Wafer-Verarbeitungsservice
PAM-XIAMENbeteiligt sich an der Entwicklung und Verarbeitung von MEMS- und Verbindungshalbleiter-GaAs-Mikrowellen-ICs (GaAs MMIC) und konzentriert sich auf die Forschung, Entwicklung, Produktion und den Service von Mikro-Nano-Sensoren, mikroelektromechanischen Systemen (MEMS), Mikro-Nano-Herstellung und Verbindungshalbleiter-GaAs-Chips. Wir sind ein High-Tech-Unternehmen, das Wafer-Verarbeitungsdienstleistungen anbietet, sich auf die Forschung, Entwicklung und Herstellung von MEMS-Sensoren (Micro Electro Mechanical System) spezialisiert und über international fortschrittliche Mikro-Nano-Design- und Verarbeitungsfähigkeiten verfügt. Wir können die Waferproduktion, Verpackung und Prüfung verschiedener MEMS-Sensoren realisieren. Zu den im Wafer-Halbleiterprozess entwickelten Produkten gehören ungekühlte Infrarotdetektoren, Drucksensoren, Mikrofluidik, Gassensoren und andere MEMS-Sensoren. Zu den integrierten GaAs-Verbindungshalbleiter-Schaltkreisprodukten gehören pHEMT-Leistungstransistoren (Strained Heterojunction High Mobility Transistor), rauscharme und fotoleitende GaAs-Schalter sowie andere Chipverarbeitungsdienste.
Darüber hinaus übernimmt PAM-XIAMEN als eines der Waferverarbeitungsunternehmen die Herstellung sowie ein- und mehrstufige Verarbeitungsdienstleistungen für verschiedene Halbleiterbauelemente wie MEMS und GaAs, wie z. B. thermische Oxidation von Siliziumwafern, Ionenimplantation, Fotolithographie, RIE-Ätzen, PECVD, LPCVD, Magnetronsputtern, Elektronenstrahlverdampfung, Tiefenätzung von Silizium, schnelles Ausheilen, Galvanisieren, Schneiden, Kleben, Verpacken und andereWafergießereidienstleistungen. Liefern Sie alle Arten von Siliziumwafern, einfach/doppelt polierten Wafern, Oxidsiliziumwafern, beschichteten Wafern, ultradicken Wafern, ultradicken Oxidwafern, metallbeschichteten Wafern, geschnittenen Wafern, GaAs- und GaP-Wafern, GaN-Wafern, Saphirwafern usw.
Im Folgenden sind die von uns angebotenen Dienstleistungen für den Wafer-to-Chip-Prozess aufgeführt:
1. MEMS-Dienst zur zweidimensionalen Materialintegration
Unsere Waferverarbeitungstechniken können die Übertragung zweidimensionaler Materialien auf MEMS realisieren.
2. Verarbeitungsservice für MEMS und Halbleiter-Tape-Out
Es können Prozessentwicklungs- und Tape-out-Dienstleistungen für Halbleiterchips (zum Beispiel: DMOS; L-IGBT; MOSFET; PHEMT; HFET; SiC-Diode; SiC-Hochfrequenzchip usw.) angeboten werden
Auch Prozessentwicklung und Tape-Out-Services für MEMS-Chips (Mikrofluidik/Gassensoren/Drucksensoren usw.) sind verfügbar.
3. Polyimid-Prozess
Polyimid (PI) wird aus Pyromellitsäuredianhydrid (PMDA) und Diaminodiphenylether (DDE) in einem stark polaren Lösungsmittel durch Polykondensation und Gießen zu einem Film und anschließende Imidisierung hergestellt. Polyimid verfügt über eine hervorragende Hoch- und Tieftemperaturbeständigkeit, elektrische Isolierung, Haftung, dielektrische Beständigkeit, mechanische Eigenschaften und Strahlungsbeständigkeit. Es kann über einen langen Zeitraum im Temperaturbereich von -269℃-280℃ verwendet werden und kann in kurzer Zeit eine hohe Temperatur von 400℃ erreichen. Wir beherrschen zwei Arten der Geräteverarbeitungstechnologie, PI-Trockenfilm und PI-Kleber, um unseren Kunden hochwertige technische Dienstleistungen zu bieten.
