Aufgrund der breiten Bandlücke von SiC-Wafern absorbiert SiC keinen Teil oder fast das gesamte sichtbare Licht. Die Wellenlänge des absorbierten Lichts hängt von der Bandlücke, den Energieniveaus der Hauptstörstellen und den angeregten Energieniveaus im Band ab. Es ist wohlbekannt, dass Trägerabsorption im Leitungsband in den meisten SiC-Polytypen vorhanden ist. Für n-leitendes 4H-SiC tritt es bei 460 m (blaues Licht) auf, während z6h-SiC-Wafer vom n-Typ, es tritt bei 620 nm (rotes Licht) auf. Das hochreine 4H-SiC und 6h-SiC haben einen breiten Bandabstand und sind farblos und transparent wie Glas. Dotierungen vom n-Typ oder p-Typ induzieren jedoch eine Trägerabsorption im sichtbaren Bereich, und seine einzigartigen optischen Absorptions- und Transmissionseigenschaften verleihen jedem SiC-Kristall eine einzigartige Farbe. Die folgende Tabelle 1 fasst die Farben der wichtigsten SiC-Polymorphe mit unterschiedlichen Dotierungstypen zusammen. Da die Farbe des SiC-Kristalls mit zunehmender Dotierstoffkonzentration dunkler wird, werden Farbe und Farbtiefe zu guten Indikatoren für Dotierstofftyp und -konzentration. Die Farbe des SiC-Kristalls ist auch ein gutes Zeichen, um die Polymorphe von Materialien vom n-Typ zu identifizieren.

Tabelle 1: Farben von SiC-Wafern in verschiedenen Polytypen

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