Método de evaluación de cambio de tensión de umbral de SiC MOSFETs bajo polarización de compuerta negativa usando de tipo n condensadores MOS SiC

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Método de evaluación de cambio de tensión de umbral de SiC MOSFETs bajo polarización de compuerta negativa usando de tipo n condensadores MOS SiC

Un nuevo método para la estimación de los cambios de voltaje de umbral de canal n MOSFET de SiC bajo tensiones de polarización de compuerta negativos se ha propuesto. En el método propuesto, n de tipo SiC condensadores MOS se utilizaron en lugar de n-canal MOSFETs de SiC. Los de tipo n condensadores MOS SiC fueron expuestos a luz ultravioleta para generar agujeros alrededor de la zona de la puerta en las superficies de SiC. Mediante la aplicación de tensión de puerta negativo bajo esta condición, se formaron capas de inversión de los agujeros, y el estrés polarización de compuerta negativa se aplicó a los óxidos de puerta de los de tipo n condensadores SiC MOS. Por este método, se determinó la tendencia de los cambios de voltaje de banda plana en condensadores SiC MOS en función del óxido de puerta condiciones de formación, y se confirmó que la tendencia es de acuerdo con la de los cambios de voltaje de umbral en MOSFETs de SiC obtenidos por el método convencional.

Fuente: IOPscience

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2019-10-21

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