Wafer-Verarbeitungsservice

Wafer-Verarbeitungsservice

PAM-XIAMEN beteiligt sich am Design und der Verarbeitung von MEMS- und Verbindungshalbleiter-GaAs-Mikrowellen-integrierten Schaltkreisen (GaAs MMIC) und konzentriert sich auf die Forschung, Entwicklung, Produktion und den Service von Mikro-Nano-Sensoren, mikroelektromechanischen Systemen (MEMS), Mikro-Nano-Fertigung und Verbindungshalbleiter-GaAs-Chips. Wir sind ein High-Tech-Unternehmen, das Wafer-Bearbeitungsservices anbietet, auf die Forschung, Entwicklung und Herstellung von MEMS-Sensoren (Micro Electro Mechanical System) spezialisiert ist und über das international fortschrittliche Niveau von Mikro-Nano-Design und -Verarbeitungskapazitäten verfügt. Wir können die Waferproduktion, das Packaging und das Testen verschiedener MEMS-Sensoren realisieren. Zu den im Wafer-Halbleiterprozess entwickelten Produkten gehören ungekühlte Infrarotdetektoren, Drucksensoren, Mikrofluidik, Gassensoren und andere MEMS-Sensoren. Zu den Produkten der integrierten GaAs-Verbindungshalbleiterschaltung gehören hochbewegliche Transistoren mit verspanntem Heteroübergang (pHEMT), rauscharme und photoleitende GaAs-Schalter und andere Chipverarbeitungsdienste.

Darüber hinaus übernimmt PAM-XIAMEN als eines der Wafer-Verarbeitungsunternehmen die Herstellung sowie die ein- und mehrstufige Verarbeitung von verschiedenen Halbleiterbauelementen wie MEMS und GaAs, wie z , LPCVD, Magnetron-Sputtern, Elektronenstrahlverdampfung, tiefes Siliziumätzen, schnelles Tempern, Galvanisieren, Schneiden, Bonden, Verpacken und andere Wafer-Foundry-Dienstleistungen. Liefern alle Arten von Siliziumwafern, einfach/doppelt polierte Wafer, Siliziumoxidwafer, beschichtete Wafer, ultradicke Wafer, ultradicke Oxidwafer, metallisierte Wafer, geschnittene Wafer, GaAs & GaP Wafer, GaN Wafer, Saphirwafer, usw.

Im Folgenden werden von uns angebotene Dienstleistungen von Wafer-to-Chip-Prozessen angeboten:

1. MEMS-Dienst zur zweidimensionalen Materialintegration

Unsere Waferbearbeitungstechniken können den Transfer von zweidimensionalen Materialien auf MEMS realisieren.

Zweidimensionaler MEMS-Materialintegrationsdienst

2. Verarbeitungsservice für MEMS und Semiconductor Tape Out

Prozessentwicklung und Tape-Out-Services von Halbleiterchips (zum Beispiel: DMOS; L-IGBT; MOSFET; PHEMT; HFET; SiC-Diode; SiC-Hochfrequenzchip usw.) können angeboten werden

Prozessentwicklung und Tape-Out-Services von MEMS-Chips (Mikrofluidik/Gassensoren/Drucksensoren etc.) sind ebenfalls verfügbar.

3. Polyimid-Prozess

Polyimid (PI) wird aus Pyromellitsäuredianhydrid (PMDA) und Diaminodiphenylether (DDE) in einem stark polaren Lösungsmittel durch Polykondensation und Gießen in einen Film und anschließende Imidisierung hergestellt. Polyimid hat eine ausgezeichnete Hoch- und Tieftemperaturbeständigkeit, elektrische Isolierung, Haftung, dielektrische Beständigkeit, mechanische Eigenschaften und Strahlungsbeständigkeit. Es kann lange Zeit im Temperaturbereich von -269 ° C bis 280 ° C verwendet werden und kann in kurzer Zeit eine hohe Temperatur von 400 ° C erreichen. Wir beherrschen zwei Arten von Geräteverarbeitungstechnologien, PI-Trockenfilm und PI-Kleber, um unseren Kunden qualitativ hochwertige technische Dienstleistungen zu bieten.