3.1 Anwendung der Polyimid-Wafer-Verarbeitungstechnologie
Als spezielles technisches Material wird Polyimid häufig in der Luft- und Raumfahrt, der Mikroelektronik, Nanometer-, Flüssigkristall-, Trennmembran-, Laser- und anderen Bereichen eingesetzt.
3.2 Leistungsfähigkeit des PI-Verarbeitungsdienstes
Trockenfilm: Dicke 20–150 µm, Ätztiefe ≤15 µm;
Lichtempfindliche Lösung: Mindestlinienbreite 5 µm, Dicke 5–20 µm;
Nicht lichtempfindliche Lösung: Ätztiefe 0–15 µm.
3.3 Vorteile des PI Processing Service
Wir verfügen über eine Trockenfilm- und PI-Kleber-Verarbeitungstechnologie, die Trockenfilm-Ätztiefe kann 15 µm erreichen und beherrscht den mehrschichtigen PI-Filmstapelprozess mit guter Haftung.
4. Wafer-Ätzprozess
Bei der Ätztechnik handelt es sich um eine Technologie, die die Oberfläche des Halbleitersubstrats oder des Oberflächenabdeckungsfilms entsprechend dem Maskenmuster oder den Designanforderungen selektiv ätzt. Es ist ein sehr wichtiger Schritt im Halbleiterwafer-Herstellungsprozess, im mikroelektronischen IC-Herstellungsprozess und im Mikro-Nano-Herstellungsprozess. Es handelt sich um eine der wichtigsten Waferverarbeitungslösungen für die Musterverarbeitung im Zusammenhang mit der Fotolithographie. Die Ätzbearbeitung ist in Trockenätzen und Nassätzen unterteilt. PAM-XIAMEN beherrscht derzeit eine Vielzahl von Ätzverfahren und wird je nach Kundenwunsch Ätzlösungen mit guten Ätzeffekten und kostengünstig entwickeln.
4.1 Anwendung der Ätztechnologie
Unsere Ätztechnologie wird hauptsächlich bei der Bearbeitung von Halbleiterbauelementen, der Herstellung integrierter Schaltkreise, Dünnschichtschaltkreisen, gedruckten Schaltkreisen und anderen feinen Mustern eingesetzt.
4.2 Fähigkeit zur Ätzverarbeitung
Ätztechnologie: Ionenstrahlätzen, tiefes Siliziumätzen, reaktives Ionenätzen, fokussierter Ionenstrahl und andere Ätztechnologien;
Ätzmaterialien: Silizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Metall, Quarz und andere Materialien
4.3 Vorteile unseres Ätzservices
* Beherrschen Sie eine Vielzahl von Ätztechniken.
* Große Auswahl an Ätzmaterialien;
* Das maximale Seitenverhältnis der tiefen Siliziumätzung beträgt 20:1 mit hoher Ätzgenauigkeit und geringer Linienbreite.
5. Beschichtungsverarbeitungsservice
Unter Vakuumbeschichtung versteht man die Abscheidung eines bestimmten Metalls oder Nichtmetalls auf der Oberfläche des Materials in Form einer Gasphase in einer Vakuumumgebung, um einen dichten Film zu bilden. Die Qualität der Beschichtung ist entscheidend für die Funktionsausbildung von Halbleiterbauelementen.
5.1 Anwendung der Beschichtungstechnologie
Die Waferverarbeitungsmetallisierung wird hauptsächlich im Herstellungsprozess von Mikro-Nano-Halbleiterbauelementen eingesetzt. Metall- und ITO-Materialien werden hauptsächlich zur Herstellung von Elektroden verwendet, und andere nichtmetallische Materialien werden hauptsächlich zur Herstellung isolierender dielektrischer Schichten und Opfermaskenschichten verwendet.
