Warum brauchen wir Siliziumkarbid-Epitaxiewafer?

Warum brauchen wir Siliziumkarbid-Epitaxiewafer?

Siliziumkarbid-Epitaxialwafer ist eine Art Siliziumkarbid-Wafer, auf dem ein Einkristallfilm (Epitaxieschicht) mit bestimmten Anforderungen und der gleiche Kristall wie das Substrat auf dem Siliziumkarbid-Substrat gezüchtet wird. Bei praktischen Anwendungen werden fast alle Halbleiterbauelemente mit breiter Bandlücke auf der Epitaxieschicht hergestellt, und der Siliziumkarbidwafer selbst wird nur als Substrat verwendet, einschließlich der Verwendung als GaN-Epitaxieschichtsubstrat.

Im Gegensatz zu herkömmlichen Silizium-Leistungsbauelementen können SiC-Leistungsbauelemente nicht direkt auf Siliziumkarbid-Einkristallmaterialien hergestellt werden. Auf dem leitfähigen Einkristallsubstrat müssen Epitaxiematerialien hoher Qualität gezüchtet werden, und auf der Epitaxieschicht müssen alle Arten von Vorrichtungen hergestellt werden.

Der Epitaxieprozess ist ein sehr kritischer Prozess in der gesamten Industrie. Da grundsätzlich alle Geräte in Epitaxie realisiert sind, hat die Qualität der Epitaxie einen großen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Geräte. Die Qualität der Epitaxie wird jedoch durch die Verarbeitung von Kristall und Substrat beeinflusst, die mitten in einer Industrie liegt und eine Schlüsselrolle bei der Entwicklung der Industrie spielt.

SiC-Epitaxie

 

 

 

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