PAM-XIAMEN ofrece una oblea de diodo láser (LD) de 650 nm, que emite luz roja visible. La oblea epi para diodo láser de 650 nm de nuestra parte está compuesta por las capas epi: P+ GaAs, P- AlGaInP, AlGaInP sin dopar, GaInP QW sin dopar, AlGaInP sin dopar y N- AlGaInP, depositadas en elSustrato de GaAs tipo N. Aquí está la estructura específica de oblea de diodo láser de 650 nm para su referencia.
1. Detalles de la oblea LD de 650 nm
1.1 Estructura epitaxial de oblea de diodo láser de 650 nm (PAM210622-650LD)
P+ GaAs P>5E19, d=0,15 μm
P- AlGaInP y AlGaInP sin dopar d~1.5μm
GaInP sin dopar QW PL:640+-5nm
AlGaInP y N-AlGaInP no dopados, d~2,2 μm
N Sustrato de GaAs N=(0.4~4)×10^18 d=350~625μm (100) 10° de <111>A
1.2 Material de emisión de longitud de onda de 650 nm
El material de la oblea emite una longitud de onda de 650 nm resaltada en un círculo rojo:
2. Sobre el diodo láser
El diodo láser es esencialmente un diodo semiconductor. Según el material de la unión PN, el diodo láser se puede dividir en diodos láser de homounión, heterounión simple (SH), heterounión doble (DH) y de pozo cuántico (QW). Entre todos los tipos de LD, los diodos láser de pozo cuántico tienen las ventajas de una corriente de umbral bajo y una potencia de salida alta, y son los productos principales que se utilizan actualmente en el mercado.
Diagrama de diodo láser
*Principio de funcionamiento del diodo láser
El diodo de cristal es una unión pn formada por un semiconductor de tipo p y un semiconductor de tipo n, y se forma una capa de carga espacial en ambos lados de la interfaz, y se construye un campo eléctrico autoconstruido. Cuando no hay voltaje aplicado, la corriente de difusión causada por la diferencia en la concentración de portadores en ambos lados de la unión del diodo láser es igual a la corriente de deriva causada por el campo eléctrico autoconstruido y está en equilibrio eléctrico.
*Aplicación de diodo láser
The laser diode has already applied in the fields of medical, industrial processing and etc.
3. Desafíos en la preparación de oblea de diodo láser comercial
Aunque las perspectivas de la oblea de diodo láser son brillantes, la tecnología clave actual y la investigación de ingeniería de los tres colores primarios de materiales LD rojo, verde y azul para fuentes de luz láser necesitan avances urgentes. PAM-XIAMEN se enfoca en resolver el problema de industrialización del LD rojo, uno de los tres colores primarios, con un objetivo claro, que es desarrollar un haz de alta calidad, umbral bajo, larga vida útil, LD rojo de bajo costo y una reserva técnica completa para la producción. Ingenieria.
En vista de los objetivos anteriores, es necesario resolver los siguientes problemas técnicos:
1) Inyección eficiente de portadores en el pozo cuántico;
2) Supresión de defectos en materiales epitaxiales de AlGaInP con alto contenido de aluminio;
3) Supresión de la catástrofe óptica de la superficie de la cavidad.
Para resolver estos problemas, es necesario superar la baja densidad de defectos, la alta tensión, la alta uniformidad, el crecimiento de material epitaxial de AlGaInP de bajo costo, la pasivación de la superficie de la cavidad y la ventana de no absorción entremezclada de pozos cuánticos, la gestión térmica eficiente de los módulos del paquete LD, caracterización de prueba de enlaces de fabricación de LD y otras tecnologías clave.
4. Usos de obleas de diodo láser de 650 nm
Las obleas de diodo láser se pueden utilizar como un interruptor fotoeléctrico con un rendimiento excelente y una calidad confiable, lo que hace que la eficiencia del diodo láser sea mayor que antes. La oblea epitaxial para diodo láser de 650nm se usa ampliamente en punteros láser, reproductores de DVD, marcado láser, alcance láser, etc.
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.