2. Band gap de AlGaInP tenso sobre sustrato de GaAs

3. Acerca de la estructura de AlGaInP / InGaP

Dado que los materiales cuaternarios de InGaAlP pueden tener una banda prohibida directa amplia, al ajustar la composición de In, Al y Ga, se pueden combinar en celosía con películas delgadas de GaAs de alta calidad y bajo costo. El rango de emisión de luz de la estructura epitaxial puede cubrir la banda roja, naranja, amarilla, amarillo-verde. Así, en el diodo emisor de luz visible, el láser rojo de 650 nm tiene una amplia gama de aplicaciones.

Los materiales compuestos cuaternarios AlGaInP se utilizan para cultivar obleas epitaxiales de GaAs, que se utilizan ampliamente en diodos emisores de luz roja de alto brillo y láseres semiconductores y se han convertido en el material principal para los dispositivos emisores de luz roja. El orden de la banda de conducción de las heterouniones AlGaInP / GaInP es muy pequeño, con un valor máximo de aproximadamente 270 meV, que es más pequeño que el de los materiales AlGaAs de 350meV. La barrera electrónica es relativamente baja y se forma la corriente de fuga. La corriente de umbral de la oblea de epitaxia de GaAs basada en láser aumenta, lo que es más obvio en el funcionamiento a alta temperatura y alta corriente. La capa de AlGaInP se esparcirá en la aleación y la resistencia térmica es mucho mayor que la de los AlGaAs. El exceso de calor provoca la temperatura de la unión y la temperatura de la superficie de la cavidad. Por lo tanto, la temperatura característica del láser AlGaInP es más baja y la eficiencia de conversión electroóptica se reduce durante el funcionamiento continuo y se genera más calor.