Estamos ejecutando celdas de triple unión GaInP/GaAs/Ge fabricadas mediante una técnica MOCVD y hechas de materiales compuestos III-V de alta calidad que brindan una eficiencia significativamente alta. En comparación con las células solares convencionales, las células solares multiunión son más eficientes pero también más caras de fabricar. Las celdas de triple unión son más rentables. Se utilizan en aplicaciones espaciales. Y ahora ofrecemos una estructura de oblea epi GaInP/GaAs/Ge de la siguiente manera:
1. Especificación de GaInP/GaAs/Ge Epi Wafer
| Espesor (um) | ||||||
| Capa | Materiales | Topo | Topo | Tipo | Nivel CV (cm-3) | |
| Fracción (x) | Fracción (y) | |||||
| 15 | Ganancia (x) como | 0.016 | 0.2 | N | > 5.00e18 | |
| 14 | Al (x) InP | 0.04 | N | 5.00E + 17 | ||
| 13 | Ganancia (x) P | 0.1 | N | 2.00E + 18 | ||
| 12 | Ganancia (x) P | 0.5 | P | |||
| 11 | AlIn (x) P | 0.1 | P | |||
| 10 | Al (x) GaAs | 0.015 | P | |||
| 9 | GaAs | 0.015 | N | |||
| 8 | Ganancia (x) P | 0.554 | 0.1 | N | ||
| 7 | Ganancia (x) como | 0.016 | 0.1 | N | ||
| 6 | Ganancia (x) como | 0.016 | 3 | P | 1-2e17 | |
| 5 | Ganancia (x) P | 0.554 | 0.1 | P | 1-2e18 | |
| 4 | Al (x) GaAs | 0.4 | 0.03 | P | 5.00E + 19 | |
| 3 | GaAs | 0.03 | N | 2.00E + 19 | ||
| 2 | Ganancia (x) como | 0.016 | 0.5 | N | 2.00E + 18 | |
| 1 | Ganancia (x) P | 0.554 | 0.06 | N |
También ofrecemos obleas epi de células solares InGaP / GaAs de unión simple y unión dual, con diferentes estructuras de capas epitaxiales (AlGaAs, InGaP) cultivadas en GaAs para aplicaciones de células solares, haga clic en Oblea Epi InGaP/GaAs para celda solar
2. XRD de oblea GaInP/GaAs/Ge
Las figuras a, b muestran el XRD de la calidad cristalina de la oblea GaInP/GaAs/Ge.
a.
b.
FUENTE: PAM-XIAMEN
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico a victorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.