Oblea de GaSb

PAM-XIAMEN ofrece oblea de GaSb de semiconductores compuestos: antimoniuro de galio que se cultiva mediante LEC (Czochralski encapsulado líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semiaislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

  • Descripción

Descripción del producto

PAM-XIAMEN ofrece oblea GaSb de semiconductor compuesto:antimonuro de galiocultivado por LEC (Liquid Encapsulated Czochralski), que puede reducir los defectos del antimonuro de galio. La oblea de GaSb está lista para epi o de grado mecánico con tipo n, tipo p o semiaislante en diferente orientación (111) o (100).

El antimonuro de galio (GaSb) es un compuesto semiconductor de galio y antimonio de la familia III-V. Tiene una constante de red de aproximadamente 0,61 nm. Las obleas de GaSb se pueden utilizar para detectores de infrarrojos, LED, láseres y transistores de infrarrojos, y sistemas termofotovoltaicos.

Aquí está la especificación detallada de la oblea:

Especificación de oblea de GaSb de 2 ″ (50,8 mm)

Especificación de oblea de GaSb de 3 ″ (50,8 mm)

Especificación de oblea de GaSb de 4 ″ (100 mm)

 

Especificación de oblea GaSb de 2 ″

tema Especificaciones
dopante bajo dopado Zinc Telurio
Tipo de conducción tipo P tipo P tipo N
Diámetro de la oblea 2″
Orientación de la oblea (100) ± 0,5 °
Grosor de la oblea 500±25um
Longitud plana primaria 16±2mm
Secundaria plana Longitud 8±1mm
concentración de portadores (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Movilidad 600-700cm2/V 200-500cm2/V 2000-3500cm2/V
EPD <2×103cm-2
TTV <10um
ARCO <10um
DEFORMACIÓN <12um
Marcado láser a pedido
Acabado superficial P/E, P/P
Epi listo si
Paquete Recipiente o casete de oblea individual

 

Especificación de oblea GaSb de 3 ″

tema Especificaciones
Tipo de conducción tipo P tipo P tipo N
dopante bajo dopado Zinc Telurio
Diámetro de la oblea 3″
Orientación de la oblea (100) ± 0,5 °
Grosor de la oblea 600±25um
Longitud plana primaria 22±2mm
Secundaria plana Longitud 11±1mm
concentración de portadores (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Movilidad 600-700cm2/V 200-500cm2/V 2000-3500cm2/V
EPD <2×103cm-2
TTV <12um
ARCO <12um
DEFORMACIÓN <15um
Marcado láser a pedido
Acabado superficial P/E, P/P
Epi listo si
Paquete Recipiente o casete de oblea individual

 

Especificación de oblea de GaSb de 4 ″

tema Especificaciones
dopante bajo dopado Zinc Telurio
Tipo de conducción tipo P tipo P tipo N
Diámetro de la oblea 4″
Orientación de la oblea (100) ± 0,5 °
Grosor de la oblea 800±25um
Longitud plana primaria 32,5 ± 2,5 mm
Secundaria plana Longitud 18±1mm
concentración de portadores (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Movilidad 600-700cm2/V 200-500cm2/V 2000-3500cm2/V
EPD <2×103cm-2
TTV <15um
ARCO <15um
DEFORMACIÓN <20um
Marcado láser a pedido
Acabado superficial P/E, P/P
Epi listo si
Paquete Recipiente o casete de oblea individual

 

1) Oblea de GaSb de 2 ″ (50,8 mm), 3 ″ (76,2 mm)

Orientación:(100)±0,5°
Espesor (μm): 500 ± 25; 600 ± 25
Tipo/Dopante: P/bajo dopado; P/Si; P/Zn
Nc(cm-3):(1~2)E17
Movilidad (cm2/V·s): 600 ~ 700
Método de crecimiento: CZ
Polaco:SSP

2) Oblea de GaSb de 2 ″ (50,8 mm)
Orientación:(100)±0,5°
Espesor (μm): 500 ± 25; 600 ± 25
Tipo/Dopante:N/bajo dopado;P/Te
Nc(cm-3):(1~5)E17
Movilidad (cm2/V·s): 2500~3500
Método de crecimiento:LEC
Polaco:SSP

3) Oblea de GaSb de 2 ″ (50,8 mm)
Orientación:(111)A±0,5°
Espesor (μm): 500 ± 25
Tipo/Dopante:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Movilidad (cm2/V·s): 2500~3500; 200~500
Método de crecimiento:LEC
Polaco:SSP

4) Oblea de GaSb de 2 ″ (50,8 mm)
Orientación:(111)B±0,5°
Espesor (μm): 500 ± 25; 450 ± 25
Tipo/Dopante:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Movilidad (cm2/V·s): 2500~3500; 200~500
Método de crecimiento:LEC
Polaco:SSP

5) Oblea de GaSb de 2 ″ (50,8 mm)
Orientación:(111)B 2 grados apagado
Espesor (μm): 500 ± 25
Tipo/Dopante:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Movilidad (cm2/V·s): 2500~3500; 200~500
Método de crecimiento:LEC
Polaco:SSP

Productos relativos:
oblea de InAs
oblea de InSb
oblea de InP
Oblea de GaAs
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Oblea GaP

El antimonuro de galio (GaSb) se puede suministrar en forma de obleas con acabados cortados, grabados o pulidos y están disponibles en una amplia gama de concentraciones de portadores, diámetros y espesores.

El material GaSb presenta interesantes propiedades de antimonuro de galio para dispositivos termofotovoltaicos (TPV) de unión única. GaSb: Se presenta el monocristal cultivado con los métodos de Czochralski (Cz) o Czochralski modificado (Mo-Cz) y se discute el problema de la homogeneidad del Te. Dado que la movilidad del portador es uno de los puntos clave de los cristales de antimoniuro de galio, se llevan a cabo mediciones de Hall. Presentamos aquí algunos desarrollos complementarios basados ​​en el punto de vista del procesamiento de materiales: el crecimiento de cristales de antimonuro de galio a granel, la preparación de oblea de antimonuro de galio y el grabado de oblea de antimonuro de galio. Los pasos posteriores a estos están relacionados con la elaboración de la unión p/no rn/p. Se presentan algunos resultados obtenidos para diferentes enfoques de elaboración de capas finas. Entonces, desde el proceso simple de difusión en fase de vapor o el proceso de epitaxia en fase líquida hasta el proceso de deposición química de vapor organometálico, informamos cierta especificidad del material.

También ofrecemos el servicio epi de oblea de antimonuro de galio, tome el siguiente como ejemplo:

Oblea GaSb epi de 2” de tamaño:
Capa Epi: Espesor 0,5 um, capa epi de GaSb tipo p/sin dopar (también disponible capa epi InP sin dopar),
Sustrato: GaAs semiaislante de 2”

 

Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperamos su comprensión y cooperación!

Más información sobre epiwafer, lea:

Película fina de GaSb sobre GaAs

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