5.2 Prozessfähigkeit der Beschichtung
Master-Beschichtungstechnologie: Elektronenstrahlverdampfung, Magnetronsputtern, LPCVD, PECVD, ALD, MOCVD und MBE.
5.3 Beschichtungsmaterialien
Wir können Beschichtungen mit folgenden Materialien durchführen:
Metalle: Ti, Al, Ni, Au, Ag, Mo, Cr, Pt, Cu, Ta, TiW, Pd, Zn, W, Nb;
Nichtmetalle: Si, SiO2, SiNx, TiN, Ga2O3, Al2O3, TiO2, HfO2, MgF2, ITO, Ta2O5;
Piezofilm: AlN, PZT, ZnO;
Beschichtungsuntergründe:Siliziumscheibe, Quarzglaswafer, Saphirwafer,Siliziumkarbid, Substrat der Gruppe II-III, Substrat der Gruppe III-V, PET, Pi usw.
5.4 Vorteile des Beschichtungsverarbeitungsservices
* Beherrschen Sie eine Vielzahl von Beschichtungstechnologien und ein breites Spektrum an Beschichtungsmaterialien.
* Beschichtungsdickenbereich: 5 nm-10 um;
* Die Basisgröße ist abwärtskompatibel mit 8 Zoll. Die Gleichmäßigkeit der Beschichtung ist gut und die Beschichtung ist dicht.
6.Fotolithographieverarbeitung
Die Fotolithographie ist ein wichtiger Schritt im Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen. Die Gerätestruktur wird durch Belichtung und Entwicklung auf der Fotolackschicht abgebildet, und anschließend wird das Muster auf der Maske durch einen Ätzprozess auf das Substrat übertragen. Derzeit verfügen wir über verschiedene Lithographie-Wafer-Bearbeitungsschritte, wie z. B. Elektronenstrahllithographie, Stufenlithographie und Kontaktlithographie.
6.1 Anwendung der Lithographietechnologie
Die Lithographietechnologie wird hauptsächlich im Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen und integrierten Schaltkreisen eingesetzt.
6.2 Wafer-Verarbeitungskapazität der Fotolithographie
EBL (Elektronenstrahllithographie): Der minimale CD-Wert beträgt 50 nm und die Genauigkeit kann 10 % erreichen.
Stepper: Der minimale CD-Wert beträgt 350 nm, der Belichtungsfehler beträgt ±0,1 µm und der maximale Belichtungsbereich beträgt 6 Zoll.
Kontakt- und Proximity-Lithographie: Lithographiemaschine SÜSS MA6/BA6, minimaler CD-Wert 2 µm, Belichtungsfehler ±0,3 µm
6.3 Vorteile der Fotolithographie
* Passen Sie die kostengünstigste Lithografielösung an die Kundenbedürfnisse an.
* Hohe Präzision und geringe Linienbreite;
* Die Substratgröße reicht von 1 cm bis 8 Zoll;
* Hohe Grafiktreue.
7. TSV-Technologie
TSV-Technologie ist die Abkürzung für Through Silicon Via Technology, eine fortschrittliche Wafer-Verarbeitungslösung zum Stapeln von Chips in dreidimensionalen integrierten Schaltkreisen, um Verbindungen herzustellen. Da der TSV-Verarbeitungsservice die Stapeldichte von Chips in dreidimensionaler Richtung maximieren kann, die kürzesten Verbindungslinien zwischen Chips und die kleinste Größe bietet und die Leistung der Chipgeschwindigkeit und den geringen Stromverbrauch erheblich verbessert, ist er zum auffälligsten in der aktuellen elektronischen Wafer-Level-Packaging-Technologie geworden.
