitaxietechnologien, Herstellungsprozesse, technische Substrate und Halbleiterbauelemente. PAM-XIAMEN's Technologien ermöglichen eine leistungsfähigere und kostengünstigere Herstellung von Halbleiterwafern.
Vor 1990 sind wir ein eigenes Forschungszentrum für Physik der kondensierten Materie. Im Jahr 1990 startete das Zentrum Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), heute ist es ein führender Hersteller von Verbindungshalbleitermaterial in China.