3.1 Anwendung der Polyimid-Wafer-Verarbeitungstechnologie

Als spezielles technisches Material wird Polyimid häufig in der Luftfahrt, Luft- und Raumfahrt, Mikroelektronik, Nanometer, Flüssigkristall, Trennmembran, Laser und anderen Bereichen verwendet.

3.2 PI-Verarbeitungsdienstleistung

Trockenfilm: Dicke 20-150 µm, Ätztiefe ≤15 µm;

Lichtempfindliche Lösung: minimale Linienbreite 5 µm, Dicke 5-20 µm;

Nicht lichtempfindliche Lösung: Ätztiefe 0-15 um.

3.3 Vorteile des PI-Verarbeitungsdienstes

Wir verfügen über eine Trockenfilm- und PI-Kleberverarbeitungstechnologie, eine Trockenfilmätztiefe kann 15 um erreichen und einen mehrschichtigen PI-Filmstapelprozess mit guter Haftung beherrschen.

4. Wafer-Ätzprozess

Ätzen ist eine Technologie, die selektiv die Oberfläche des Halbleitersubstrats oder des Oberflächenbedeckungsfilms entsprechend dem Maskenmuster oder den Designanforderungen ätzt. Dies ist ein sehr wichtiger Schritt des Herstellungsprozesses von Halbleiterwafern, des Herstellungsprozesses von mikroelektronischen ICs und des Herstellungsprozesses von Mikronanos. Es ist eine der wichtigsten Waferbearbeitungslösungen für die Musterbearbeitung, die mit der Photolithographie verbunden ist. Der Ätzbearbeitungsservice wird in Trockenätzen und Nassätzen unterteilt. PAM-XIAMEN beherrscht derzeit eine Vielzahl von Ätzverfahren und wird nach Kundenwunsch Ätzlösungen mit guten Ätzeffekten und kostengünstig konzipieren.

Ätzprozess für die Waferherstellung

Ätzen im Halbleiter-Wafer-Herstellungsprozess

4.1 Anwendung der Ätztechnologie

Unsere Ätztechnologie wird hauptsächlich bei der Verarbeitung von Halbleiterbauelementen, der Herstellung integrierter Schaltungen, Dünnfilmschaltungen, gedruckten Schaltungen und anderen feinen Mustern verwendet.

4.2 Ätzverarbeitungsfähigkeit

Ätztechnologie: Ionenstrahlätzen, tiefes Siliziumätzen, reaktives Ionenätzen, fokussierter Ionenstrahl und andere Ätztechnologien;

Ätzmaterialien: Silizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Metall, Quarz und andere Materialien

4.3 Vorteile unseres Ätzservice

* Meistern Sie eine Vielzahl von Ätztechniken;

* Große Auswahl an Ätzmaterialien;

* Das maximale Seitenverhältnis beim tiefen Siliziumätzen beträgt 20:1 bei hoher Ätzgenauigkeit und geringer Linienbreite.

5. Beschichtungsbearbeitungsservice

Vakuumbeschichtung bezieht sich auf die Abscheidung eines bestimmten Metalls oder Nichtmetalls auf der Oberfläche des Materials in Form einer Gasphase in einer Vakuumumgebung, um einen dichten Film zu bilden. Die Qualität der Beschichtung ist entscheidend für die Funktionsbildung von Halbleiterbauelementen.

5.1 Anwendung der Beschichtungstechnologie

Die Waferverarbeitungsmetallisierung wird hauptsächlich im Herstellungsprozess von Mikro-Nano-Halbleiterbauelementen verwendet. Zur Herstellung von Elektroden werden hauptsächlich Metall- und ITO-Materialien verwendet, und andere nichtmetallische Materialien werden hauptsächlich zur Herstellung von isolierenden dielektrischen Schichten und Opfermaskenschichten verwendet.

