Oblea EPI de Ingap / Gaas para células solares
Gracias a la tecnología GaAs Tunnel Junction, ofrecemos obleas EPI de células solares de Ingap / GaAs de doble unión y doble unión, con diferentes estructuras de capas epitaxiales (ALGAA, INGAP) cultivadas en GAA para la aplicación de células solares. Y ahora ofrecemosOblea epi de GaAsCon unión del túnel Ingap de la siguiente manera:
1. INGAP / GaAs Solar Cell Estructura
| Recubrimiento AR MgF2/ZnS | au | Contacto frontal | ||
| Au-Ge/Ni/Au | ||||
| norte+-GaAs 0,3μm | ||||
| ┏ | norte+-AlInP | – | <2×1018cm-3(Si) | Ventana |
| InGaP | norte+-InGaP | – | – | norte |
| (Por ejemplo=1,88eV) | pag+-InGaP | – | – | pag |
| celda superior | pag+-InGaP | – | – | pag+ |
| ┗ | pag+-AlInP | – | – | BSF, barrera diferencial |
| Túnel | pag+-InGaP | 0,015 µm | – | TN(p+) |
| unión | norte+-InGaP | – | – | TN(n+) |
| ┏ | norte+-AlInP | 0,05 µm | – | Ventana, barrera diferencial |
| Gaas (p. Ej. = 1.43 eV) celda inferior | norte+-GaAs | – | – | norte |
| p-GaAs | – | – | pag | |
| ┗ | pag+-InGaP | – | – | BSF |
| pag+-GaAs | – | 7.0×1018cm-3(Zn) | ||
| pag+-Sustrato de GaAs ＜1,0×1019cm-3(Zn) | sustrato | |||
| au | ||||
| Contacto posterior | ||||
Note:Los LED, los láseres y las células solares multibunción basadas en GAAS / GAAS pueden emplear uniones de túnel para mejorar el rendimiento. Calcular los efectos de esta unión es complicado, pero hay formas de simular con precisión las características del chip y optimizar de manera rentable el diseño de la estructura de las células solares.
2. Crecimiento epitaxial de la oblea de células solares INGAP / GAAS
Con el desarrollo de equipos MOCVD y MBE, se pueden cultivar células solares de doble unión INGAP / GAAS se puede cultivarSustratos de GaAscon la coincidencia de celosía, asegurando la calidad del cristal de la película delgada epitaxial. La subcélula puede usar materiales InaIP y Algaas como la capa de ventana y la capa de campo posterior, lo que puede reducir efectivamente la velocidad de recombinación de la superficie y la interfaz. Bajo la condición de cierta composición, la brecha de banda de AGAP se puede cambiar entre 1.82EV y 1.92EV ajustando los parámetros, como la temperatura de crecimiento y la tasa de crecimiento, dependiendo del grado de orden de la estructura cristalina.
Combinado con el diseño del grosor de la capa absorbente, las corrientes fotogeneradas generadas por las sub-celdas de dos uniones INGAP y GAAs pueden emparejarse mejor. Sobre la base de estos factores, las células solares de unión doble INGAP/GAAS tienen una alta eficiencia de conversión. Las células solares de película delgada de alta eficiencia / GaAs se pueden preparar mediante la tecnología de transferencia de sustrato.
Cuando el material epitaxial de células solares de doble unión GaREP / GaAs se cultiva mediante la tecnología de crecimiento de baja presión, la presión de la cámara de reacción debe mantenerse a 42TORR, y H2 de alta pureza se usa como gas portador. El crecimiento del material de células solares de doble unión se inició a una temperatura constante de 650 ° C durante 4 minutos. La temperatura de crecimiento del arsenuro y el fosfuro se establece a 620 ° C, pero el crecimiento de la unión del túnel altamente dopada es propensa a la difusión de alta temperatura, por lo que se cultiva a una temperatura baja de 560 ° C.
3. Preguntas frecuentes sobre oblea epitaxial de Ingap / Gaas
P:¿Puede decirnos cómo cortar el EPI de las células solares de ALGAP/GaAs?
A:La oblea EPI ALGAP/GaAs para células solares se puede cortar mediante scriber de oblea.
Para obtener más información, comuníquese con el correo electrónico[email protected]y[email protected].