ZnO-Wafer

ZnO-Wafer

PAM XIAMEN bietet einkristalline undotierte oder Ga-dotierte ZnO-Wafersubstrate an, die durch ein hydrothermales Verfahren unter hohem Druck gezüchtet werden. Es gibt hauptsächlich zwei Strukturen in ZnO-Wafern: Hexagonaler Wurtzit und kubische Zinkblende, was wir angeboten haben, ist Hexagonaler Wurtzit.

1.Eigenschaften des ZnO-Wafers:

1.1 Allgemeine Eigenschaften des monokristallinen ZnO-Substrats

Reinheit Gew.-% > 99,99
Verunreinigung: Gew.-% Mg: < 0,0005 Al: < 0,0030 Si: 0,0030 Ti: 0,0010 Cu: < 0,0030
Fe: < 0,005 Ca: < 0,0005 Ag: < 0,0002
Kristallstruktur Hexagonal: a= 3,252 å, c = 5,207 å
Gitterparameter a = 3,252 Å c = 5,313 Å
Growth-Methode Hydrothermal
Härte 4-Moh-Skala
Dichte 5,7g/cm3
Schmelzpunkt 1975 oC
Spezifische Wärme 0,125 cal/g
Thermoelektrische Konstante 1200 mV/oK @ 300 oC
Wärmeleitfähigkeit 0,006 cal/cm/ in Ordnung
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) 6,5 x 10^-6 /℃ entlang einer Achse 3,7 x 10^-6 /℃entlang der c-Achse
Seebeck-Koeffizient 0,006 Cal/cm/K
Übertragungsreichweite 0,4 – 0,6 m > 50 % bei 2 mm
Versetzungsdichte <0001> Ebene <100 / cm2

 

2.0 Standardsubstrat

Orientierung <0001>, <11-20>, <10-10>± 0,5o oder benutzerdefinierte Ausrichtung
Polierte Oberfläche EPI einseitig oder zweiseitig poliert,Ra < 5 Å
Standardgröße 5 x 5 mm, 10 x 10 mm, 20 x 20 mm und 25 x 25 mm
Dicke 0,35 mm, 0,5 mm und 1,0 mm
Oberflächenrauheit Ra < 5A (AFM-Oberflächenrauheitsmessung)
Polieren der Oberfläche Einseitig poliert (SSP) oder beidseitig poliert (DSP)

 

2-1. undotierte ZnO-Wafersubstrate – C-Platte

ZnO (0001) 5x5x0,5mm, O-Fläche 1SP
ZnO (0001) 10x10x0.5mm, 1sp Zn-Fläche poliert
ZnO (0001) 5x5x0,2mm, 2sp
ZnO (0001) 5x5x0.5mm, 1sp Zn Stirnseite poliert
ZnO (0001) 5x5x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) 10x10x0,2 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (000-1) 10x10x0.5mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (0001) 10x10x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) 10x10x1,0 mm, 1sp Sauerstoff-Fläche poliert
ZnO (0001) 10x10x1,0 mm, 1sp Zn-Fläche poliert
ZnO (0001) 10x10x1,0 mm, 2sp
ZnO (000-1) 20x20x0,2 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (000-1) 20x20x0.5mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (0001) 20x20x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) 20x20x1,0 mm, 1sp Sauerstoff-Fläche poliert
ZnO (0001) 20x20x1,0 mm, 1sp Zn-Fläche poliert
ZnO (0001) 20x20x1,0 mm, 2sp
ZnO (0001) 25,4 dia. x0,5 mm, beidseitig poliert (Zn-Fläche epipoliert)

2-2. Undotiertes ZnO-Wafersubstrat – eine Platte

ZnO (11-20) A-Ebene 5x5x0,5mm, 1sp
ZnO (11-20) A-Ebene 5x5x0,5mm, 2sp
ZnO (11-20) A-Ebene 10x10x0,5mm, 1sp
ZnO (11-20) A-Ebene 10x10x1,0mm, 1sp
ZnO (11-20) A-Ebene 10x10x1,0mm, 2sp
ZnO (11-20) A-Ebene 10x10x0,5mm, 2sp

2-3. Undotierte ZnO-Wafersubstrate – M-Platte

ZnO (1-100) M-Ebene 5x5x0,5mm, 1sp
ZnO (1-100) M-Ebene 5x5x0,5mm, 2sp”
ZnO (1-100) M-Ebene 10x10x0,5mm, 1sp
ZnO (1-100) M-Ebene 10x10x0,5mm, 2sp

2-4. Undotierter ZnO-Wafer — (10-10)

ZnO (10-10) 10x10x0,5mm, 1sp
ZnO (10-10) 10x10x0,5mm, 2sp

2-5. Ga-dotierter ZnO-Wafer

Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
Ga:ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert

ZnO (0001), N+-Typ, Ga-dotiert, 5 x 5 x 0,5 mm, O-Fläche 1SP
ZnO (0001), Typ N+, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp Zn-Fläche poliert
ZnO (0001), N+-Typ, Ga-dotiert, 5x5x0,2mm, 2sp
ZnO (0001), Typ N+, Ga-dotiert, 5 x 5 x 0,5 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+ Typ, Ga dotiert, 5x5x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,2 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (000-1) N+ Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 0,5 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (0001) N+ Typ, Ga dotiert, 10x10x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 1,0 mm, 1sp Sauerstoff-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 1,0 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 10 x 10 x 1,0 mm, 2sp
ZnO (000-1) 20x20x0,2 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (000-1) N+ Typ, Ga-dotiert, 20 x 20 x 0,5 mm, 1sp O-Fläche poliert
ZnO (0001) N+ Typ, Ga dotiert, 20x20x0,5mm, 2sp
ZnO (000-1) N+-Typ, Ga-dotiert, 20 x 20 x 1,0 mm, 1sp Sauerstoff-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 20 x 20 x 1,0 mm, 1sp Zn-Oberfläche poliert
ZnO (0001) N+-Typ, Ga-dotiert, 20 x 20 x 1,0 mm, 2sp

3. Widerstand des ZnO-Wafers:

Für hochreines undotiertes ZnO-Substrat kann der spezifische Widerstand 100~500 Ohm.cm oder (0,1~1) Ohm.cm betragen. aufgrund unterschiedlicher Wachstumsprozessmethode. Für einen Ga-dotierten ZnO-Wafer sollte der spezifische Widerstand (0,1~1) Ohm.cm betragen.

 

 

 

Für weitere Informationen kontaktieren Sie uns bitte per E-Mail untervictorchan@powerwaywafer.com undpowerwaymaterial@gmail.com

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