5.2 Prozessfähigkeit der Beschichtung

Master-Beschichtungstechnologie: Elektronenstrahlverdampfung, Magnetron-Sputtern, LPCVD, PECVD, ALD, MOCVD und MBE.

5.3 Beschichtungsmaterialien

Wir können mit folgenden Materialien beschichten:

Metalle: Ti, Al, Ni, Au, Ag, Mo, Cr, Pt, Cu, Ta, TiW, Pd, Zn, W, Nb;

Nichtmetalle: Si, SiO2, SiNx, TiN, Ga2O3, Al2O3, TiO2, HfO2, MgF2, ITO, Ta2O5;

Piezofilm: AlN, PZT, ZnO;

Beschichtungssubstrate: Siliziumscheibe, Quarzglas-Wafer, Saphir-Wafer, Siliziumkarbid, II-IIII-Gruppen-Substrat, III-V-Gruppen-Substrat, PET, Pi usw.

5.4 Vorteile des Beschichtungsverarbeitungsservice

* Beherrschen Sie eine Vielzahl von Beschichtungstechnologien und eine breite Palette von Beschichtungsmaterialien.

* Beschichtungsdickenbereich: 5 nm-10 um;

* Die Basisgröße ist 8 Zoll abwärtskompatibel. Die Beschichtungsgleichmäßigkeit ist gut und die Beschichtung ist dicht.

6.Photolithographische Verarbeitung

Photolithographie ist ein wichtiger Schritt im Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen. Die Bauelementstruktur wird auf der Photoresistschicht durch Belichtung und Entwicklung abgebildet, und dann wird das Muster auf der Maske durch einen Ätzprozess auf das Substrat übertragen. Wir verfügen derzeit über verschiedene lithographische Waferbearbeitungsschritte, wie Elektronenstrahllithographie, Stufenlithographie und Kontaktlithographie.

Photolithographie Waferbearbeitung

Photolithographie Waferbearbeitung

6.1 Anwendung der Lithografietechnologie

Die Lithografietechnologie wird hauptsächlich im Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltkreisen verwendet.

6.2 Wafer-Bearbeitungskapazität der Photolithographie

EBL (Elektronenstrahllithographie): Der minimale CD-Wert beträgt 50 nm und die Genauigkeit kann 10 % erreichen.

Stepper: Der minimale CD-Wert beträgt 350 nm, der Belichtungsfehler beträgt ±0,1 um und der maximale Belichtungsbereich beträgt 6 Zoll.

Kontakt- und Proximity-Lithografie: SÜSS MA6/BA6-Lithografiemaschine, minimaler CD-Wert 2 um, Belichtungsfehler ±0,3 um

6.3 Vorteile der Photolithographie

* Passen Sie die kostengünstigste Lithografielösung an die Kundenbedürfnisse an;

* Hohe Präzision und geringe Linienbreite;

* Substratgrößenbereich von 1 cm bis 8 Zoll;

* Hohe Grafiktreue.

7. TSV-Technologie

TSV-Technologie ist die Abkürzung für Through Silicon Via Technology, eine fortschrittliche Wafer-Verarbeitungslösung zum Stapeln von Chips in dreidimensionalen integrierten Schaltkreisen, um eine Verbindung zu erreichen. Da der TSV-Verarbeitungsservice die Stapeldichte von Chips in dreidimensionaler Richtung maximieren kann, die kürzesten Verbindungsleitungen zwischen den Chips, die kleinste Größe und die Leistung der Chipgeschwindigkeit und des geringen Stromverbrauchs erheblich verbessert, ist er zum auffälligsten geworden eine in der aktuellen elektronischen Wafer-Level-Packaging-Technologie.

