AlGaInP basado en GaAsoblea de diodo láser can be supplied by PAM-XIAMEN with a band of 635nm. The III-V AlGaInP semiconductor material that can be lattice matched with the GaAs substrate has a wide direct band gap (1.9~2.3eV), a wide range of luminous wavelengths and high luminous efficiency. AlGaInP is the best material for preparing high-brightness red, orange, and yellow lasers and light-emitting diodes (LEDs). Following is a 635nm visible diode laser epi structure of GaInP / AlGaInP for reference:

1. Epi-estructura del diodo láser AlGaInP en sustrato de GaAs

PAM210709-635LD

2. ¿Por qué hacer crecer la estructura GaInP / AlGaInP LD en sustrato de GaAs fuera de ángulo?

Los materiales de los láseres de pozo cuántico de confinamiento por deformación compresiva GaInP/AlGaInP se obtienen mediante crecimiento epitaxial de una sola vez MOCVD. El uso de deformación por compresión en la región activa puede reducir la corriente de umbral y la corriente de funcionamiento al tiempo que mejora la eficiencia. Dado que los materiales GaInP y AlGaInP pueden formar fácilmente estructuras ordenadas metaestables durante el proceso de epitaxia MOCVD, que debe evitarse tanto como sea posible en los láseres, y las estructuras desordenadas tienen anchos de línea espectral de ganancia más estrechos. Para evitar la formación de una estructura ordenada en el crecimiento MOCVD de materiales GalnP/AlGaInP, los láseres de pozo cuántico AlGaInP generalmente usan sustratos de GaAs fuera de ángulo. Además, el sustrato fuera de ángulo puede aumentar la concentración de dopaje de tipo p en la capa de confinamiento, lo que aumenta la barrera efectiva de electrones en la región activa, reduce la fuga de portadores y ayuda a mejorar el rendimiento a alta temperatura del dispositivo.

3. ¿Por qué cultivar MQW de AlGaInP, en lugar de DH?

En comparación con la DH (heterounión doble), la estructura MQW (pozo cuántico múltiple) de AlGalnP puede generar una mayor densidad de portadores, lo que aumenta la eficiencia de la recombinación radiactiva; acortar efectivamente la longitud de la región emisora ​​de luz, reduciendo así la autoabsorción de fotones por parte del material. El GaInP / AlGaInP MQW produce un efecto de tamaño cuántico, evita la contaminación de los materiales AlGaInP con alta composición de Al por oxígeno y reduce efectivamente la longitud de onda de emisión con baja composición de Al. Por lo tanto, la matriz de diodos láser AlGaInP crece con una estructura de pozo cuántico múltiple en lugar de la unión de diodos láser AlGaInP, ampliamente utilizada en dispositivos optoelectrónicos, como LD y LED, etc.

4. Acerca del dopante de la capa AlInP en la estructura epitaxial AlGaInP LD

Para resolver los problemas de fuga del portador, el AlInP con la banda más grande se utiliza como capas de revestimiento. Debido al bajo índice de refracción, puede restringir fuertemente las ondas de conducción de luz. Y las capas de AlInP necesitan doparse mucho con tipo p o tipo n, obteniendo la conductividad eléctrica lo más alta posible. Se demuestra que debido a la menor difusividad y mejor capacidad de control, el Mg es más adecuado para usarse como dopante de tipo p para AlInP que Zn. Mientras tanto, se descubrió que agregar una barrera de Mg sin dopar en las capas de revestimiento de Al (Ga) InP puede mejorar la eficiencia de emisión del diodo láser AlGaInP.

En términos de dopaje de tipo n de las capas de revestimiento de AlInP, por lo general, el Si se usa como dopante de tipo n para las capas epi de AlInP.

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