Aufgrund der Einschränkungen durch Prozessschrumpfung und Materialien mit niedrigem Dielektrizitätswert gilt die 3D-Stapeltechnologie als Schlüssel zur Herstellung von Hochleistungschips in kleinerer Größe und kann durch Silizium-Durchkontaktierungen (TSV) die Waferstapelung durch vertikale Leitung integrieren. Das Erreichen der Schaltkreisverbindung zwischen Chips trägt dazu bei, die Integration und Effizienz der Wafer-Prozesssysteme bei geringeren Kosten zu verbessern, und ist eine wichtige Möglichkeit, die 3D-Integration integrierter Schaltkreise zu realisieren. Wir verfügen über einen vollständigen TSV-Prozess, um Ihre Anforderungen an die Chip-Verbindung zu erfüllen.
8. Korrosionstechnologie
PAM-XIAMEN bietet Korrosionsdienstleistungen an, darunter isotrope Oxid-, Nitrid-, Silizium-, Polysilizium- und Germanium-Korrosion, Standardmetallkorrosion, nicht standardmäßige Isoliermedien, Halbleiter- und Metallkorrosion, Fotolackentfernung und Schritte zur Reinigung von Siliziumwafern, Silizidkorrosion, Ätzen von Kunststoffen und Polymeren, anisotropes Ätzen von Silizium, Selbststopp-Korrosion von Massensilizium und Silizium-Germanium, elektrochemische Korrosion und Selbststopp, fotounterstützte Korrosion und Selbststopp, Dünnfilm-Selbststopp-Korrosion, Opferschicht Entfernung, Bildung von porösem Silizium.
9. Wafer-Bonding-Technologie
Beim Bonden handelt es sich um eine Technologie, bei der zwei Teile homogener oder heterogener Halbleitermaterialien mit sauberen und auf atomarer Ebene ebenen Oberflächen Oberflächenreinigungs- und Aktivierungsbehandlungen unterzogen und unter bestimmten Bedingungen direkt verbunden werden. Die Wafer werden durch Van-der-Waals-Kraft, Molekularkraft oder sogar Atomkraft miteinander verbunden. Wir bieten den Chip-Wafer-Bonding-Verarbeitungsservice wie folgt an:
– Anodisches Bonden (Pyrexglas und Siliziumwafer);
– Eutektisches Bonden (PbSn, AuSn, CuSn, AuSi usw.), Lot wird vom Kunden bereitgestellt;
– Kleben (AZ4620, SU8), Kleben von Spezialkleber);
– Drahtbonden und andere.
10. Verpackungstechnologie
PAM-XIAMEN bietet einen Verarbeitungsservice für die schnelle Verpackung von MPW-Engineering-Chips. Zu den Verpackungstypen gehören COB-Schnellversiegelung, Keramikgehäuse-Schnellversiegelung und Harzgehäuse-Schnellversiegelung, einschließlich, aber nicht beschränkt auf, der folgenden Gehäusetypen DIP, SOP, TSSOP, SOT, TO, QFN, DFN, LGA, COB, BGA, QFP, LCC usw.
Es können luftdichte Verpackungsverarbeitungsdienste wie AuSn-Schweißen und Parallelnahtschweißen von Keramikschalen durchgeführt werden. Chipschleifen, Polieren, mechanisches Klingenschneiden, markierungsfreies Laserschneiden von Siliziumwafern, Golddrahtbonden, Laserschweißen, Chipmontage, Auftragen von Beschichtungen, Reflow-Löten, Flip-Chip-Löten, paralleles Dichtungslöten, BGA-Kugelimplantation, Zugscherkraftprüfung, Rasterelektronenmikroskop-REM-Prüfung, Röntgenprüfung, zerstörungsfreie Ultraschallprüfung und Oberflächenrauheitsprüfung usw.
11. Erkennungstechnologie
Wir verfügen über eine Vielzahl von Detektionstechnologien, darunter TEM, SEM, XRD, AFM, XPS, XRD, Ultraschallmikroskop, Röntgen, Schrittmesser, Profiler, Filmdickenmesser, Raman usw.
Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail unter[email protected] und [email protected].