Sobre nosotros

Quienes somos

Con una experiencia en investigación en física, fundamos Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN). Actualmente es un fabricante líder de materiales semiconductores compuestos en China.

PAM-XIAMEN desarrolla tecnologías avanzadas de epitaxia y crecimiento de cristales, con experiencia que abarca desde semiconductores compuestos basados ​​en GaAs e InP hasta materiales de SiC y GaN de vanguardia. Nuestras capacidades incluyen el crecimiento de sustratos y la deposición epitaxial MBE/MOCVD de semiconductores III-V (Ga, Al, In, As, P) para optoelectrónica y dispositivos de potencia, lo que nos posiciona como líder en innovación de materiales semiconductores en China.

La calidad es nuestra primera prioridad. PAM-XIAMEN ha obtenido la certificación ISO9001:2008 y ha recibido honores de la Administración General de Supervisión de Calidad, Inspección y Cuarentena de China. Poseemos y compartimos cuatro fábricas modernas, que pueden proporcionar una gama bastante amplia de productos calificados para satisfacer las diferentes necesidades de nuestros clientes.

Tecnología de obleas semiconductoras en Xiamen Powerway (PAM-XIAMEN)

2009 años de trabajo

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Nuestra historia

trabajo del año 2011

Etapa I

Pam-xiamenSoluciones de carburo de silicio: Entregamos sustratos 4H-SiC y 3C-SiC de tipo semiaislante o conductivo en grados ficticios/de investigación/producción y obleas homoepitaxiales con control de dopaje/espesor (650–1700 V), implementados en GaN-on-SiC RF, módulos de potencia para vehículos eléctricos y sensores de ambientes extremos.
2009 años de trabajo

Etapa II

Pam-xiamenSoluciones de semiconductores compuestos: Desarrollamos y fabricamos sustratos de ingeniería (por ejemplo, GaAs, InP, InAs, InSb, GaSb) y epitaxia avanzada para sistemas fotónicos/RF de próxima generación. Nuestro MBE/MOCVD puede ofrecer servicios de crecimiento epitaxial para estructuras láser y HEMT basadas en GaAs/InP, estructuras QCL basadas en Sb, etc., lo que permite aplicaciones fotónicas y de RF críticas.
2007 años de trabajo

Etapa III

Pam-xiamenSoluciones GaN: ofrecemos sustratos de GaN independientes (2″-4″) y epiobleas de GaN cultivados en HVPE de baja densidad de dislocación sobre zafiro, silicio, SiC, GaN, lo que permite aplicaciones LED, LD y HEMT.