PAM XIAMEN bietet einkristalline undotierte oder Ga-dotierte ZnO-Wafersubstrate an, die durch ein hydrothermales Verfahren unter hohem Druck gezüchtet werden. Es gibt hauptsächlich zwei Strukturen in ZnO-Wafern: Hexagonaler Wurtzit und kubische Zinkblende, was wir angeboten haben, ist Hexagonaler Wurtzit.
1.Eigenschaften des ZnO-Wafers:
1.1 Allgemeine Eigenschaften des monokristallinen ZnO-Substrats
Reinheit Gew.-% | > 99,99 |
Verunreinigung: Gew.-% | Mg: < 0,0005 Al: < 0,0030 Si: 0,0030 Ti: 0,0010 Cu: < 0,0030 Fe: < 0,005 Ca: < 0,0005 Ag: < 0,0002 |
Kristallstruktur | Hexagonal: a= 3,252 å, c = 5,207 å |
Gitterparameter | a = 3,252 Å c = 5,313 Å |
Growth-Methode | Hydrothermal |
Härte | 4-Moh-Skala |
Dichte | 5,7g/cm3 |
Schmelzpunkt | 1975 oC |
Spezifische Wärme | 0,125 cal/g |
Thermoelektrische Konstante | 1200 mV/oK @ 300 oC |
Wärmeleitfähigkeit | 0,006 cal/cm/ in Ordnung |
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) | 6,5 x 10^-6 /℃ entlang einer Achse 3,7 x 10^-6 /℃entlang der c-Achse |
Seebeck-Koeffizient | 0,006 Cal/cm/K |
Übertragungsreichweite | 0,4 – 0,6 m > 50 % bei 2 mm |
Versetzungsdichte | <0001> Ebene <100 / cm2 |
2.0 Standardsubstrat
Orientierung | <0001>, <11-20>, <10-10>± 0,5o oder benutzerdefinierte Ausrichtung |
Polierte Oberfläche | EPI einseitig oder zweiseitig poliert,Ra < 5 Å |
Standardgröße | 5 x 5 mm, 10 x 10 mm, 20 x 20 mm und 25 x 25 mm |
Dicke | 0,35 mm, 0,5 mm und 1,0 mm |
Oberflächenrauheit | Ra < 5A (AFM-Oberflächenrauheitsmessung) |
Polieren der Oberfläche | Einseitig poliert (SSP) oder beidseitig poliert (DSP) |
2-1. undotierte ZnO-Wafersubstrate – C-Platte
ZnO (0001) 5x5x0,5mm, O-Fläche 1SP
ZnO (0001) 10x10x0.5mm, 1sp Zn-Fläche poliert
ZnO (0001) 5x5x0,2mm, 2sp
ZnO (0001) 5x5x0.5mm, 1sp Zn Stirnseite poliert
ZnO (0001) 5x5x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) 10x10x0,2 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (000-1) 10x10x0.5mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (0001) 10x10x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) 10x10x1,0 mm, 1sp Sauerstoff-Fläche poliert
ZnO (0001) 10x10x1,0 mm, 1sp Zn-Fläche poliert
ZnO (0001) 10x10x1,0 mm, 2sp
ZnO (000-1) 20x20x0,2 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (000-1) 20x20x0.5mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (0001) 20x20x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) 20x20x1,0 mm, 1sp Sauerstoff-Fläche poliert
ZnO (0001) 20x20x1,0 mm, 1sp Zn-Fläche poliert
ZnO (0001) 20x20x1,0 mm, 2sp
ZnO (0001) 25,4 dia. x0,5 mm, beidseitig poliert (Zn-Fläche epipoliert)
2-2. Undotiertes ZnO-Wafersubstrat – eine Platte
ZnO (11-20) A-Ebene 5x5x0,5mm, 1sp
ZnO (11-20) A-Ebene 5x5x0,5mm, 2sp
ZnO (11-20) A-Ebene 10x10x0,5mm, 1sp
ZnO (11-20) A-Ebene 10x10x1,0mm, 1sp
ZnO (11-20) A-Ebene 10x10x1,0mm, 2sp
ZnO (11-20) A-Ebene 10x10x0,5mm, 2sp
2-3. Undotierte ZnO-Wafersubstrate – M-Platte
ZnO (1-100) M-Ebene 5x5x0,5mm, 1sp
ZnO (1-100) M-Ebene 5x5x0,5mm, 2sp”
ZnO (1-100) M-Ebene 10x10x0,5mm, 1sp
ZnO (1-100) M-Ebene 10x10x0,5mm, 2sp
2-4. Undotierter ZnO-Wafer — (10-10)
ZnO (10-10) 10x10x0,5mm, 1sp
ZnO (10-10) 10x10x0,5mm, 2sp
2-5. Ga-dotierter ZnO-Wafer
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
ZnO (0001), N+-Typ, Ga-dotiert, 5 x 5 x 0,5 mm, O-Fläche 1SP
ZnO (0001), Typ N+, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Fläche poliert
ZnO (0001), N+-Typ, Ga-dotiert, 5x5x0,2mm, 2sp
ZnO (0001), Typ N+, Ga-dotiert, 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+ Typ, Ga dotiert, 5x5x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,2 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (000-1) N+ Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (0001) N+ Typ, Ga dotiert, 10x10x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 1,0 mm, 1sp Sauerstoff-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 1,0 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 1,0 mm, 2sp
ZnO (000-1) 20x20x0,2 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (000-1) N+ Typ, Ga-dotiert, 20 x 20 x 0,5 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (0001) N+ Typ, Ga dotiert, 20x20x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) N+-Typ, Ga-dotiert, 20 x 20 x 1,0 mm, 1sp Sauerstoff-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 20 x 20 x 1,0 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 20 x 20 x 1,0 mm, 2sp
3. Widerstand des ZnO-Wafers:
Für hochreines undotiertes ZnO-Substrat kann der spezifische Widerstand 100~500 Ohm.cm oder (0,1~1) Ohm.cm betragen. aufgrund unterschiedlicher Wachstumsprozessmethode. Für einen Ga-dotierten ZnO-Wafer sollte der spezifische Widerstand (0,1~1) Ohm.cm betragen.
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