Chip FET de 650 V GaN para carga rápida

Chip FET de 650 V GaN para carga rápida

PAM-XIAMEN ofrece un chip FET GaN de 650 V para una carga rápida. En el mercado actual,fuentes de carga rápida de nitruro de galioutiliza principalmente un chip GaN de 650 V (GaN FET) como interruptores de alimentación, y las características de alta frecuencia del nitruro de galio se utilizan para hacer que los productos de carga rápida de terminales sean más pequeños en tamaño y de mayor eficiencia.

Los FET de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 150 mΩ de la serie PAM65D150DNBI-TS son dispositivos normalmente encendidos. El chip PAM-XIAMEN GaN ofrece una mejor eficiencia a través de una carga de puerta más baja, velocidades de conmutación más rápidas y una carga de recuperación inversa más pequeña, lo que brinda ventajas significativas sobre los dispositivos tradicionales de silicio (Si). PAM-XIAMEN es uno de los fabricantes de chips GaN de vanguardia con innovación de clase mundial.

1. Parámetros del chip FET de 650 V GaN

Símbolo Parámetro Valor límite Unidad
RθJC Unión a caja 1.3 ° C / W

 

1.1 Absoluto Máxima Valores nominales de 650 V GaN Chip FET (TC = 25 ° C a menos que se indique lo contrario)

Símbolo Parámetro Valor límite Unidad
VDSS Drenar a la fuente de voltaje 650 V
VDSS Puerta a voltaje de fuente 一 25 ~ + 2
Identificación Corriente de drenaje continua @ TC = 25 ° C 15 A
Corriente de drenaje continua @ TC = 100 ° C 10
IDM Corriente de drenaje de pulsos 65 A
PD Disipación de potencia máxima @ TC = 25 ° C 65 W
TC Temperatura de funcionamiento Caso 一 55 ~ 150 ° C
TJ Unión 一 55 ~ 175 ° C
TS Temperatura de almacenamiento 一 55 ~ 150 ° C

 

Chip de 650 V GaN para carga rápida

 

 

 

 

 

CimaFondo

1.2 Parámetros eléctricos de 650V GaN Chipconjunto (TJ = 25 ° C a menos que se indique lo contrario)

Símbolo Parámetro Min Typ Max Unidad Condiciónes de la prueba
Características del dispositivo de reenvío
V (BL) DS Voltaje de la fuente de drenaje 650 v Vcs = -25V
Vasth) Voltaje de umbral -18 v VDs = Vas, IDs = luA
RDS (activado) On-resistencia de la fuente de drenaje 150 180 mQ Vcs = OV, ID-10A
VGs = OV, ID-10A, TJ= 150 ° C
lDss Fuga de drenaje a fuente
corriente
3 uA VDs = 650V, VGs = -25V
30 VDs = 400V, VGs = -25V,
T = 150'c
muchacha Reenvío de puerta a fuente
corriente de fuga
3.7 100 n / A VGs= 2V
Inversión de puerta a fuente
corriente de fuga
-3.5 -100 VGS= -25V
CIss Capacitancia de entrada 650 pF vGs = -25V, VDS= 300 V, f = 1 MHz
Coss Capacitancia de salida 40
CRSS Capacitancia inversa 10
QG Carga total de la puerta 9 Carolina del Norte VDS= 200 V, VGS= -25V a ov,
yo
D= 10A
QGS Carga de fuente de puerta 2
QGD Carga de drenaje de puerta 7
Tennesse Tiempo de recuperación inverso 4 ns Es = 0A a 11A, VDD= 400 V
di/dt=1000A/uS
Q. Cargo de recuperación inversa 17 Carolina del Norte
TIX (activado) Retraso de encendido 0.5 VDs = 200VVG = -25V a ov,
ID = 10A
tR Hora de levantarse 9
tD (apagado) Retraso de apagado 0.5
tF Otoño 10
Características del dispositivo inverso
VSD Tensión inversa 7 v VGS= -25 V, es = 10 A, Tc = 25 ′ C

 

1.3 Características típicas de 650V GaN Cargador Chip (TJ = 25 ° C a menos que se indique lo contrario)

Chip FET de 650 V GaN para carga rápida

Chip FET de 650 V GaN para carga rápida                 Chip FET de 650 V GaN para carga rápida

1.4 Circuito de prueba y formas de onda de 650 V GaN Potencia Chip

1.4 Circuito de prueba y formas de onda del chip FET GaN de 650 V    1.4 Circuito de prueba y formas de onda del chip FET GaN de 650 V

1.4 Circuito de prueba y formas de onda del chip FET GaN de 650 V  Chip FET de 650 V GaN para carga rápida

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5 DIMENSIONES DEL PAQUETE de 650VChip de GaN

Chip FET de 650 V GaN para carga rápida           Chip FET de 650 V GaN para carga rápida

 

 

 

 

 

 

 

Chip FET de 650 V GaN para carga rápida

 

 

 

ARTÍCULO I.ow
1 límite
(Mm)
Centro
(Mm)
Superior
1 límite
(Mm)
A 0.80 1.00
A1 0 0.05
A2 0.15 0.25 0.35
b 0.9 1 1.1
D 7.9 8 8.1
D1 6.9 7 7.1
D2 0.4 0.5 0.6
D3 7.1 7.2 7.3
D4 0.3 0.4 0.5
E 7.9 8 8.1
E1 0.3 0.4 0.5
E2 4.25 4.35 4.45
E3 2.65 2.75 2.85
e 1.9 2.1
L 0.4 0.5 0.6

 

2. Características generales de 650V GaN Energía FET

Fácil de conducir: compatible con controladores de puerta estándar
Pérdidas bajas de conducción y conmutación
Qrr bajo de 17 nC: sin diodo de rueda libre
necesario
Cumple con RoHS y libre de halógenos

 

3. Chip automotriz de 650V GaN FETs

Cargador rapido
Energía renovable
Telecom y data-com
Servomotores
Industrial
Automotor

4. Beneficios del chip GaN de 650V

Mayor eficiencia gracias a la conmutación rápida
Mayor densidad de potencia
Tamaño y peso del sistema reducidos

Como representante de la tercera generación de materiales semiconductores, cuando se usa nitruro de galio en dispositivos de carga rápida, la potencia de salida de los dispositivos de chip GaN es tres veces mayor que la de los materiales tradicionales en el caso del mismo tamaño. La tecnología GaN FET está redefiniendo el estándar para la carga rápida de teléfonos móviles. La industria de semiconductores de tercera generación también está dando paso a nuevos desarrollos debido a la aplicación de nitruro de galio.

Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico avictorchan@powerwaywafer.comypowerwaymaterial@gmail.com

 

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