PAM-XIAMEN puede proporcionar una oblea epitaxial de GaAs (arseniuro de gallim) con crecimiento específico para pilas de diodos de alto voltaje (HV). La estructura de arseniuro de galio proporciona la densidad de potencia, la eficiencia y la confiabilidad requeridas para sistemas extremadamente compactos. obleas de diodo de GaAs cumplen los requisitos de la electrónica de potencia en las aplicaciones industriales modernas, la generación de energía a partir de energías renovables o los vehículos totalmente eléctricos o híbridos. Especialmente en el rango de voltaje medio y alto entre 600 y 1700 voltios, el crecimiento epitaxial de GaAs aumenta la eficiencia energética al mismo tiempo que reduce el peso, el tamaño y el costo total del sistema completo correspondiente. La siguiente es la especificación de la epitaxia de GaAs con un crecimiento inusual y muy grueso:

1. Especificación de la epitaxia de GaAs

Notas para películas homoepitaxiales de GaAs:

Desviación de espesor de cada capa: +/-10%;

Desviación de concentración de cada capa: +/-30%;

Espesor total: 15um.

Las soluciones de tecnología LPE (epitaxia en fase líquida) pueden hacer que el proceso de crecimiento de la estructura del diodo sea de alta eficiencia y se pueden obtener epicapas de GaAs de alta calidad.

2. Epitaxia de GaAs por dopaje tipo P en sustrato de GaAs

Oblea de epi de GaAs con alta concentración de dopaje de tipo p se usa ampliamente en dispositivos como transistores bipolares. Entre los materiales semiconductores de GaAs dopados de tipo p, el Be es una fuente dopante de tipo p ideal con muchas ventajas. Ser utilizado como fuente de dopantes puede preparar epiwafer de GaAs altamente dopado con una concentración de dopaje controlable para cumplir con los requisitos del dispositivo. Al mismo tiempo, Be también es una fuente típica de dopaje de tipo p en dispositivos de sistema de material AlGaAs, InGaAs. Ser utilizado como una fuente de dopaje de tipo p para el dopaje de alta concentración tiene buenas ventajas en aplicaciones de dispositivos, como transistores bipolares de heterounión de baja resistencia, contactos óhmicos sin aleación de tipo p, etc.

Hay una gran cantidad de enlaces colgantes en la superficie del GaAs, y los óxidos de GaAs y As se forman fácilmente cuando se exponen al aire. Estos óxidos formarán centros de recombinación no radiativos y reducirán las propiedades de luminiscencia de los materiales de GaAs. Por lo tanto, reducir el centro de recombinación no radiativa de la superficie y la densidad del estado de la superficie de los materiales de GaAs es de gran importancia para mejorar el rendimiento de la luminiscencia de los dispositivos basados ​​en GaAs. La pasivación con azufre es un método de tratamiento eficaz para mejorar las propiedades de luminiscencia del GaAs. Después de que la epitaxia de GaAs se somete a un tratamiento de pasivación con azufre, se elimina la capa de óxido de la superficie y, al mismo tiempo, Ga y As en la superficie se combinan con S para formar sulfuro, lo que reduce la densidad del estado superficial y mejora la recombinación de radiación. en la superficie del crecimiento epitaxial del arseniuro de galio y mejora las propiedades fotoluminiscentes de la epitaxia en GaAs.

3. Crecimiento inestable en GaAs (001) Homoepitaxia

Utilizamos la fuerza atómica y la microscopía de túnel de barrido para estudiar la epitaxia de GaAs (001) cultivada con MBE. Cuando las condiciones de crecimiento epitaxial favorecen la nucleación de islas, se puede encontrar la evolución de multicapas. A medida que aumenta el espesor de las epiestructuras de GaAs, las características crecen en todas las dimensiones y el ángulo de inclinación se mantiene en 1°. No se producen golpes en las superficies cultivadas en flujo escalonado. Suponemos que las características de las multicapas de la epitaxia de GaAs dependen de la nucleación de la isla y de la existencia de una barrera de borde escalonado debido al modo de crecimiento inestable.

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