GaSb Wafer

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallium antimonide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)or(100)

  • Beschreibung

Produktbeschreibung

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – Galliumantimonid die durch LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) als epi-ready oder mechanischen Typen mit n-Typ, p-Typ oder halbisolierend in unterschiedlicher Orientierung (111) oder (100) aufgewachsen.

Galliumantimonid (GaSb) ist eine Halbleiterverbindung aus Gallium und Antimon der III-V family.It eine Gitterkonstante von etwa 0,61 nm. GaSb kann für Infrarot-Detektoren, Infrarot-LEDs und Lasern und Transistoren und thermophotovoltaischen Systeme verwendet werden.

Hier ist die ausführliche Beschreibung:

2 "(50,8 mm) GaSb Wafer-Spezifikation

3 "(50,8 mm) Wafer GaSb Specification

4 "(100 mm) Wafer GaSb Specification

 

2″ GaSb Wafer Specification

tem Technische Daten
Dotierstoff Undoped Zinc Tellurium
Conduction Type P-type P-type N-Typ
Wafer-Durchmesser 2″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Waferdicke 500±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobility 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <10um
BOGEN <10um
WARP <12um
Laser Marking upon request
Suface Finish P/E, P/P
Epi Ready ja
Paket Single wafer container or cassette

 

 3″ GaSb Wafer Specification

tem Technische Daten
Conduction Type P-type P-type N-Typ
Dotierstoff Undoped Zinc Tellurium
Wafer-Durchmesser 3″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Waferdicke 600±25um
Primary Flat Length 22±2mm
Secondary Flat Length 11±1mm
Carrier Concentration (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobility 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <12um
BOGEN <12um
WARP <15um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready ja
Paket Single wafer container or cassette

 

4″ GaSb Wafer Specification

tem Technische Daten
Dotierstoff Undoped Zinc Tellurium
Conduction Type P-type P-type N-Typ
Wafer-Durchmesser 4 "
Wafer Orientation (100)±0.5°
Waferdicke 800±25um
Primary Flat Length 32.5±2.5mm
Secondary Flat Length 18±1mm
Carrier Concentration (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobility 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <15um
BOGEN <15um
WARP <20um
Laser marking upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready ja
Paket Single wafer container or cassette

 

1) 2 "(50,8 mm), 3" (76,2 mm) Wafer GaSb

Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:P/undoped;P/Si;P/Zn
Nc(cm-3):(1~2)E17
Mobility(cm2/V ·s):600~700
Growth Method:CZ
Polish:SSP

2) 2 "(50,8 mm) Wafer GaSb
Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:N/undoped;P/Te
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

3) 2 "(50,8 mm) Wafer GaSb
Orientation:(111)A±0.5°
Thickness(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

4) 2 "(50,8 mm) Wafer GaSb
Orientation:(111)B±0.5°
Thickness(μm):500±25;450±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

5) 2 "(50,8 mm) Wafer GaSb
Orientation:(111)B 2deg.off
Thickness(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

Relative Produkte:
InAs-Wafer
InSb-Wafer
InP-Wafer
GaAs-Wafer
GaSb-Wafer
GaP-Wafer

Galliumantimonid (GaSb) mit als geschnittener, geätzte oder polierten Oberflächen wie Wafer geliefert wird und ist in einem weiten Bereich von Trägerkonzentration, Durchmesser und Dicke erhältlich.

GaSb Material präsentiert interessante Eigenschaften für Single-Junction thermophotovoltaische (TPV) Geräte. GaSb: Te-Einkristall mit Czochralski gewachsenen (Cz) oder modifizierten Czochralski (Cz-Mo) Methoden vorgestellt und das Problem der Homogenität Te diskutiert. Da die Ladungsträgerbeweglichkeit eines der Schlüsselpunkte für den Volumenkristall ist, werden Hall-Messungen durchgeführt. Wir stellen Ihnen hier einige ergänzende Entwicklungen auf der Basis der Materialbearbeitung Sicht: der Großteil des Kristallwachstums, die Wafer-Herstellung und der Wafer Ätzen. Die nachfolgenden Schritte, nachdem diese an die p / ohne rn / p-Übergang Ausarbeitung bezogen. Einige Ergebnisse für verschiedene Dünnschicht Ausarbeitung Ansätze erhalten werden vorgestellt. So von den einfachen Dampfphasen-Diffusionsverfahren oder Flüssigphasen-Epitaxie-Prozess bis zum metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess berichten wir einiges Material Spezifität.

We also offer GaSb wafer epi service, take below as an example:

2”size GaSb epi wafer:
Epi layer: Thikness 0.5 um, undoped/p type GaSb epi layer (undoped InP epi layer also available),
Substrate:2” semi-insulating GaAs

Sie können auch mögen ...