GaAs oblea

GaAs oblea es un importante semiconductores III-V compuesto, una estructura de esfalerita celosía con constante de red de 5,65 x 10-10m, punto de 1237 C y la banda de hueco de 1,4 electrones oblea volts.Gallium arseniuro de fusión se pueden hacer en materiales semi-aislante con resistividad mayor que el silicio y el germanio por tres órdenes de magnitud, que pueden ser utilizados para fabricar sustratos de circuitos integrados, detectores infrarrojos, detectores gamma de fotones y así sucesivamente. Debido a su movilidad de electrones es 5-6 veces mayor que el de silicio, que ha sido ampliamente utilizado en la fabricación de dispositivos de microondas y los circuitos digitales de alta velocidad. Los dispositivos semiconductores hechos de GaAs tienen las ventajas de alta frecuencia, alta temperatura, buen rendimiento a baja temperatura, bajo ruido y fuerte resistencia a la radiación. Además, también puede ser utilizado para fabricar dispositivos de transferencia - dispositivos de efecto mayor.

(Arseniuro de galio) GaAs Wafer y epitaxia: GaAs oblea, tipo N, tipo P o semi-aislante, tamaño de 2 "a 6"; oblea de GaAs epi para HEMT, pHEMT, mHEMT y HBT

  • Epi oblea por un diodo láser

    La oblea de epitaxia LD basada en GaAs, que puede generar emisiones estimulantes, se usa ampliamente para fabricar diodos láser ya que las propiedades superiores de la oblea epitaxial de GaAs hacen que el dispositivo tenga un bajo consumo de energía, alta eficiencia, larga vida útil, etc. Además de la oblea LD epi de arseniuro de galio , los materiales semiconductores comúnmente utilizados son sulfuro de cadmio (CdS), fosfuro de indio (InP) y sulfuro de zinc (ZnS).

  • GaAs (arseniuro de galio) Obleas

    As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • GaAs epiwafer

    PAM-XIAMEN fabrica varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio epi wafer III-V basados ​​en Ga, Al, In, As y P cultivados por MBE o MOCVD. Suministramos estructuras de epiwafer de GaAs personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente, comuníquese con nosotros para obtener más información.