El láser Fabry-Perot (FP-LD) es el láser semiconductor más común. En la actualidad, la tecnología de fabricación de FP-LD utilizada en la comunicación de fibra óptica ha sido bastante madura, y la estructura de capa activa de pozos cuánticos múltiples de heterounión doble, portadora y estructura limitada por luz es ampliamente utilizada. PAM-XIAMEN, uno de los principales proveedores de epitaxia, puede ofrecer FPoblea de diodo lásercon espectro láser de 698nm. Más específicamente, la estructura se muestra en la siguiente tabla. Además, podemos hacer crecer una estructura láser FP específica con una longitud de onda específica para satisfacer sus necesidades.
1. Especificación de la oblea de chip láser GaInAsP / AlGaInP FP de 698 nm
PAM180911 – FPLD
| Capa No. | Materiales | Fracción molar (x) | Fracción molar (y) | Espesor (um) | dopante | Escribe | PL (nm) | Tensión (ppm) | Nivel CV (cm-3) | Grupo | Repetir |
| 13 | GaAs | – | – | P | >2E19 | ||||||
| 12 | Ganancia(x)P | 0.49 | 0.05 | – | – | – | – | ||||
| 11 | Al(x)InP | – | – | – | – | – | – | ||||
| 10 | Al(x)InP | – | – | Zinc | – | – | – | ||||
| 9 | Al(x)Ganancia(y)P | 0.6 | 0.49 | – | sin dopar | – | – | ||||
| 8 | Al(x)Ganancia(y)As | por determinar | por determinar | por determinar | – | – | por determinar | por determinar | – | – | |
| 7 | Ganancia(x)As(y)P | por determinar | por determinar | por determinar | – | U/D | 690nm | por determinar | – | – | |
| 6 | Al(x)Ganancia(y)As | por determinar | por determinar | por determinar | – | – | por determinar | por determinar | – | – | |
| 5 | Al(x)Ganancia(y)P | 0.6 | 0.49 | 0.05 | – | – | 800 | ||||
| 4 | Al(x)InP | – | – | Si | – | – | – | ||||
| 3 | Al(x)InP | – | – | – | – | – | 1.00E+18 | ||||
| 2 | Ganancia(x)P | – | – | – | – | 800 | – | ||||
| 1 | GaAs | 0.5 | – | N | |||||||
| 0 | Sustrato |
2. ¿Qué es el láser semiconductor Fabry-Perot?
El diodo láser FP es un dispositivo emisor de luz semiconductor y está diseñado con una cavidad FP como resonador y emite luz coherente en modo multilongitudinal. El resonador FP, es decir, la cavidad plano-paralela (resonador), es un tipo de resonador óptico, que se compone de dos espejos planos paralelos y se usa a menudo en láseres semiconductores. Este es el primer resonador óptico propuesto en la historia del desarrollo de la tecnología láser y es la base del interferómetro de Fabry-Perot.
La longitud de onda del láser FP es muy amplia, desde la luz visible hasta el infrarrojo medio y el infrarrojo lejano. Para la longitud de onda de salida más larga, se pueden realizar como láseres de cascada cuántica.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
Para obtener más información, contáctenos por correo electrónico avictorchan@powerwaywafer.com y powerwaymaterial@gmail.com.