InP-Wafer

PAM-XIAMEN bietet VGF InP (Indiumphosphid) -Wafer mit prime oder Testnote einschließlich undotiert, N-Typ oder halbisolierend. Die Beweglichkeit der InP-Wafer ist unterschiedlich in unterschiedlichen Typs, undotierten one> = 3000cm2 / Vs, Typ N> 1000 oder 2000cm2V.s (abhängig von verschiedenen Dotierungskonzentration), P-Typ: 60 +/- 10 oder 80 +/- 10cm2 / vs (hängt von verschiedener Zn-Dotierungskonzentration) und halbisolierende one> 2000cm2 / vs, die EPD aus Indiumphosphid ist unterhalb von 500 / cm2 normal.

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

InP-Wafer

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InP wafer – Indium Phosphide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) or VGF(Vertical Gradient Freeze) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)or(100).And the dopants can be Sulphur,Sn(Tin), Zinc or customs. the Laser Mark as specified on backside of InP wafer along with primary flat. The orientation with slight deflection angle is available, such as (100)0.075°towards[110]]±0.025°

Indiumphosphid (InP) ist ein binärer Halbleiter aus Indium und Phosphor zusammengesetzt ist. Es hat eine kubisch-flächenzentrierten ( „zinc blende“) Kristallstruktur, identisch mit dem von GaAs und die meisten der III-V semiconductors.Indium Phosphid kann aus der Reaktion von weißem Phosphor und Indiumiodid [Klärungsbedarf] bei 400 hergestellt werden, ° C. [5], auch durch direkte Kombination der gereinigten Elemente bei hohen Temperatur und Druck oder durch thermische Zersetzung eines Gemisches aus einem Trialkyl Indiumverbindung und Phosphid. InP wird in Hochleistungs- und Hochfrequenzelektronik [Bearbeiten] wegen seiner überlegenen Elektronengeschwindigkeit in Bezug auf das üblichere Halbleiter Silizium und Galliumarsenid.

Hier ist die ausführliche Beschreibung:
2 "(50,8 mm) InP Wafer-Spezifikation
3 "(76,2 mm) Wafer Inp Specification
4 "(100 mm) Wafer InP Specificatio
 
2″ InP Wafer Specification
Artikel Technische Daten
Dotierstoff N-Typ N-Typ P-type SI-type
Conduction Type Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer-Durchmesser 2″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Waferdicke 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration 3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Der spezifische Widerstand N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <10um
BOGEN <10um
WARP <12um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready ja
Paket Single wafer container or cassette
 

3″ InP Wafer Specification 

 

Artikel Technische Daten
Dotierstoff N-Typ N-Typ P-type SI-type
Conduction Type Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer-Durchmesser 3″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Waferdicke 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Der spezifische Widerstand N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <12um
BOGEN <12um
WARP <15um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready ja
Paket Single wafer container or cassette

 

 4″ InP Wafer Specification 

 

Artikel Technische Daten
Dotierstoff N-Typ N-Typ P-type SI-type
Conduction Type Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer-Durchmesser 4 "
Wafer Orientation (100)±0.5°
Waferdicke 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Der spezifische Widerstand N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <15um
BOGEN <15um
WARP <15um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready ja
Paket Single wafer container or cassette

 

PL(Photoluminescence) Test of InP Wafer

We measure InP wafers by Peak Lambda, Peak int, and FWHM, the spectra mapping is as follows:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

The the typical values is see below data:

Peak Lambda(nm) Peak Int FWHM(nm)
1279.4 7.799 48.5
1279.8 5.236 44.6

 

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