PAM XIAMEN ofrece oblea de óxido de galio beta Ga2O3 y sustratos de cristal de tipo SEMIaislante.
ESPECIFICACIONES:
Estructura cristalina:monoclínica
Parámetro de red:
a = 12.225 A
b = 3.040 A
c = 5.809 A
β = 103.7 degree
Punto de fusión (℃):1725
Densidad:5,95 (g/cm3)
Constantes dieléctricas:10
Banda prohibida:4,8 – 4,9 eV
Conductividad:semiaislante
Tensión de ruptura (V/cm):8 megavoltios/cm
Talla disponible:5 x 5 mm, 10 x 10 mm, Ф1″ (1 pulgada de diámetro). Tamaños especiales (menos de 1 pulgada de diámetro) están disponibles a pedido.
Espesor:350um +/- 50um, otros espesores están disponibles bajo pedido
Pulido:Preparado para Epi, RMS < 0,5 nm en la cara Ga, pulido óptico en la cara N
Orientación del cristal:(010)
Ga Cara Ra:≤ 5 Å (área de 5 µm × 5 µm), preparado para epi
El óxido de beta galio (ß-Ga2O3) es un material semiconductor de banda prohibida amplia. Su amplia banda prohibida de 4,8 – 4,9 eV, su alto campo de ruptura de 8 MV/cm, su alta constante dieléctrica y sus buenas movilidades electrónicas se pueden traducir en una figura de mérito de Baliga de alto voltaje (HV-BFOM) que es > 3000 veces mayor que la de Si, > 8 veces mayor que la del 4H-SiC y > 4 veces la del GaN. Además, su figura de mérito de Baliga de alta frecuencia es ~150 veces mayor que la del Si, ~3 veces la del 4H-SiC y un 50% mayor que la del GaN.
Literatura útil:
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
Gallium oxide as host material for multicolor emitting phosphors
Development of gallium oxide power devices
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Fundada en 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) es un fabricante líder de material semiconductor en China. PAM-XIAMEN desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores. Las tecnologías de PAM-XIAMEN permiten un mayor rendimiento y un menor costo de fabricación de obleas de semiconductores.
PAM-XIAMEN desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, que van desde la oblea de germanio de primera generación, el arseniuro de galio de segunda generación con crecimiento de sustrato y epitaxia en materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio III-V basados en Ga, Al, In, As y P crecido por MBE o MOCVD, a la tercera generación: carburo de silicio y nitruro de galio para aplicaciones de dispositivos de energía y LED.