PAM-XIAMEN puede ofrecer oblea epi InGaAs/InP de 2” para PIN de la siguiente manera. InGaAs es el compuesto de InAs y GaAs. En la tabla periódica de elementos químicos, In y Ga son elementos del tercer grupo y As es el elemento del quinto grupo. Las propiedades del InGaAs se encuentran entre las propiedades del GaAs y del inAs. Como semiconductor a temperatura ambiente, el InGaAs se utiliza ampliamente en electrónica y fotónica hoy en día.
1. Especificaciones de la oblea InGaAs/InP Epi para PIN
1.1 Oblea InGaAs Epi sobre sustrato InP
InP Substrate:
Orientación InP: (100)
Dopado con Fe, Semiaislante
Tamaño de la oblea: 2″ de diámetro
Resistividad:>1×10^7)ohm.cm
DEP:<1×10^4/cm^2
Pulido por una cara.
Capa EPI:
InxGa1-xAs
Nc>2×10^18 /cc (usando Si como dopante),
Espesor: 0,5 um (+/- 20%)
Rugosidad de la capa epi, Ra <0,5 nm
1.2 Oblea InGaAs Epi basada en InP para PIN
(PAM-190320-PIN InGaAs)
Oblea epi de InGaAs PIN con una estructura que consiste en una capa P+ InP / capa intrínseca de InGaAs / capa N+ InP cultivada en una oblea InP de 2” (o más grande), más detalles a continuación:
Capa NO. | Composición | Espesor | capa epi |
Capa #4 | Capa de contacto | 0,15mm | Capa protectora de InGaAs, contacto superior |
Capa #3 | Región P | 1mm | capa de entrada |
Capa #2 | I-región | 3mm | Capa de absorción de InGaAs |
Capa #1 | Región N | 0,5mm | capa de entrada |
sustrato | n-InP(n-dopado, n~1-10×1018cm−3) | ||
Especificaciones del sustrato: | |||
Orientación del cristal | 100 | ||
Diámetro | 2” | ||
Espesor | 350 mm | ||
Terminación | Una cara pulida, parte trasera grabada; epilisto |
1.3 Epitaxia InGaAs/InP (PIN) sobre sustrato InP de 3″
(PAM160906-INGAAS)
Estructura iluminada en la parte trasera 1 | |||
Capa No. | Material | Espesor | Concentración de portadores |
5 | P+ EntradaP | 200A | – |
4 | P++ InGaAs | – | – |
3 | InGaAs | – | – |
2 | n+ entradaP | – | – |
1 | Capa de búfer InP | – | No dopado |
0 | Entrada semiaislante de 3″ | 300~600um |
1.4 Oblea InGaAs EPI con estructura PIN
PAM200814-PIN INGAAS
No. | artículo | espesor | tipo | dopante | concentración de dopaje |
1 | sustrato InP | 350um, 2 pulgadas | semiaislante | ||
2 | Capa de búfer InP | – | tipo n | S | – |
3 | InGaAs | – | Intrínseco | ||
4 | capa de tapa InP | 0.5um | tipo n | Si | – |
2. Oblea InGaAs Epi para PIN
Los diodos ordinarios se componen de uniones PN. Se agrega una capa semiconductora intrínseca delgada y poco dopada entre los materiales semiconductores P y N para formar un diodo con una estructura PIN, que es un PIN. Debido a que la concentración de portadores y la movilidad de electrones de la capa epitaxial de InGaAs combinada con la red de InP son muy altas, que exceden las de AlGaAs combinadas con la red de GaAs, la oblea epi de InGaAs/InP tiene grandes perspectivas de aplicación en el rango de frecuencia de más de diez hercios. Por lo tanto, la oblea epi de InGaAs ensustrato InPde PAM-XIAMEN hace que el dispositivo PIN tenga una velocidad de transmisión de datos rápida, baja corriente oscura, alta respuesta y alta confiabilidad.
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