Aufgrund der Beschränkungen der Prozessschrumpfung und Materialien mit niedrigem Dielektrizitätswert wird die 3D-Stacking-Technologie als der Schlüssel zur Herstellung von Hochleistungschips in kleinerer Größe angesehen, und durch Silizium-Vias (TSV) kann das Wafer-Stacking durch vertikale Leitung integriert werden. Das Erreichen der Schaltungsverbindung zwischen Chips trägt dazu bei, die Integration und Effizienz der Wafer-Prozesssysteme zu geringeren Kosten zu verbessern, und ist ein wichtiger Weg, um die 3D-Integration von integrierten Schaltungen zu realisieren. Wir verfügen über einen vollständigen TSV-Prozess, um Ihre Anforderungen an die Chipverbindung zu erfüllen.

8. Korrosionstechnologie

PAM-XIAMEN bietet Korrosionsservice, einschließlich isotroper Oxid-, Nitrid-, Silizium-, Polysilizium- und Germaniumkorrosion, Standard-Metallkorrosion, nicht standardmäßigen Isoliermedien, Halbleiter- und Metallkorrosion, Photoresistentfernung und Siliziumwafer-Reinigungsschritten, Silizidkorrosion, Kunststoffen und Polymeren Ätzen, anisotropes Siliziumätzen, Selbststoppkorrosion von Bulk-Silizium und Siliziumgermanium, elektrochemische Korrosion und Selbststopp, photounterstützte Korrosion und Selbststopp, Dünnfilm-Selbststoppkorrosion, Opferschichtentfernung, Bildung von porösem Silizium.

9. Wafer-Bonding-Technologie

Bonden ist eine Technologie, bei der zwei Stücke homogener oder heterogener Halbleitermaterialien mit sauberen und ebenen Oberflächen auf atomarer Ebene Oberflächenreinigungs- und Aktivierungsbehandlungen unterzogen und unter bestimmten Bedingungen direkt verbunden werden. Die Wafer werden durch Van-der-Waals-Kraft, Molekularkraft oder sogar Atomkraft miteinander verbunden. Wir bieten Chip-to-Wafer-Bonding-Verarbeitungsservice wie folgt an:

– Anodisches Bonden (Pyrexglas und Siliziumwafer);

– Eutektisches Bonden (PbSn, AuSn, CuSn, AuSi usw.), Lot wird vom Kunden bereitgestellt;

– Kleben (AZ4620, SU8) , Kleben Spezialkleber);

– Drahtbonden und andere.

10. Verpackungstechnik

PAM-XIAMEN bietet einen Verarbeitungsservice für die schnelle Verpackung von MPW-Engineering-Chips. Die Verpackungsarten umfassen COB-Schnellsiegelung, Keramikgehäuse-Schnellsiegelung und Harzgehäuse-Schnellsiegelung, einschließlich, aber nicht beschränkt auf die folgenden Gehäusetypen DIP, SOP, TSSOP, SOT, TO, QFN, DFN, LGA, COB, BGA, QFP, LCC , etc.

Verpackungsservice

Luftdichte Verpackungsverarbeitungsdienste wie AuSn-Schweißen und Parallelnahtschweißen von Keramikschalen können durchgeführt werden. Chipschleifen, Polieren, mechanisches Schneiden von Klingen, nicht markierendes Schneiden mit Siliziumwafern, Golddrahtbonden, Laserschweißen, Chipmontage, Dosierbeschichtung, Reflow-Löten, Flip-Chip-Löten, Parallelschweißlöten, BGA-Kugelimplantation, Zugscherkraft Scherkraft Test, Rasterelektronenmikroskop-REM-Inspektion, Röntgeninspektion, zerstörungsfreie Ultraschall-Scanning-Inspektion und Oberflächenrauheitsinspektion usw.

11. Erkennungstechnologie

Wir verfügen über eine Vielzahl von Detektionstechnologien, darunter TEM, SEM, XRD, AFM, XPS, XRD, Ultraschallmikroskop, Röntgen, Schrittmesser, Profiler, Filmdickenmesser, Raman usw.

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter victorchan@powerwaywafer.com und powerwaymaterial@gmail.com.

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